Слайд 2
![Граница между двумя полупроводниками с различными типами электропроводности называется электронно](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-1.jpg)
Граница между двумя полупроводниками с различными типами электропроводности называется электронно –
дырочным переходом или p – n – переходом
Слайд 3
![](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-2.jpg)
Слайд 4
![Так как в области полупроводника n-типа концентрация электронов больше, то](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-3.jpg)
Так как в области полупроводника n-типа концентрация электронов больше, то они
начинают диффундировать (переходить) в область полупроводника p –типа. Поскольку в области полупроводника p – типа концентрация дырок больше, то они начнут диффундировать в область n – типа.
Слайд 5
![Электроны, расположенные в приконтактной области, диффундируя в p – область,](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-4.jpg)
Электроны, расположенные в приконтактной области, диффундируя в p – область, оставят
на границе раздела положительные ионы донорной примеси. Дырки, р области, диффундируя в n – область, оставят на границе раздела отрицательные ионы акцепторной примеси.
Слайд 6
![В результате около границы раздела с двух сторон образуются слои](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-5.jpg)
В результате около границы раздела с двух сторон образуются слои с
неподвижными объѐмными зарядами противоположных знаков. Эта область полупроводника представляет собой слой, обеднѐнный носителями заряда. В нѐм нет ни электронов, ни дырок, поэтому он обладает большим сопротивлением. Это приводит к образованию электрического поля напряжѐнностью Е.
Слайд 7
![Поле препятствует дальнейшему перемещению носителей заряда в противоположные области. Поскольку](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-6.jpg)
Поле препятствует дальнейшему перемещению носителей заряда в противоположные области. Поскольку обеднѐнный
слой обладает незначительной электропроводностью, то его называют запирающим слоем.
Слайд 8
![Действие электрического поля проявляется в том, что через p –](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-7.jpg)
Действие электрического поля проявляется в том, что через p – n
– переход могут перемещаться (дрейфовать) только неосновные носители заряда. Двойной электрический слой в области p – n –перехода обуславливает контактную разность потенциалов, называемую потенциальным барьером.
Слайд 9
![Данная картина будет наблюдаться до тех пор, пока к p](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-8.jpg)
Данная картина будет наблюдаться до тех пор, пока к p –
n – переходу не приложено внешнее напряжение.
Слайд 10
![При внесении внешнего электрического поля в зависимости от полярности внешнего](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-9.jpg)
При внесении внешнего электрического поля в зависимости от полярности внешнего источника
напряжения различают включение в прямом и в обратном направлении.
Слайд 11
![Включение в прямом направлении](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-10.jpg)
Включение в прямом направлении
Слайд 12
![](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-11.jpg)
Слайд 13
![Если к p –области подключить плюс, а к n- области](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-12.jpg)
Если к p –области подключить плюс, а к n- области минус
источника внешнего напряжения , то действие сил поля, созданного внешним источником будет противоположно направлению сил внутреннего поля, поэтому внутреннее поле ослабляется, основные носители заряда свободно проходят через p – n – переход.
Слайд 14
![В результате p – n – переход пополняется основными носителями](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-13.jpg)
В результате p – n – переход пополняется основными носителями заряда,
ширина обеднѐнного слоя уменьшается, сопротивление его падает. Величина потенциального барьера будет равна разности напряжений
перехода и внешнего источника
(Uпер - Uвн)
Слайд 15
![Диффузионный ток резко возрастает. Такое включение называется включением в прямом](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-14.jpg)
Диффузионный ток резко возрастает. Такое включение называется включением в прямом направлении,
а ток через p – n –переход прямым
Слайд 16
![Включение в обратном направлении.](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-15.jpg)
Включение в обратном направлении.
Слайд 17
![](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-16.jpg)
Слайд 18
![](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-17.jpg)
Слайд 19
![Если к p –области подключить минус, а к n- области](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-18.jpg)
Если к p –области подключить минус, а к n- области плюс
источника внешнего напряжения , то действие сил поля, созданного внешним источником будет того же направления, что и действие сил внутреннего поля, поэтому внутреннее поле усиливается, основные носители заряда не смогут свободно проходить через p – n – переход
Слайд 20
![Основные носители заряда будут оттягиваться от границы раздела к краям](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-19.jpg)
Основные носители заряда будут оттягиваться от границы раздела к краям областей.
В результате ширина обеднѐнного слоя увеличивается, сопротивление его растѐт. Величина потенциального барьера будет равна сумме напряжений перехода и внешнего источника
Uпер + Uвн
Слайд 21
![Диффузионный ток резко уменьшается, ток через p –n –переход определяется](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-20.jpg)
Диффузионный ток резко уменьшается, ток через p –n –переход определяется неосновными
носителями заряда. Концентрация неосновных носителей в десятки тысяч раз меньше чем основных, то ток оказывается очень малым. Такое включение называется включением в обратном направлении, а ток через p – n –переход обратным
Слайд 22
![Работа всех полупроводниковых приборов основывается на использовании явлений на границе полупроводников с различными типами проводимости](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-21.jpg)
Работа всех полупроводниковых приборов основывается на использовании явлений на границе полупроводников
с различными типами проводимости
Слайд 23
![Если на p-n переход подавать переменное напряжение, то ёмкостное сопротивление](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-22.jpg)
Если на p-n переход подавать переменное напряжение, то ёмкостное сопротивление p-n
перехода будет уменьшаться с увеличением частоты. Чем меньше величина ёмкости p-n перехода, тем на более высоких частотах он может работать.
Слайд 24
![На частотные свойства основное влияние оказывает барьерная ёмкость, т. к.](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-23.jpg)
На частотные свойства основное влияние оказывает барьерная ёмкость, т. к. диффузионная
ёмкость имеет место при прямом включении, когда внутреннее сопротивление p-n перехода мало.
Слайд 25
![Явление сильного увеличения обратного тока при определённом обратном напряжении называется](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-24.jpg)
Явление сильного увеличения обратного тока при определённом обратном напряжении называется электрическим
пробоем p-n перехода. Электрический пробой – это обратимый пробой, т. е. при уменьшении обратного напряжения p-n переход восстанавливает свойство односторонней проводимости.
Слайд 26
![Если обратное напряжение не уменьшить, то полупроводник сильно нагреется за](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-25.jpg)
Если обратное напряжение не уменьшить, то полупроводник сильно нагреется за
счёт теплового действия тока и p-n переход сгорает. Такое явление называется тепловым пробоем p-n перехода. Тепловой пробой необратим.
Слайд 27
![Переход Шоттки Образование перехода Шоттки](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-26.jpg)
Переход Шоттки
Образование перехода Шоттки
Слайд 28
![При контакте двух материалов с разной работой выхода электронов электрон](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-27.jpg)
При контакте двух материалов с разной работой выхода электронов электрон проходит
из материала с меньшей работой выхода в материал с большей работой выхода, и ни при каких условиях - наоборот
Слайд 29
![Электроны из приграничного слоя полупроводника переходят в металл, а на](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-28.jpg)
Электроны из приграничного слоя полупроводника переходят в металл, а на их
месте остаются некомпенсированные положительные заряды ионов донорной примеси. В металле большое количество свободных электронов, и, следовательно, на границе металл- полупроводник возникает электрическое поле и потенциальный барьер
Слайд 30
![Возникшее поле будет тормозящим для электронов полупроводника и будет отбрасывать](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-29.jpg)
Возникшее поле будет тормозящим для электронов полупроводника и будет отбрасывать их
от границы раздела. Гра- ница раздела металла и полупроводника со слоем положительных зарядов ионов донорной примеси называется переходом Шоттки (открыт в 1934 году).
Слайд 31
![Прямое и обратное включение диодов Шоттки. Если приложить внешнее напряжение](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-30.jpg)
Прямое и обратное включение диодов Шоттки.
Если приложить внешнее напряжение плюсом на
металл, а минусом на полупроводник, возникает внешнее электрическое поле, направленное навстречу полю перехода Шоттки
Слайд 32
![Это внешнее поле компенсирует поле перехода Шоттки и будет являться](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-31.jpg)
Это внешнее поле компенсирует поле перехода Шоттки и будет являться ускоряющим
для электронов полупроводника. Электроны будут переходить из полупроводника в металл, образуя сравнительно большой прямой ток. Такое включение называется прямым
Слайд 33
![При подаче минуса на металл, а плюса на полупроводник возникает](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-32.jpg)
При подаче минуса на металл, а плюса на полупроводник возникает внешнее
электрическое поле, сонаправленное с полем перехода Шоттки. Оба этих поля будут тормозящими для электронов полупроводника, и будут отбрасывать их от границы раздела
Слайд 34
![Оба этих поля будут ускоряющими для электронов металла, но они](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-33.jpg)
Оба этих поля будут ускоряющими для электронов металла, но они через
границу раздела не пройдут, так как у металла больше работа выхода электрона. Такое включение перехода Шоттки называется обратным.
Слайд 35
![Обратный ток через переход Шоттки будет полностью отсутствовать, так как](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-34.jpg)
Обратный ток через переход Шоттки будет полностью отсутствовать, так как в
металле не существует неосновных носителей зарядов.
Слайд 36
![Достоинства перехода Шоттки: 1.Отсутствие обратного тока; 2.Шоттки может работать на](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-35.jpg)
Достоинства перехода Шоттки:
1.Отсутствие обратного тока;
2.Шоттки может работать на СВЧ;
3.Быстродействие при переключении
из прямого состояния в обратное и наоборот.
Недостаток – стоимость. В качестве металла обычно применяют золото.
Слайд 37
![Некоторые эффекты полупроводника](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-36.jpg)
Некоторые эффекты полупроводника
Слайд 38
![Тоннельный эффект Тоннельный эффект (открыт в 1958 году в Японии)](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-37.jpg)
Тоннельный эффект
Тоннельный эффект (открыт в 1958 году в Японии) проявляется на
p-n переходе в вырожденных полупроводниках.
Вырожденный полупроводник – это полупроводник с очень высокой концентрацией донорной или акцепторной примеси
Слайд 39
![В вырожденных полупроводниках очень тонкий p-n переход: его ширина составляет](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-38.jpg)
В вырожденных полупроводниках очень тонкий p-n переход: его ширина составляет сотые
доли микрона, а напряжённость внутреннего поля p-n перехода составляет Ep-n ≈ 108 B/м, что обеспечивает очень высокий потенциальный барьер.
Слайд 40
![Тоннельный эффект применяется в тоннельных диодах, которые используются в схемах](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-39.jpg)
Тоннельный эффект применяется в тоннельных диодах, которые используются в схемах генераторов
гармонических колебаний и как маломощные бесконтактные переключающие устрой- ства.
Слайд 41
![Эффект Гана Эффект Гана проявляется в полупроводниках n-типа проводимости в](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-40.jpg)
Эффект Гана
Эффект Гана проявляется в полупроводниках n-типа проводимости в сильных электрических
полях
Сущность эффекта Гана состоит в том, что если в полупроводнике создать напряжённость электрического поля, большую Екр, но меньшую Епор, т. е. на участке ВС характеристики, то в полупроводнике возникнут электрические колебания сверхвысокой частоты
Слайд 42
![I Екр Епор E](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-41.jpg)
Слайд 43
![Участок ОА – линейный участок, на котором соблюдается закон Ома.](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-42.jpg)
Участок ОА – линейный участок, на котором соблюдается закон Ома. Участок
АВ – при срав- нительно больших напряжённостях электрического поля уменьшается подвижность электронов за счёт увеличения амплитуд колебания атомов в узлах кристаллической решётки
Слайд 44
![Участок ВС – сильное уменьшение подвижности электронов, что приводит к](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-43.jpg)
Участок ВС – сильное уменьшение подвижности электронов, что приводит к уменьшению
тока. Участок CD – при очень больших напряжённостях значительно увеличивается генерация носителей зарядов и, хотя подвижность электронов уменьшается, ток возрастает за счёт увеличения количества зарядов
Слайд 45
![Сущность эффекта Гана состоит в том, что если в полупроводнике](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-44.jpg)
Сущность эффекта Гана состоит в том, что если в полупроводнике создать
напряжённость электрического поля, большую Екр, но меньшую Епор, т. е. на участке ВС характеристики, то в полупроводнике возникнут электрические колебания сверхвысокой частоты (СВЧ).
Эффект Гана применяется в диодах Гана, которые используются как маломощные генераторы СВЧ
Слайд 46
![Эффект Холла Эффект Холла проявляется в полупроводниках n-типа проводимости с](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-45.jpg)
Эффект Холла
Эффект Холла проявляется в полупроводниках n-типа проводимости с протекающими через
них токами и помещёнными в магнитное поле.
Эффект Холла применяется в магнитометрических датчиках.
Слайд 47
![К полупроводниковым приборам относятся диоды, биполярные транзисторы, полевые транзисторы, тиристоры.](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-46.jpg)
К полупроводниковым приборам относятся диоды, биполярные транзисторы, полевые транзисторы, тиристоры. Все
они составляют элементарную базу электронных схем.
Слайд 48
![Элементы электронных схем](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-47.jpg)
Элементы электронных схем
Слайд 49
![Полупроводниковые диоды. Диод – это полупроводниковый прибор с одним p](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-48.jpg)
Полупроводниковые диоды.
Диод – это полупроводниковый прибор с одним p –
n – переходом и двумя выводами. Конструктивно диод представляет собой кристалл полупроводника, в котором одним из технологических приѐмов (сплавление, диффузия) выполнен p – n переход
Слайд 50
![](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-49.jpg)
Слайд 51
![](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-50.jpg)
Слайд 52
![](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-51.jpg)
Слайд 53
![](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-52.jpg)
Слайд 54
![](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-53.jpg)
Слайд 55
![](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-54.jpg)
Слайд 56
![](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-55.jpg)
Слайд 57
![](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-56.jpg)
Слайд 58
![](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-57.jpg)
Слайд 59
![](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-58.jpg)
Слайд 60
![](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-59.jpg)
Слайд 61
![](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-60.jpg)
Слайд 62
![](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-61.jpg)
Слайд 63
![Устройство, классификация и основные параметры полупроводниковых диодов](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-62.jpg)
Устройство, классификация и основные параметры полупроводниковых диодов
Слайд 64
![Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов Классификация диодов производится по](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-63.jpg)
Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов
Классификация диодов производится по следующим признакам:
По конструкции:
плоскостные диоды;
точечные диоды;
микросплавные диоды.
Слайд 65
![По мощности: маломощные; средней мощности; мощные.](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-64.jpg)
По мощности:
маломощные;
средней мощности;
мощные.
Слайд 66
![По частоте: низкочастотные; высокочастотные; СВЧ.](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-65.jpg)
По частоте:
низкочастотные;
высокочастотные;
СВЧ.
Слайд 67
![По функциональному назначению: выпрямительные диоды; импульсные диоды; стабилитроны; варикапы; светодиоды; тоннельные диоды и так далее](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-66.jpg)
По функциональному назначению: выпрямительные диоды;
импульсные диоды;
стабилитроны;
варикапы;
светодиоды;
тоннельные диоды
и так далее
Слайд 68
![Условное обозначение диодов подразделяется на два вида: маркировка диодов; условное](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-67.jpg)
Условное обозначение диодов подразделяется на два вида:
маркировка диодов;
условное графическое обозначение (УГО)
– обозначение на принципиальных электрических схемах.
Слайд 69
![По старому ГОСТу все диоды обозначались буквой Д и цифрой,](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-68.jpg)
По старому ГОСТу все диоды обозначались буквой Д и цифрой, которая
указывала на электрические параметры, находящиеся в справочнике.
Слайд 70
![Новый ГОСТ на маркировку диодов состоит из 4 обозначений: К](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-69.jpg)
Новый ГОСТ на маркировку диодов состоит из 4 обозначений:
К С -156
А
Г Д -507 Б
1. 2. 3. 4.
Слайд 71
![1. показывает материал полупроводника: Г (1) – германий; К (2)](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-70.jpg)
1. показывает материал полупроводника:
Г (1) – германий; К (2) – кремний;
А (3) – арсенид галлия.
2. тип полупроводникового диода:
Д – выпрямительные, ВЧ и импульсные диоды; А – диоды СВЧ;
C – стабилитроны; В – варикапы;
И – туннельные диоды; Ф – фотодиоды;
Л – светодиоды;
Ц – выпрямительные столбы и блоки
Слайд 72
![3 . три цифры – группа диодов по своим электрическим](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-71.jpg)
3 . три цифры – группа диодов по своим электрическим параметрам:
101-
399 выпрямительные диоды
401-499 ВЧ диоды
501- 599 импульсные диоды
4. – модификация диодов в данной (третьей) группе.
УГО:
Слайд 73
![4. модификация диодов в данной (третьей) группе. УГО: - +](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-72.jpg)
4. модификация диодов в данной (третьей) группе.
УГО:
-
+
~
УГО:
а) б) в) г) д) е) ж) з)
Слайд 74
![а) выпрямительные, высокочастотные, СВЧ, импульсные и диоды Гана; б) стабилитроны;](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-73.jpg)
а) выпрямительные, высокочастотные, СВЧ, импульсные и диоды Гана;
б) стабилитроны;
в)
варикапы;
г) тоннельные диоды;
д) диоды Шоттки;
е) светодиоды;
ж) фотодиоды;
з) выпрямительные блоки
Слайд 75
![Конструкция полупроводниковых диодов. Основой плоскостных и точечных диодов является кристалл](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-74.jpg)
Конструкция полупроводниковых диодов.
Основой плоскостных и точечных диодов является кристалл полупроводника
n-типа проводимости, который называется базой транзистора. База припаивается к металлической пластинке, которая называется кристаллодержателем.
Слайд 76
![Для плоскостного диода на базу накладывается материал акцепторной примеси и](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-75.jpg)
Для плоскостного диода на базу накладывается материал акцепторной примеси и в
вакуумной печи при высокой температуре (порядка 500 °С) происходит диффузия акцепторной примеси в базу диода, в результате чего образуется область p-типа проводимости и p-n переход большой плоскости
Слайд 77
![А Акцепторная примесь Р База n Подложка К](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-76.jpg)
А
Акцепторная примесь
Р
База
n
Подложка
К
Слайд 78
![Большая плоскость p-n перехода плоскостных диодов позволяет им работать при](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-77.jpg)
Большая плоскость p-n перехода плоскостных диодов позволяет им работать при больших
прямых токах, но за счёт большой барьерной ёмкости они будут низкочастотными.
Слайд 79
![Точечные диоды](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-78.jpg)
Слайд 80
![К базе точечного диода подводят вольфрамовую проволоку, легированную атомами акцептор-](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-79.jpg)
К базе точечного диода подводят вольфрамовую проволоку, легированную атомами акцептор- ной
примеси, и через неё пропускают импульсы тока силой до 1А. В точке разогрева атомы акцепторной примеси переходят в базу, образуя p-область
Слайд 81
![Получается p-n переход очень малой площади. За счёт этого точечные](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-80.jpg)
Получается p-n переход очень малой площади. За счёт этого точечные диоды
будут высокочастотными, но могут работать лишь на малых прямых токах (десятки миллиампер).
Слайд 82
![Микросплавные диоды. Их получают путём сплавления микрокристаллов полупроводников p- и](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/380292/slide-81.jpg)
Микросплавные диоды.
Их получают путём сплавления микрокристаллов полупроводников p- и n- типа
проводимости. По своему характеру микросплавные диоды будут плоскостные, а по своим параметрам – точечные.