Слайд 2Определение:
Внутренний фотоэффект - это перераспределение электронов по энергетическим уровням в диэлектриках и полупроводниках
под действием света.
Слайд 3Внутренний фотоэффект приводит:
А) В чистых полупроводниках(германий(Ge), кремний(Si), Серое олово — α-Sn) к увеличению проводимости
за счет увеличения концентрации носителей заряда(явление фотопроводимости, оно же - фоторезестивный эффект);
Б) В неоднородных полупроводниках (Карбид кремния – SiC, Кремний-германий — SiGe, Индий-Галлий фосфид InGaP и другие) наряду с изменением проводимости наблюдается также образование разности потенциалов (фото – э.д.с.).
Слайд 6Внутренний фотоэффект был впервые зафиксирован в 1873 году американцем Уильямом Смитом и англичанином
Дж. Мейем.
Слайд 8Фотосопротивления обладают чувствительностью (отношение разности токов в темноте и на свету к величине
светового потока) в сотни и тысячи раз большей, чем фотоэлементы с внешним фотоэффектом.