Содержание
- 2. Информация ИНФОРМАЦИЯ Передача Хранение Обработка Память
- 3. Характеристики памяти Общие характеристики Объем [bit] Быстродействие Энергозависимость Стоимость Плотность [bit/sm3] или [bit/sm2] Время доступа на
- 4. Идеальная (универсальная) память Объем Быстродействие Энергонезависимость Стоимость При современных технологиях либо одно, либо другое
- 5. Полупроводниковая память Быстродействие Энергонезависимость ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ПАМЯТЬ или или
- 6. Структура памяти Ячейки памяти Memory Cell Контроль доступа Access Control Произвольный доступ Random Access (RAM) Последовательный
- 7. Структура памяти с произвольным доступом Ячейка памяти Memory Cell
- 8. Структура памяти с произвольным доступом Ячейка памяти Memory Cell Шина адреса Линия данных Шина управления
- 9. Структура памяти с произвольным доступом Data Bus (M bit)
- 10. Шина управления Control Bus Операции с памятью Запись Чтение Хранение -CS (Chip Select) Разрешение работы
- 11. RS триггер - простейшая запоминающая ячейка КМОП инвертор Ячейки памяти SRAM P-MOS N-MOS SRAM Memory Cell
- 12. 6-и транзисторная ячейка статической памяти SRAM Ключи доступа RS триггер Ячейки памяти SRAM
- 13. 4-х транзисторная ячейка статической памяти SRAM Ячейки памяти SRAM Ключи доступа RS триггер
- 14. Матричная организация ячеек памяти с произвольным доступом SRAM
- 15. SRAM Асинхронная Синхронная SRAM
- 16. Сигналы управления: -CS (Crystal Select) – выбор микросхемы. -WE (Write Enable) – разрешение записи. -OE (Output
- 17. Сигналы управления: -CS (Crystal Select) – выбор микросхемы. -WE (Write Enable) – разрешение записи. -OE (Output
- 18. Features Fast access time: 7, 8, 10, 12 ns CMOS low power operation: 135/120/95/85 mA at
- 19. ПРИМЕР: 4Mb асинхронная SRAM GS74108 с организацией 512Кх8. Временные диаграммы. Чтение. Сигналы управления в состоянии чтения.
- 20. ПРИМЕР: 4Mb асинхронная SRAM GS74108 с организацией 512Кх8. Временные диаграммы. Запись. Режим Intel или 86. Моргает
- 21. ПРИМЕР: 4Mb асинхронная SRAM GS74108 с организацией 512Кх8. Временные диаграммы. Запись. Вопрос: Почему нельзя использовать режим
- 22. Регистры для защелкивания адресов и сигналов управления На шину данных тоже ставятся регистры. Возможно два варианта.
- 23. Flow-through (F/T) Synchronous SRAM Синхронная SRAM
- 24. Pipelined (P/L) Synchronous SRAM Синхронная SRAM
- 25. BURST SRAM Синхронная SRAM
- 26. Ограничения SRAM Большая ячейка памяти: 6 транзисторов. Мало ячеек на кристалле. Большая цена кристалла. Большое количество
- 27. Ячейка DRAM Ячейка динамической памяти: Достоинство – простота Недостаток – время хранения заряда на конденсаторе менее
- 28. Ячейка DRAM: проблема чтения Как почувствовать заряд заряжена ли емкость в ячейке памяти?
- 29. Ячейка DRAM: проблема чтения Аналогия с неустойчивым равновесием Куда упадет? 0 1 Два устойчивых состояния
- 30. Ячейка DRAM: проблема чтения Аналогия с неустойчивым равновесием Очень маленькое воздействие приносит определенность 0 1 Два
- 31. Ячейка DRAM: проблема чтения Аналогия с неустойчивым равновесием 0 1 0 1
- 32. Схема чтения-регенерации DRAM Усилитель регенерации SA При выборе строки происходит регенерация всех ячеек, подключенных к выбранной
- 33. Матрица DRAM Необходимо уменьшить количество выводов Pre-charge Memory Cell Усилитель считывания, регенератор
- 34. Интерфейс DRAM Мультиплексирование адресов строки и колонки 20 адресных линий обеспечивают доступ к 64G ячейкам DRAM!
- 35. Режимы доступа DRAM Нормальный режим. Доступ по произвольному адресу. Normal Mode Для передачи полного адреса требуется
- 36. Режимы доступа DRAM Режим быстрого доступа внутри строки. Fast Page Mode. Вначале полный доступ по произвольному
- 37. Режимы доступа DRAM Режим последовательного доступа внутри строки. Nibble Mode. Счетчик с параллельной загрузкой
- 38. Режимы доступа DRAM Режим последовательного доступа внутри строки. Nibble Mode. Вначале полный доступ по произвольному адресу.
- 39. Режимы доступа DRAM EDO Page Mode. Enhanced Data Out. Выходная шина используется полностью. Выборка из выходного
- 40. Основные способы регенерации DRAM
- 41. SDRAM
- 43. Скачать презентацию