Содержание
- 2. Полупроводниковые приборы Содержание Общие сведения Электропроводность полупроводников Проводимости полупроводников Примеси полупроводников P-N-переход Работа P-N –перехода Прямое
- 3. Электроника как наука возникла в начале 20 века. Первоначально появилась вакуумная электроника, на основе которой были
- 4. Для изготовления полупроводниковых (п/п) приборов используют: 1) простые п/п материалы: германий, кремний, селен; 2) сложные п/п
- 5. Согласно зонной теории Паули электроны атомов размещаются на уровнях, соответствующих энергий. При взаимодействии атомов между собой
- 6. Собственные полупроводники имеют кристаллическую структуру. В такой решетке каждый атом взаимно связан с четырьмя соседними атомами
- 7. При повышении температуры или при облучении полупроводника лучистой энергией валентный электрон может выйти из ковалентной связи
- 9. Полупроводниками называются материалы, занимающие промежуточное положение между проводниками и диэлектриками. Особенностью металлических проводников является наличие свободных
- 10. Донорная примесь: фосфор, сурьма, мышьяк Эта примесь увеличивает электронную проводимость (n-проводимость) и называется донорной. Акцепторная примесь:
- 12. Модель p-n – перехода (а), график концентрации основных носителей (б) и график потенциала поля (в) Едиф
- 13. pn переход это тонкая область, которая образуется в том месте, где контактируют два полупроводника разного типа
- 14. Модель P-N – перехода при прямом включении (а) и график распределения потенциала (б) ∆φ2 = ∆φ0
- 15. Если к pn переходу подключить внешнюю разность потенциалов в прямом направлении, то есть к области p
- 17. Модель P-N- перехода при обратном включении (а) и график распределения потенциала поля (б) ∆φ1 = ∆ϕ0
- 18. Если разность потенциалов приложить в обратном направлении, то есть к области p низкий потенциал, а к
- 19. P-N- переход
- 20. График зависимости емкости P-N – перехода от приложенного напряжения Вольт-амперная характеристика P-N - перехода В Таким
- 21. Полупроводниковые резисторы и диоды Содержание 1. Классификация и графические обозначения полупроводниковых приборов 2. Историческая справка 3.
- 22. Полупроводниковые резисторы Полупроводниковым резистором называют полупроводниковый прибор с двумя выводами, в котором используется зависимость электронного сопротивления
- 23. Варистор Коэффициент нелинейности α = 2…6 Применение: ограничение и стабилизация напряжения Вольт-амперная характеристика варистора
- 24. Терморезисторы Температурный коэффициент сопротивления: термисторы –α = - 0,3…-0,66 позисторы α = 10…50. Применение: системы регулирования
- 25. Фоторезисторы Фоторезистор – это полупроводниковый резистор, сопротивление которого зависит от светового потока, падающего на полупроводниковый материал
- 26. Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов
- 27. Историческая справка
- 29. Основные параметры диодов: – максимально допустимый средний прямой ток; – максимальный обратный ток; – падение напряжения
- 30. . Диод — двухэлектродный электронный прибор, обладает различной проводимостью в зависимости от направления электрического тока. Электрод
- 31. Полупроводниковый стабилитрон работает в области электрического пробоя. Служит для стабилизации напряжения. Это кремниевый диод, работающий при
- 32. Туннельный диод — полупроводниковый диод на основе вырожденного полупроводника, в котором туннельный эффект приводит к появлению
- 33. Варикап — полупроводниковый диод, в котором используется зависимость ёмкости p-n-перехода от обратного напряжения и который предназначен
- 34. Светодиод (СИД) — это полупроводниковый прибор, преобразующий электрический ток непосредственно в световое излучение. Его принцип работы
- 35. ФОТОДИОД - полупроводниковый диод, обладающий свойством односторонней фотопроводимости при воздействии на него оптического излучения. Ф. представляет
- 36. Оптоэлектронные приборы Сочетание излучательного диода с фотоприемником, например, фотодиодом, позволяет создать разнообразные по функциональному назначению оптоэлектронные
- 37. Оптроны + - - - + U Rн
- 38. Транзисторы Транзистор (от англ. Transfer - переносить и Resistor - резистор), полупроводниковый прибор, использующийся для усиления,
- 39. Исследователи из фирмы «Белл телефон лабораторис», Джон Бардин. Уильям Шокли и Уолтер Браттейн (слева направо), были
- 40. Инжекция из эмиттера в базу; 2. Диффузия через базу; 3. Рекомбинация в базе 4.Экстракция из базы
- 41. Э – эмиттер, Б – база, К - коллектор, W – толщина базы, ЭП – эмиттерный
- 42. a = dIk/dIэ при UкБ=const a=0,9-0,995 Iк = Iко + Iэ IБ =Iэ - Iк =
- 44. Недостатки схемы: - схема не усиливает ток α Достоинства: хорошие температурные и частотные свойства α =
- 45. Недостатки схемы: худшие, чем у схемы с общей базой, температурные и частотные свойства Достоинства: - большой
- 46. Недостатки схемы: схема не усиливает напряжение Достоинства: большое входное сопротивление и сравнительно низкое выходное сопротивление Схема
- 47. Выходные статические характеристики Входные статические характеристики ΔUкэ Характеристики и параметры БТ, включенного по схеме с ОЭ
- 48. h11=ΔUБЭ/ΔIБ (при Uкэ = const) Участок СВ: ΔIб = ΔIб΄– ΔIб΄΄; ΔUбэ = ΔUб h11 -
- 49. Схема включения транзистора в активном режиме работы Биполярный транзистор может работать в трех режимах: отсечки (I),
- 50. 1 - в схемах переключения, 2 - выходных каскадах УНЧ, 3 - преобразователях и стабилизаторах постоянного
- 51. Первый полевой транзистор был создан в 1952 году В.Шокли. Полевым транзистором называют электропреобразовательный прибор, в котором
- 52. Iс Uзи Структура (а), переходная характеристика (в) и выходная характеристика полевого транзистора с управляющим р-n –
- 53. Однако эти транзисторы уступают биполярным по уровню выходной мощности.
- 54. Основные параметры: Крутизна (определяется по переходной характеристике) S = ΔIс/ ΔUзи при Uси = const Дифференциальное
- 55. Тиристор – п/п прибор с тремя и более р-n переходами, вольт-амперная характеристика (ВАХ)которого имеет участок с
- 56. На ВАХ тиристора можно выделить: 1 2 3 4 5 Структура (а) и статические вольт-амперные характеристики
- 57. Режим 1 – (0-а) - режим прямого запирания - напряжение на аноде положительно относительно катода, ток
- 59. Скачать презентацию