Электроника. Элементная база электроники презентация

Содержание

Слайд 2

Электроника это наука, изучающая: Явления, происходящие в веществе под действием

Электроника это наука, изучающая:

Явления, происходящие в веществе под действием внешних

факторов
Элементы, работающие на использовании этих явлений
Электронные устройства, схемы, составленные с использованием элементов электроники
Слайд 3

Элементная база электроники делится на: Электровакуумные приборы - работают на

Элементная база электроники делится на:

Электровакуумные приборы - работают на явлении термоэлектронной

эмиссии.
Газоразрядные приборы - работают на явлении электрического разряда в газах.
Полупроводниковые приборы - работают на явлении проводимости полупроводников.
Фотоэлектронные приборы - работают на явлениях внешнего и внутреннего фотоэффекта.
Микросхемы
Слайд 4

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ

Слайд 5

Проводимость полупроводников Полупроводниками называют вещества, проводящие электрический ток при определенных

Проводимость полупроводников Полупроводниками называют вещества, проводящие электрический ток при определенных

условиях. К полупроводникам относятся все элементы 4-й группы таблицы Менделеева
Слайд 6

+ Si Si Si Si Si Si Si Si Si Собственная проводимость

+

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Собственная проводимость

Слайд 7

+ Si Si Si In Si Si Si Si Si

+

Si

Si

Si

In

Si

Si

Si

Si

Si

+

При добавлении 3-х валентной примеси (In) p-тип

Слайд 8

При добавлении 5-валентной примеси (n-тип) -

При добавлении 5-валентной примеси (n-тип)

-

Слайд 9

Образование p-n перехода 3х валентная примесь 5ти валентная примесь Si +

Образование p-n перехода

3х валентная примесь

5ти валентная примесь

Si

+

Слайд 10

Слайд 11

+ _

+

_

Слайд 12

Полупроводниковые диоды

Полупроводниковые диоды

Слайд 13

Диод - 2-электродный полупроводниковый прибор с односторонней проводимостью электрического тока:

Диод - 2-электродный полупроводниковый прибор с односторонней проводимостью электрического тока: он

хорошо пропускает через себя ток в одном направлении и очень плохо — в другом.
Это основное свойство диода используется, в частности, для преобразования переменного тока электросети в постоянный ток.
Слайд 14

Конструктивно диод представляет собой небольшую пластинку германия или кремния, одна


Конструктивно диод представляет собой небольшую пластинку германия или кремния,

одна область которой обладает электропроводимостью p-типа, то есть «дырочной», другая — электропроводимостью n-типа, то есть электронной .

Схематическое устройство диода

Слайд 15

Область p-типа – анод (А) Область n-типа – катод(К) :

Область p-типа – анод (А)
Область n-типа – катод(К)

:


Слайд 16

А А К К


А

А

К

К

Слайд 17

Слайд 18

Кремниевый стабилитрон

Кремниевый стабилитрон

Слайд 19

Условное обозначение Стабилитрон представляет собой прибор с одним p-n переходом (т.е. диод). Основным материалом является кремний

Условное обозначение

Стабилитрон представляет собой прибор с одним p-n переходом (т.е. диод).


Основным материалом является кремний
Слайд 20

Особенность- повышенная концентрация носителей зарядов в полупроводниках обеспечивает пробой p-n

Особенность- повышенная концентрация носителей зарядов в полупроводниках обеспечивает пробой p-n перехода

при напряжениях от 1 до 10В. При таком пробое не происходит разрушения кристалла, т.е. он является обратимым. Такой пробой называют электронным.
Слайд 21

Рабочая часть вольт-амперной характеристики находится в области обратного включения. Uстаб1 Uстаб2 Uстаб3

Рабочая часть вольт-амперной характеристики находится в области обратного включения.

Uстаб1

Uстаб2

Uстаб3

Слайд 22

Схема простейшего стабилизатора + - Uвход Uвых

Схема простейшего стабилизатора
+
-

Uвход

Uвых

Слайд 23

Тиристоры

Тиристоры

Слайд 24

Тиристор – мощный полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями, имеющий

Тиристор – мощный полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями, имеющий три

(и более) n-p-перехода, который может переключаться из закрытого состояния в открытое и наоборот.
Слайд 25

Тиристор

Тиристор

Слайд 26

Основным свойством четырехслойной структуры является способность находиться в двух состояниях

Основным свойством четырехслойной структуры является способность находиться в двух состояниях устойчивого

равновесия: максимально открытом (с большой проводимостью) и минимально закрытом (с малой проводимостью)
Слайд 27

Принцип действия динистора При прямом включении динистора источник питания смещает

Принцип действия динистора

При прямом включении динистора источник питания смещает р-n-переходы П1

и П3 в прямом направлении, а П2 – в обратном

Если к динистору приложено обратное напряжение, то переход П2 открыт, а переходы П1 и П3 закрыты.

Слайд 28

При приближении режима работы динистора к участку АБ происходит переключение

При приближении режима работы динистора к участку АБ происходит переключение его

из одного состояния в другое.
Динисторы относятся к неуправляемым коммутирующим элементам.
Слайд 29

Принцип действия тринистора Тринисторы относятся к разряду управляемых коммутирующих элементов.

Принцип действия тринистора

Тринисторы относятся к разряду управляемых коммутирующих элементов.

Слайд 30

Биполярные транзисторы

Биполярные транзисторы

Слайд 31

Биполярные транзисторы Биполярный транзистор – это полупроводниковый прибор с двумя

Биполярные транзисторы

Биполярный транзистор – это полупроводниковый прибор с двумя p-n–переходами, имеющий

три вывода (электрода).
Действие биполярного транзистора основано на использовании носителей заряда обоих знаков (дырок и электронов), а управление протекающим через него током осуществляется с помощью управляющего тока.
Слайд 32

Слайд 33

Устройство транзистора. Биполярный транзистор в своей основе содержит три слоя

Устройство транзистора.

Биполярный транзистор в своей основе содержит три слоя полупроводника

(p-n-p или n-p-n) и соответственно два p-n –перехода. Каждый слой полупроводника подсоединен к внешнему выводу.
Средний слой и соответствующий вывод называют базой,
один из крайних слоев и соответствующий вывод называют эмиттером,
а другой крайний слой и соответствующий вывод – коллектором.
Слайд 34

n-p-n транзистор p-n –p транзистор

n-p-n транзистор

p-n –p транзистор

Слайд 35

Принцип действия транзистора UЭК>>UЭБ База тонкая База слаболегированная

Принцип действия транзистора
UЭК>>UЭБ
База тонкая
База слаболегированная

Слайд 36

Схемы включения биполярных транзисторов

Схемы включения биполярных транзисторов

Слайд 37

Транзисторы включают по схеме с общим электродом Схема с общей

Транзисторы включают по схеме с общим электродом

Схема с общей базой

Схема с

общим эмиттером

Схема с общим коллектором

Слайд 38

KI = ∆Iвых / ∆Iвх KU=∆Uвых/∆Uвх KP=∆Pвых/∆Pвх -Коэффициент усиления по

KI = ∆Iвых / ∆Iвх KU=∆Uвых/∆Uвх KP=∆Pвых/∆Pвх

-Коэффициент усиления по току;
-Коэффициент усиления

по напряжению;
-Коэффициент усиления по мощности.
Слайд 39

I э≈I к I Б«I к (в 10-100 раз) Rэ

I э≈I к I Б«I к (в 10-100 раз)
Rэ очень мало

очень велико
RБ очень велико
Слайд 40

Слайд 41

α=β/(β+1) β= α/(1-α)

α=β/(β+1)
β= α/(1-α)

Слайд 42

Полевой транзистор

Полевой транзистор

Слайд 43

Полевой транзистор — Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено

Полевой транзистор —
Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями

заряда только одного знака (электронами или дырками)
Слайд 44

Область,в которой создана проводимость, называют каналом. Электропроводность канала может быть

Область,в которой создана проводимость, называют каналом.
Электропроводность канала может быть как n-,

так и p-типа. Поэтому по электропроводности канала различают полевые транзисторы с n-каналом и р-каналом.
Все полярности напряжений смещения, подаваемых на электроды транзисторов с n- и с p-каналом, противоположны.

З

И

С

канал

-

-
+

-

Слайд 45

Электрод, из которого в канал входят основные носители заряда, называют

Электрод, из которого в канал входят основные носители заряда, называют

истоком.
Электрод, через который из канала уходят основные носители заряда, называют стоком.
Электрод, служащий для регулирования поперечного сечения канала, называют затвором.
Слайд 46

Uз= 0 Uз U запирания I c

Uз= 0


U запирания

I c

Слайд 47

Схемы включения полевых транзисторов Полевой транзистор можно включать по одной

Схемы включения полевых транзисторов

Полевой транзистор можно включать по одной из трех

основных схем:

с общим истоком (ОИ),

Слайд 48

Схемы включения полевых транзисторов На практике чаще всего применяется схема

Схемы включения полевых транзисторов

На практике чаще всего применяется схема с ОИ,

аналогичная схеме на биполярном транзисторе с ОЭ. Каскад с общим истоком дает очень большое усиление тока и мощности.
Схема с ОЗ аналогична схеме с ОБ. Она не дает усиления тока, и поэтому усиление мощности в ней во много раз меньше, чем в схеме ОИ. Каскад ОЗ обладает низким входным сопротивлением, в связи с чем он имеет ограниченное практическое применение.
Слайд 49

ФОТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ

ФОТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ

Слайд 50

Фоторезисторы Фоторезисторами называют полупроводниковые приборы, проводимость которых меняется под действием света.

Фоторезисторы

Фоторезисторами
называют полупроводниковые приборы, проводимость которых меняется под действием света.

Слайд 51

Основным элементом фоторезистора является в первом случае монокристалл, а во втором – тонкая пленка полупроводникового материала.

Основным элементом фоторезистора является в первом случае монокристалл, а во

втором – тонкая пленка полупроводникового материала.
Слайд 52

Изолированная подложка Полупроводник Ф Rф (e+) I I При освещении

Изолированная подложка

Полупроводник

Ф Rф (e+) I

I

При освещении фоторезистора энергия фотонов расходуется на

перевод электронов в зону проводимости. Количество свободных электронно-дырочных пар возрастает, сопротивление фоторезистора падает и через него течет световой ток
 Iс = E / (Rс + Rн).
Слайд 53

Если фоторезистор включен последовательно с источником напряжения (рис. 3) и

Если фоторезистор включен последовательно с источником напряжения (рис. 3) и не

освещен, то в его цепи будет протекать темновой ток
Iт = E / (Rт + Rн), (4)
где Е – э. д. с. источника питания; Rт – величина электрического сопротивления фоторезистора в темноте, называемая темновым сопротивлением; Rн – сопротивление нагрузки.
Слайд 54

Фотодиод Полупроводниковый фотодиод – это полупроводниковый диод, обратный ток которого

Фотодиод

Полупроводниковый фотодиод – это полупроводниковый диод, обратный ток которого зависит от

освещенности.
Обычно в качестве фотодиода используют полупроводниковые диоды с p-n переходом, который смещен в обратном направлении внешним источником питания.
Слайд 55

Слайд 56

При поглощении света в p-n переходе или в прилегающих к

При поглощении света в p-n переходе или в прилегающих к нему

областях образуются новые носители заряда.
Неосновные носители заряда, возникшие в областях, прилегающих к p-n переходу- диффундируют в p-n переход и проходят через него под действием электрического поля.
То есть обратный ток при освещении возрастает. Поглощение квантов непосредственно в p-n переходе приводит к аналогичным результатам. Величина, на которую возрастает обратный ток, называется фототоком
Слайд 57

Схемы включения фотодиодов Фотодиоды могут работать в двух режимах: без

Схемы включения фотодиодов

Фотодиоды могут работать в двух режимах: без внешнего источника

электроэнергии (режим фотогенератора)
и с внешним источником (режим фотопреобразователя).
Слайд 58

Фототранзистор Фототранзисторы составляют весьма представительный отряд оптоэлектронных фотоприемников, наиболее характерными

Фототранзистор

Фототранзисторы составляют весьма представительный отряд оптоэлектронных фотоприемников, наиболее характерными чертами,

которого являются наличие механизмов встроенного усиления (отсюда высокая фоточувствительность) и схемотехническая гибкость, обусловленная наличием третьего - управляющего - электрода.
Они изготавливаются практически только на кремнии.
Слайд 59

Фототранзистор – фотоэлектронный прибор, имеющий трехслойную структуру, как обычный транзистор,

Фототранзистор – фотоэлектронный прибор, имеющий трехслойную структуру, как обычный транзистор, в

котором ток зависит от освещения базы.
Они имеют линейную световую характеристику, а выходные ВАХ аналогичны ВАХ обычного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, но в качестве параметра вместо тока базы выступает световой поток. Чувствительность фототранзисторов достигает 1 А/лм..
Слайд 60

ВЫПРЯМИТЕЛИ

ВЫПРЯМИТЕЛИ

Слайд 61

Выпрямители – это устройства, которые служат для преобразования переменного тока

Выпрямители – это устройства, которые служат для преобразования переменного тока в

постоянный.

Выпрямители бывают:
однополупериодные и двухполупериодные
однофазные и многофазные
управляемые и неуправляемые

Слайд 62

Структурная схема выпрямителя Трансформатор – служит для понижения питающего напряжения

Структурная схема выпрямителя

Трансформатор – служит для понижения питающего напряжения
Блок вентилей –

обеспечивает преобразование переменного тока в пульсирующий
Сглаживающий фильтр - служит для преобразования выпрямленного тока в ток, близкий по форме к постоянному.
Слайд 63

Основные характеристики выпрямителей Номинальное напряжение постоянного тока U0- среднее значение выпрямленного напряжения, заданное техническими требованиями.

Основные характеристики выпрямителей

Номинальное напряжение постоянного тока U0- среднее значение выпрямленного

напряжения, заданное техническими требованиями.
Слайд 64

Номинальный выпрямленный ток I0 – среднее значение выпрямленного тока, т.е. его постоянная составляющая, заданная техническими требованиями

Номинальный выпрямленный ток I0 – среднее значение выпрямленного тока, т.е.

его постоянная составляющая, заданная техническими требованиями
Слайд 65

Пульсация – переменная составляющая напряжения или тока на выходе выпрямителя. Характеризуется коэффициентом пульсаций

Пульсация – переменная составляющая напряжения или тока на выходе выпрямителя.

Характеризуется коэффициентом пульсаций
Слайд 66

Коэффициент пульсаций kп – отношение амплитуды наиболее резко выраженной гармонической

Коэффициент пульсаций kп – отношение амплитуды наиболее резко выраженной гармонической

составляющей напряжения или тока на выходе выпрямителя к среднему значению напряжения или тока.
Слайд 67

1. Однофазный однополупериодный выпрямитель Uобр.m =3,14U0. Iср д=I0 kп=1,57 VD

1. Однофазный однополупериодный выпрямитель

Uобр.m =3,14U0.

Iср д=I0

kп=1,57

VD

Слайд 68

2. Схема со средней точкой Uобр.m =3,14U0 kп=0,67 iVD1 iVD2 iН u2

2. Схема со средней точкой

Uобр.m =3,14U0

kп=0,67

iVD1

iVD2


u2

Слайд 69

3. Мостовая схема Uобр.m =1,57U0 kп=0,67 u2 iVD2 ,VD3 iVD1 ,VD4 iН

3. Мостовая схема

Uобр.m =1,57U0

kп=0,67

u2

iVD2 ,VD3

iVD1 ,VD4


Слайд 70

Uобр.m=2,09 U0 kп=0,25 3.1 Трехфазный однополупериодный выпрямитель

Uобр.m=2,09 U0

kп=0,25

3.1 Трехфазный однополупериодный выпрямитель

Слайд 71

3.2 Трехфазный двухполупериодный выпрямитель Uобр =1,05 U0 kп=0,057

3.2 Трехфазный двухполупериодный выпрямитель

Uобр =1,05 U0

kп=0,057

Слайд 72

УСИЛИТЕЛИ

УСИЛИТЕЛИ

Слайд 73

Слайд 74

УПТ - Усилители постоянного тока УЗЧ - Усилители звуковых частот

УПТ - Усилители постоянного тока
УЗЧ - Усилители звуковых частот
УВЧ – Усилители

высокой частоты
ШПУ – широкополосные усилители
УПУ – узкополосные усилители
Слайд 75

Каскады предварительного усиления – предназначены для согласования с источником усиливаемого сигнала и усиления сигнала по напряжению

Каскады предварительного усиления – предназначены для согласования с источником усиливаемого сигнала

и усиления сигнала по напряжению
Слайд 76

Выходные каскады – предназначены для получения требуемых тока или мощности сигнала в нагрузке

Выходные каскады – предназначены для получения требуемых тока или мощности сигнала

в нагрузке
Слайд 77

Основными элементами каскада являются Усилительный элемент УЭ (биполярный или полевой транзистор) Сопротивление R Источник питания Е

Основными элементами каскада являются

Усилительный элемент УЭ (биполярный или полевой транзистор)
Сопротивление R
Источник

питания Е
Слайд 78

Принцип усиления основывается на преобразовании энергии источника постоянного напряжения Е

Принцип усиления основывается на преобразовании энергии источника постоянного напряжения Е

в энергию переменного напряжения в выходной цепи за счет свойств УЭ по закону, задаваемому входным сигналом
Слайд 79

Слайд 80

Слайд 81

Основные элементы Источник питания Ек Управляемый элемент транзисторVT Резистор Rк

Основные элементы

Источник питания Ек
Управляемый элемент транзисторVT
Резистор Rк
Эти элементы образуют главную цепь

усилительного каскада.
Остальные элементы выполняют вспомогательную роль.
Слайд 82

Вспомогательные элементы Ср1, Ср2 – отсекают постоянную составляющую тока от

Вспомогательные элементы

Ср1, Ср2 – отсекают постоянную составляющую тока от входного и

выходного сигнала
R1,R2- обеспечивают устойчивый режим работы
Rэ- обепечивает температурную стабилизацию
Сэ – ослабляет влияние отрицательной обратной связи
Слайд 83

Слайд 84

Двухтактные усилители мощности

Двухтактные усилители мощности

Слайд 85

Слайд 86

Колебания звуковой частоты с предпоследнего каскада подаются на базы обоих

Колебания звуковой частоты с предпоследнего каскада подаются на базы обоих

транзисторов так, что напряжения на них изменяются в любой момент времени в противоположных направлениях, т.е. в противофазе.
При этом транзисторы работают поочередно, на два такта за каждый период подводимого к ним напряжения.
Слайд 87

Когда, например, на базе транзистора V1 отрицательная полуволна, он открывается

Когда, например, на базе транзистора V1 отрицательная полуволна, он открывается

и через секцию Iа первичной обмотки выходного трансформатора идет ток только этого транзистора (график б). В это время транзистор V2 закрыт
Слайд 88

В следующий полупериод, наоборот, положительная полуволна будет на базе транзистора

В следующий полупериод, наоборот, положительная полуволна будет на базе транзистора V1,

а отрицательная - на базе транзистора V2. Теперь открывается транзистор V2 и через секцию Iб первичной обмотки выходного трансформатора идет ток его коллектора (график в), а транзистор V1, закрываясь, «отдыхает».
Слайд 89

В обмотке трансформатора коллекторные токи обоих транзисторов суммируются (график г),

В обмотке трансформатора коллекторные токи обоих транзисторов суммируются (график г), в

результате на выходе усилителя получаются более мощные электрические колебания звуковой частоты, чем в обычном однотактном усилителе.
Слайд 90

Генераторы импульсов

Генераторы импульсов

Слайд 91

Под мультивибратором понимают генератор импульсов, который представляет собой двухкаскадный электронный

Под мультивибратором понимают генератор импульсов, который представляет собой двухкаскадный электронный

усилитель с резисторно-емкостной связью. Этот тип генератора отличается от других тем, что он одновременно генерирует множество синусоидальных колебаний. С этим связано и его название от латинских слов, multum — много, vibro — колеблю.
Мультивибраторы
Слайд 92

Мультивибратор в автоколебательном режиме

Мультивибратор в автоколебательном режиме

Слайд 93

Мультивибратор дает сигнал очень сложной формы, обычно похожий на прямоугольник.

Мультивибратор дает сигнал очень сложной формы, обычно похожий на прямоугольник.
Частота

колебаний мультивибратора зависит от величин емкостей конденсаторов и сопротивлений резисторов, входящих в цепи обратной связи.
Слайд 94

Из-за наличия конденсаторов мультивибратор не имеет устойчивых состояний и обеспечивает

Из-за наличия конденсаторов мультивибратор не имеет устойчивых состояний и обеспечивает

генерирование импульсов, имеющих форму, близкую к прямоугольной
Слайд 95

Графики, поясняющие работу мультивибратора автоколебательном режиме

Графики, поясняющие работу мультивибратора автоколебательном режиме

Слайд 96

Триггер (триггерная система) — класс электронных устройств, обладающих способностью длительно

Триггер (триггерная система) — класс электронных устройств, обладающих способностью длительно находиться

в одном из двух устойчивых состояний и чередовать их под воздействием внешних сигналов.
По характеру действия триггеры относятся к импульсным устройствам — их активные элементы (транзисторы, лампы) работают в ключевом режиме, а смена состояний длится очень короткое время.

Триггер

Слайд 97

Слайд 98

Отличительной особенностью триггера как функционального устройства является свойство запоминания двоичной

Отличительной особенностью триггера как функционального устройства является свойство запоминания двоичной информации.


Под памятью триггера подразумевают способность оставаться в одном из двух состояний и после прекращения действия переключающего сигнала. Приняв одно из состояний за «1», а другое за «0», можно считать, что триггер хранит (помнит) один разряд числа, записанного в двоичном коде.
Слайд 99

Генераторы колебаний

Генераторы колебаний

Слайд 100

LC – Автогенераторы

LC – Автогенераторы

Слайд 101

Трёхточечные схемы автогенераторов

Трёхточечные схемы автогенераторов

Слайд 102

LC - Автогенератор LC-генератор так называется, потому что в нём используется LC-контур.

LC - Автогенератор

LC-генератор так называется, потому что в нём используется LC-контур.


Слайд 103

Условие незатухания колебаний Баланс фаз Баланс амплитуд

Условие незатухания колебаний

Баланс фаз
Баланс амплитуд

Слайд 104

Элементы R1, R2, R3C3 обеспечивают необходимый режим по постоянному току

Элементы R1, R2, R3C3 обеспечивают необходимый режим по постоянному току усилительного

элемента и его термостабилизации.
Элементы L2C2 образуют параллельный колебательный контур.
Слайд 105

В момент включения питания в коллекторной цепи транзистора VT появляется

В момент включения питания в коллекторной цепи транзистора VT появляется коллекторный

ток, заряжающий емкость С2 контура L2C2.

В следующий момент времени заряженный конденсатор разряжается на катушку индуктивности. В контуре возникают свободные затухающие колебания частотой f0 = 1 / 2π√L2C2.

Слайд 106

Переменный ток контура, проходя через катушку L2 создает вокруг неё

Переменный ток контура, проходя через катушку L2 создает вокруг неё переменное

магнитное поле, а это поле в свою очередь наводит в катушке L1 переменное напряжение, которое вызывает пульсации тока коллектора транзистора VT. Переменная составляющая коллекторного тока восполняет потери энергии в контуре, создавая на нём усиленное переменное напряжение.
Слайд 107

RC генератор

RC генератор

Слайд 108

Схема с трехфазной фазирующей цепочкой или схема с реактивными элементами

Схема с трехфазной фазирующей цепочкой или схема с реактивными элементами одного

знака.

Из схемы видно, что усилитель, между выходом и входом которого включена цепь, которая переворачивает фазу сигнала на 180º.
Эта цепь называется фазовращающей. Фазовращающая цепочка состоит из элементов С1R1, C2R2, C3R3.

Слайд 109

С помощью одной цепочки из резистора и конденсатора можно получить

С помощью одной цепочки из резистора и конденсатора можно получить

сдвиг фаз не более чем на 90º. Реально же сдвиг получается близким к 60º. Поэтому для получения сдвига фазы на 180º приходится ставить три цепочки. С выхода последней RC-цепи сигнал подается на базу транзистора.
Имя файла: Электроника.-Элементная-база-электроники.pptx
Количество просмотров: 8
Количество скачиваний: 0