Содержание
- 2. Диэлектрические потери, характеризующие превращение части электрической энергии в тепловую энергию, являются важным элек- трофизическим параметром диэлектрика.
- 3. Тангенс угла диэлектрических потерь Наиболее часто величина диэлектрических потерь характеризуется тангенсом угла потерь tgδ. Используется также
- 4. Так же как и величина ε, tgδ является макроскопической характе- ристикой диэлектрика. Зависимость тангенса угла диэлектрических
- 5. Природа поглощения электромагнитной энергии в диэлектрике могут быть различными (рис. 5.3). Наиболее простым механизмом потерь является
- 7. Специфическим механизмом потерь в диэлектриках являются по- ляризационные потери, так как поляризация диэлектрика в пере- менном
- 8. Потери на электропроводность – рассеяние носителей заряда При направленном перемещении электрических зарядов во внеш- нем электрическом
- 9. В данном случае все перечисленные параметры зависят только от плотности протекающего через диэлектрик активного тока. Со-
- 10. Частотные характеристики рассмотренных параметров приведе- ны на рис. 5.4, а. Диэлектрическая проницаемость, определяемая (в том случае,
- 11. Диэлектрические потери при тепловой поляризации Тепловая поляризация по сути дела сводится к электродиффузии, при которой заряды
- 12. Поэтому именно тепловая поляризация приводит к нежелатель- ным диэлектрическим потерям в большинстве случаев технического использования диэлектриков.
- 13. Из формулы для удельной мощности диэлектрических потерь р при релаксационной поляризации следует, что при низких частотах,
- 14. Диэлектрические потери при упругой поляризации Когда электрическое поле упруго смещает электроны в атоме, ионы в кристалле
- 16. В величину tgδ дают вклад различные процессы рассеяния; учет этих вкладов важен при исследовании и разработке
- 17. Перечисленные дефекты и другие малоподвижные («статические») деформации решетки приводят к так называемому двухфононному взаимодействию − рассеянию
- 18. Сверхвысокочастотные (СВЧ ) диэлектрики Во многих случаях необходимы «радиопрозрачные» материалы с очень низкими потерями и, как
- 19. Поскольку электромагнитные волны могут распространяться только в диэлектриках, применению диэлектрических материалов с самого начала развития техники
- 20. Для современной микроэлектроники СВ Ч особенное значение представляют материалы с высокой диэлектрической проницаемо- стью, как правило,
- 21. Линейные термостабильные диэлектрики – основной класс при- меняемых в настоящее время СВ Ч диэлектриков с большой
- 23. Поскольку внешняя термостабилизация для СВ Ч устройств обыч- но нежелательна, то параметры применяемого диэлектрика не долж-
- 24. Поглощающие материалы («абсорберы») также являются объ- ектом современных исследований. Для них необходимой характери- стикой является именно
- 25. Требование СВ Ч техники сочетать в одном и том же диэлектри- ческом материале большую диэлектрическую проницаемость
- 26. Как было показано выше в главе 3, такими механизмами поля- ризации могут быть только оптическая (электронная)
- 27. На рис. 10.2 сравниваются «диэлектрические вклады» различ- ных механизмов поляризации. Оптическая поляризация обуслов- лена упругим смещением
- 28. Фононный (инфракрасный) механизм поляризации возможен только в ионных кристаллах. К ним относят, например, щелочно- галоидные кристаллы,
- 29. Это же относится и к простым оксидам, и к халькогенидам: в них значения εСВ Ч редко
- 30. Наиболее высокая величина εСВ Ч имеет место в сегнетоэлектриках, параэлектриках и антисегнетоэлектриках типа смещения. В приведенных
- 31. СВ Ч дисперсия ε в титанате бария показана на рис. 10.1. Диэлектрическая проницаемость на СВ Ч
- 32. Тем не менее, в монодоменных кристаллах «жестких» сегнетоэ- лектриков типа смещения (сегнетоэлектриков высокой точкой Кюри) дисперсия
- 34. Скачать презентацию