Содержание
- 2. Уравнения непрерывности
- 3. ПРИНЯТЫЕ ДОПУЩЕНИЯ ПРИ РАСЧЁТЕ ВАХ Модель электронно-дырочного перехода одномерная; p- и n-области имеют бесконечную протяженность. Переход
- 4. Но в квазинейтральной области напряженность внешнего электрического поля равна нулю! Таким образом, плотность тока в n-области
- 5. Концентрация неравновесных дырок на границе ОПЗ при x=Wn равна: При x=Wn:
- 6. Окончательно закон изменения концентрации неравновесных дырок в n-области при x>Wn принимает вид:
- 7. На границе ОПЗ при x=Wn, получим:
- 8. Аналогично для p-области при x
- 9. Решение уравнения для ВАХ
- 10. ВАХ тонкого pn-перехода описывается уравнением: известным как формула Шокли. где
- 11. Распределение носителей в p-n переходе
- 13. Расчет для кремниевого p-n-перехода cм-3 cм-3 При прямом смещении: Пусть , тогда cм-3 и равна cм-3
- 14. Уже при т.е. граничные концентрации составляют 5% от исходных. и При обратном смещении:
- 15. см2/с см А/см2 А/см2 см2/с см А/см2 А/см2
- 16. ВАХ p-n-перехода
- 17. Оценим, насколько справедливо в нашем примере предположение, что напряжение смещения приложено только к pn-переходу. Для полученного
- 18. Прямое смещение p-n-перехода
- 19. Обратное смещение p-n-перехода
- 21. Влияние различных факторов на ВАХ pn-перехода
- 22. Влияние температуры на ВАХ
- 23. ВАХ кремниевого и германиевого диодов
- 24. Влияние генерации-рекомбинации на ВАХ
- 25. – прямое смещение pn-перехода: – обратное смещение pn-перехода:
- 26. Емкостные свойства pn-перехода
- 27. К расчету емкости p-n-перехода При нулевом смещении на рп-переходе: При обратном смещении:
- 28. Из формулы для плоского конденсатора: При Na>>Nd:
- 29. Барьерная емкость диода Для ступенчатого pn-перехода с площадью S:
- 30. Емкость pn-перехода может изменяться в значительных пределах, что позволило использовать это свойство в варикапах. Варикап –
- 31. Диффузионная емкость pn-перехода где Q – инжектированный заряд. Полная емкость pn-перехода равна сумме барьерной и диффузионной
- 32. Пробой p-n-перехода
- 33. Обратная ВАХ при различных видах пробоя
- 34. Схема, иллюстрирующая лавинный пробой
- 35. Лавинный пробой
- 36. Коэффициент лавинного умножения M, определяемый как количество актов лавинного умножения в области сильного электрического поля, для
- 37. Напряжение лавинного пробоя зависит от степени легирования p- и n-областей. Так, например для резкого кремниевого p-n-перехода
- 38. Зависимость напряжения лавинного пробоя от концентрации примеси в низколегированной области для резкого pn-перехода
- 39. Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя определяется уменьшением длины свободного пробега носителей заряда с увеличением температуры. При
- 40. Туннельный пробой pn-перехода
- 41. Зонная диаграмма сильнолегированного p-n-перехода при обратном смещении
- 42. Чтобы этот эффект имел место, электрическое поле должно быть настолько сильным, чтобы обеспечить такой наклон зон,
- 43. Напряжение туннельного пробоя сравнительно слабо зависит от температуры. Однако с ростом температуры ширина запрещенной зоны германия
- 44. Тепловой пробой pn-перехода При увеличении обратного напряжения увеличивается мощность, рассеиваемая в переходе в виде тепла, поэтому
- 45. Влияние сопротивления базы на ВАХ
- 46. Прямая ВАХ в полулогарифмическом масштабе
- 47. Толщина базы , в свою очередь, влияет на закон распределения инжектированных носителей и диффузионных токов. Экспоненциальное
- 48. Характеристическое сопротивление диода Различают два вида характеристического сопротивления диодов: дифференциальное сопротивление rd и сопротивление по постоянному
- 49. Определяется как отношение приложенного напряжения к протекающему току через диод: На прямой ВАХ сопротивление RD >rd,
- 50. Переходные процессы в полупроводниковых диодах При быстрых изменениях напряжения на полупроводниковом диоде значение тока через диод,
- 51. С течением времени концентрация неравновесных носителей будет убывать, следовательно, будет убывать и обратный ток. За время
- 52. Координатные зависимости p(x,t) в различные моменты времени
- 53. Обратный ток обусловлен только диффузией дырок к границе ОПЗ p-n-перехода:
- 54. Зависимость обратного тока при переключении диода t=0, τср = τр/2
- 55. Полупроводниковые диоды В данном разделе будут рассмотрены следующие типы полупроводниковых диодов: выпрямительные диоды на основе pn-перехода
- 56. Выпрямительные диоды Основная задача выпрямительного диода – выпрямление переменного (в частности синусоидального) тока, то есть выделение
- 57. ВАХ идеализированного выпрямляющего устройства
- 58. ВАХ реального pn-перехода
- 59. Выпрямительный, или силовой, диод – прибор, предназначенный для выпрямления переменного тока. Их применяют в цепях управления
- 60. Графики напряжения и выпрямленного тока (а). простейшая выпрямительная схема (б)
- 61. Качественное сравнение ВАХ германиевого и кремниевого диода (масштабы прямого и обратного токов различны)
- 62. При повышении температуры изменяются практически все электрофизические свойства полупроводников, поэтому изменяются и параметры полупроводниковых приборов, в
- 63. Изменение температуры диода может произойти не только вследствие изменения температуры окружающей среды, но и за счет
- 64. Снижение влияния температуры добиваются путем введения специальных конструктивных элементов корпусов – радиаторов
- 66. Стабилитроны Стабилитрон (опорный диод) – полупроводниковый диод, предназначенный для стабилизации напряжения. Стабилитроны используют также в качестве
- 67. ВАХ стабилитрона
- 68. Основными характеристиками стабилитрона являются ток Iст и напряжение Uст стабилизации, дифференциальное напряжение стабилитрона rд и температурная
- 70. В режиме короткого замыкания ( ) Нестабильность выходного напряжения вызывается двумя основными причинами: нестабильностью входного напряжения
- 72. Туннельные диоды Туннельный диод был предложен в 1958 году Лео Исаки, который в 1973 году получил
- 73. Энергетические диаграммы сильно- легированных полупроводников
- 76. ВАХ туннельного диода EC EC EV EV Fp Fn
- 77. ВАХ туннельного диода EC EC EV EV Fp Fn
- 78. ВАХ туннельного диода Fn Fp EC EC EV EV
- 79. ВАХ туннельного диода EC EC EV EV Fp Fn
- 80. ВАХ туннельного диода Fp Fn EC EC EV EV
- 81. Обращенный диод EV EV EV EV EV EV EC EC EC EC Fp Fp Fp Fn
- 82. Расчет ВАХ барьера Шоттки
- 83. Расчет ВАХ барьера Шоттки При приложении напряжения: где - Постоянная Ричардсона
- 84. ВАХ диода Шоттки
- 85. Диод Шоттки
- 87. Скачать презентацию