Содержание
- 2. Структура областей исток-сток наноразмерного МОПТ [ 1 ]
- 3. Эффект образования горячих носителей [ 2 ]
- 4. Причины и следствия образования горячих носителей Lк Nп Xопз E УИ ГН Ин Uп ВЖ
- 5. Механизм образования ловушек для горячих носителей [ 1 ]
- 6. Влияние горячих носителей на ВАХ МОПТ Стресс до после [ 1 ]
- 7. LDD структура стока Затвор Спейсер Подзатворный окисел Сток [ 2 ]
- 8. [ 2 ] Расстояние от поверхности, мкм Влияние LDD структуры на распределение электрического поля
- 9. Влияние дозы имплантации примеси для LDD на время жизни и ток в подложку МОПТ Ток в
- 10. [ 2 ] Маршрут формирования МОПТ с LDD структурой
- 11. [ 3 ] Изменение глубины LDD структуры от технологического уровня
- 12. Зависимость тока насыщения МОПТ от длины канала и уровня легирования LDD структуры [ 3 ]
- 13. LDD [ 3 ] Влияние перекрытия LDD структуры электродом затвора на ток насыщения МОПТ
- 14. Факторы, влияющие на величину сопротивления LDD стока МОПТ [ 2 ]
- 15. Эффект обеднения LDD - структуры [ 2 ] Обеднение области п-типа Отрицательный заряд
- 16. Конструктивные варианты LDD структуры [ 2 ] Градиентно-скрытый LDD Скрытый LDD Поверхностный LDD
- 17. Зависимость степени деградации крутизны МОПТ от времени испытания для различных LDD [ 2 ] Поверхностный LDD
- 18. Маршрут изготовления градиентно-профильной LDD структуры [ 2 ] Иония имплантация мышьяка ( малая доза ) Ионная
- 19. Маршрут формирования LDD КМОП ИС с двумя карманами [ 2 ]
- 20. Влияние концентрации примеси и температуры на подвижность носителей
- 21. Гало-области МОПТ [ 2 ] Маршрут формирования МОПТ с локальной гало-областью МОПТ с гало-областью
- 22. Влияние режимов формирования гало-области на изменение порогового напряжения МОПТ [ 1 ]
- 23. [ 1 ] Влияние гало-области на напряжение смыкания ОПЗ исток-сток
- 24. Влияние режима формирования гало-области на подпороговый ток МОПТ [ 1 ]
- 26. Скачать презентацию