Классификация и обозначения полупроводниковых приборов презентация

Основные термины, определения и буквенные обозначения основных и справочных параметров полупроводниковых приборов приведены в следующих гостах:
25529-82 – Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров;
19095-73 – Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров;
20003-74 – Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров;
20332-84 – Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров.

Условные обозначения и классификация отечественных полупроводниковых приборов
В основу системы обозначения положен буквенно-цифровой код.
Первый элемент

Второй элемент

Третий элемент

Третий элемент

Третий элемент

Третий элемент

Третий элемент

Третий элемент

Четвертый элемент
Четвертый элемент (2 либо 3 цифры) означает порядковый номер технологической разработки и изменяется от 01 до 999.
Пятый элемент
Пятый элемент (буква) в буквенно-цифровом коде системы условных обозначений указывает разбраковку по отдельным параметрам приборов, изготовленных в единой технологии. Для обозначения используются заглавные буквы русского алфавита от А до Я, кроме З, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Я, схожих по написанию с цифрами.

Условные обозначения и классификация зарубежных полупроводниковых приборов
Система обозначений JEDEC
(Joint Electron Device Engineering Council)
Первый элемент
первая цифра соответствует числу p-n переходов: 1 – диод, 2 – транзистор, 3 – тетрод (тиристор).
Второй элемент
буква N и серийный номер, который регистрируется ассоциацией предприятий электронной промышленности (EIA).
Третий элемент
одна или несколько букв, указывают на разбивку приборов одного типа на типономиналы по различным характеристикам

Система Pro Electron
Первый элемент
Association International Pro Electron

Система Pro Electron
Второй элемент

Система Pro Electron
Третий элемент
Третий элемент (цифра или буква) обозначает в буквенно-цифровом коде полупроводниковые приборы, предназначенные для аппаратуры общегражданского применения (цифра) или для аппаратуры специального применения (буква).
Четвертый элемент
Четвертый элемент (2 цифры) означает порядковый номер технологической разработки и изменяется от 01 до 99.
Например, ВТХ10-200 - это кремниевый управляемый выпрямитель (тиристор) специального назначения с регистрационным номером 10 и напряжением 200 В.

Стандарт JIS-C-7012
Первый элемент
Electronic Industries Association of Japan

Стандарт JIS-C-7012
Второй элемент
обозначается буквой S и указывает на то, что данный прибор является полупроводниковым
Третий элемент

Стандарт JIS-C-7012
Третий элемент

Четвертый элемент
обозначает регистрационный номер технологической разработки и начинается с числа 11
Пятый элемент
отражает модификацию разработки (А и В – первая и вторая модификация).
Стандарт JIS-C-7012

ГОСТ 2.730-73 «Обозначения условные, графические в схемах. Приборы полупроводниковые»
Графические обозначения и стандарты

Биполярные транзисторы и их зарубежные аналоги в соответствии с маркировкой
(ОСТ 11.336.919-81 – Россия, JEDEC - США, Pro Electron - Европа, JIS-C-7012 – Япония)

Диоды и их зарубежные аналоги в соответствии с маркировкой
(ОСТ 11.336.919-81 – Россия, JEDEC - США, Pro Electron - Европа, JIS-C-7012 – Япония)

Стабилитроны и их зарубежные аналоги в соответствии с маркировкой
(ОСТ 11.336.919-81 – Россия, JEDEC - США, Pro Electron - Европа, JIS-C-7012 – Япония)

Обозначения основных параметров полупроводниковых приборов в соответствии с действующими стандартами
Диод выпрямительный
C – емкость диода.
CБ – барьерная емкость.
CD – диффузионная емкость.
Cп Cd – емкость перехода диода.
Cд Ctot – общая емкость диода.
Iэкр Iут ID – ток утечки.
Iпр IF – постоянный прямой ток.
Iобр IR – постоянный обратный ток.
If – прямой ток.
Ifsm – прямой ток перегрузки.
Ir - постоянный обратный ток.
К – коэффициент выпрямления.
Pмакс Pmax – максимально допустимая мощность.
rдиф Rd r – дифференциальное сопротивление.
rD – дифференциальное характеристическое сопротивление диода.
RD – дифференциальное сопротивление диода по постоянному току.
Uпр UF – постоянное прямое напряжение.
Uобр UR – постоянное обратное напряжение.
Ur – обратное напряжение.
Uf – постоянное прямое напряжение.
Uоткр Uост UT – остаточное напряжение.

Обозначения основных параметров полупроводниковых приборов в соответствии с действующими стандартами
Диод импульсный
If – прямой ток.
Ifm – импульсный прямой ток.
Pи.макс Pимп.макс PM макс – максимально допустимая импульсная мощность.
Trr – время обратного восстановления.
Ur – обратное напряжение.
Uf – прямое напряжение.
Варикап
Ctot – общая емкость.
Кс – коэффициент перекрытия по емкости.
Q – добротность варикапа.
Ur – обратное напряжение.
Тиристор
Uвкл – напряжение включения.
Uперекл – напряжение переключения.
α – суммарный коэффициент передачи тока первого и второго транзисторов.
Тринистор
Iупр – управляющий ток базы.
Стабилитрон
Iст IZ – ток стабилизации.
Р – рассеиваемая мощность.
Rдиф – дифференциальное сопротивление.
rст rZ – дифференциальное сопротивление стабилитрона.
Uстаб Uст Uz UZ – напряжение стабилизации.
Туннельный диод
Eпр – напряженность электрического поля пробоя.
Диод Ганна
Eпор – пороговая напряженность электрического поля.
P – генерируемая мощность.
W – длина образца.
Транзистор
P – мощность, рассеиваемая в приборе.
Pвых Pout – выходная мощность.
Uвх Uin, UBE – входное напряжение.
Тепловые параметры
Rthja – общее тепловое сопротивление диода или транзистора.
Rthjc – тепловое сопротивление переход – корпус транзистора.
Rthca – тепловое сопротивление корпус – окружающая среда.
КНИ Kf – коэффициент нелинейных искажений.

Обозначения основных параметров полупроводниковых приборов в соответствии с действующими стандартами
Биполярный транзистор
Eк EC – напряжение источника питания коллекторной цепи.
h11 – входное сопротивление при коротком замыкании на выходе.
h22 – выходная проводимость при холостом ходе во входной цепи.
h12 – коэффициент обратной связи при холостом ходе во входной цепи.
h21 – коэффициент передачи тока при коротком замыкании на выходе.
IК Iк IC – ток коллектора.
IБ Iб IB – ток базы.
IЭ Iэ IE – ток эмиттера.
IКБ0 Iк0 ICB0 – обратный ток коллектора.
IЭБ0 Iэ0 IEB0 – обратный ток эмиттера.
Wp-n – ширина обедненной области биполярного транзистора.
Rб RB – сопротивление в цепи базы.
rб – объемное сопротивление базы.
rб rbb – сопротивление базы.
rэ – сопротивление эмиттерного перехода.
rк – сопротивление коллекторного перехода.
Uкб UCB – напряжение между коллектором и базой.
Uкэ UCE – напряжение между коллектором и эмиттером.
Uэб UEB – напряжение между эмиттером и базой.
W – ширина базы биполярного транзистора.
y11, y22– входная и выходная проводимости.
y12, y21 – проводимости обратной и прямой передач.
z11, z22 – входное и выходное сопротивления.
z12, z21 – сопротивления обратной и прямой передач.
α – коэффициент передачи тока эмиттера.
β – коэффициент усиления.
μэк – коэффициент обратной связи эмиттер-коллектор.
γ – коэффициент инжекции, или эффективность эмиттера.
χ - коэффициент переноса.
η – коэффициент неоднородности базы.
Полевой транзистор
Сox – удельная емкость подзатворного диэлектрика.
Iс ID – ток стока.
Iз IG – ток затвора.
IDS – ток канала исток-сток.
R0 – омическое сопротивление.
Ri – внутреннее сопротивление.
S – крутизна характеристики.
Uзи UGS – напряжение затвор – исток.
Uси UDS – напряжение исток – сток.
Uзс UDG – напряжение сток – затвор.
UЗИ пор Uпор UGS (th) VT – пороговое напряжение.
UЗИ отс Uотс UGS (off) – напряжение отсечки.
Vox – падение напряжения на окисном слое.
VТ - пороговое напряжение.
VSS – напряжение, приложенное к подложке.
μ – коэффициент усиления.