Слайд 2
![Мотивация исследований Возрастающий интерес к нитридам III группы, которые за](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/376133/slide-1.jpg)
Мотивация исследований
Возрастающий интерес к нитридам III группы, которые за счет своей
прямозонности и ширины запрещенной способны эффективно работать в диапазоне от инфракрасной до ультрафиолетовой области. В частности нитрид индия, имея ширину запрещенной зоны 0.6 эВ, является перспективным для создания излучателя, работающего в телевизионных оптических линиях связи, а также инфракрасных детекторов и лазеров.
На данный момент технология роста чистого нитрида индия находиться в развитии. Самые хорошие образцы имеют концентрацию свободных носителей порядка 1017см-3 и являются вырожденными. Это создает проблему в изучении его фотоэлектрических свойств.
Большинство данных об его оптических и фотовольтаических свойствах и теорий об структуре образцов противоречивы.
Слайд 3
![Содержание 1. История получения нитрида индия 2. Кристаллическая структура InN](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/376133/slide-2.jpg)
Содержание
1. История получения нитрида индия
2. Кристаллическая структура InN
3. Подложки и буферы
4.
Зонная структура
5. Спектры поглощения, ФЛ и ФП.
Слайд 4
![1.История получения Первая попытка синтеза InN: Juza и Hahn в](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/376133/slide-3.jpg)
1.История получения
Первая попытка синтеза InN: Juza и Hahn в 1938 году.
Порошок InN из InF6(NH4)3
Самый ранний успех в росте InN с хорошими электрическими свойствами: Hovel и Cuomo в 1972. Пленки поликристаллического n-InN на сапфировых подложках. Метод реактивного высокочастотного распыления. Концентрация свободных носителей (5-8)*1018см-3 подвижность 250 ± 50 см2/(В·с).
Трейнор и Роуз сообщили, что InN прямозонный полупроводник с шириной запрещенной зоны 1,7 эВ.
Слайд 5
![1.История получения Рост толстых пленок InN с гораздо более низкой](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/376133/slide-4.jpg)
1.История получения
Рост толстых пленок InN с гораздо более низкой концентрацией свободных
электронов (< 1018см-3) и высокой подвижности электронов (>2000см2/(В·с)) имеет важное значение для прогресса в понимании свойств этого материала. При комнатной температуре фундаментальная запрещенная зона этого типа высококачественного InN измерялась около 1,5 и 1,1 эВ, 0,9 эВ, 0,77 эВ, 0,7-1,0 эВ, 0,7 эВ и, наконец, измерения пришли к 0,64.
Сейчас пленки InN более высокого качества выращиваются с помощью методов MBE и MOCVD.
Слайд 6
![2. Структура типа вюрцита В обычных условиях нитриды III группы](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/376133/slide-5.jpg)
2. Структура типа вюрцита
В обычных условиях нитриды III группы кристаллизуются в
термодинамически стабильной гексагональной фазе вюрцита.
a=0.3533 нм; c=0.5693 нм
Слайд 7
![2. Структура типа цинковой обманки Также сообщалось о выращивание InN](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/376133/slide-6.jpg)
2. Структура типа цинковой обманки
Также сообщалось о выращивание InN c кубической
структурой цинковой обманки методом MBE.
a=0.498 нм
Слайд 8
![Сравнение вюрцита и сфалерита Взаиморасположение атомов в вюрците (а) и цинковой обманке (б).](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/376133/slide-7.jpg)
Сравнение вюрцита и сфалерита
Взаиморасположение атомов в вюрците (а) и цинковой
обманке (б).
Слайд 9
![3. Подложки и буферы.](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/376133/slide-8.jpg)
Слайд 10
![4. Зонная структура](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/376133/slide-9.jpg)
Слайд 11
![4. Зонная структура](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/376133/slide-10.jpg)
Слайд 12
![5. Коэффициент поглощения](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/376133/slide-11.jpg)
5. Коэффициент поглощения
Слайд 13
![5. Спектры фотовозбуждения InN.](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/376133/slide-12.jpg)
5. Спектры фотовозбуждения InN.
Слайд 14
![Обработка спектров фотовозбуждения InN.](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/376133/slide-13.jpg)
Обработка спектров фотовозбуждения InN.
Слайд 15
![Спасибо за внимание.](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/376133/slide-14.jpg)
Слайд 16
![Список литературы Junqiao Wu. When group-III nitrides go infrared: New](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/376133/slide-15.jpg)
Список литературы
Junqiao Wu. When group-III nitrides go infrared: New properties and
perspectives. J. Appl. Phys. 106, 011101 (2009)
Ashraful Ghani Bhuiyan, Akihiro Hashimoto, and Akio Yamamoto. Indium nitride (InN): A review on growth, characterization, and properties. J. Appl. Phys. 94, 2779 (2003)
В.Ю.Давыдов, А.А.Клочихин, ФТП 38, 897 (2004)
Слайд 17
![Схема измерения спектров и кинетики фотопроводимости](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/376133/slide-16.jpg)
Схема измерения спектров и кинетики фотопроводимости
Слайд 18
![Кинетика фотопроводимости InN T=294 K ~20 нс](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/376133/slide-17.jpg)
Кинетика фотопроводимости InN
T=294 K
~20 нс
Слайд 19
![Схема измерения кинетики фотолюминесценции InN методом “up-conversion” PL, a.u.](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/376133/slide-18.jpg)
Схема измерения кинетики фотолюминесценции InN
методом “up-conversion”
PL, a.u.
Слайд 20
![Кинетика фотолюминесценции.](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/376133/slide-19.jpg)
Кинетика фотолюминесценции.
Слайд 21
![Спектр и время релаксации фотолюминесценции. σ=e*n*τ/me Δσ=e*Δn*τ/me Δσ/σ=ΔR/R](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/376133/slide-20.jpg)
Спектр и время релаксации фотолюминесценции.
σ=e*n*τ/me
Δσ=e*Δn*τ/me
Δσ/σ=ΔR/R