Содержание
- 2. ОСОБЕННОСТИ ВОЛН СВЧ ДИАПАЗОНА Размеры аппаратуры соизмеримы с длиной волны на сверхвысоких частотах Волны СВЧ диапазона
- 3. КЛАССИФИКАЦИЯ ЧАСТОТНЫХ ДИАПАЗОНОВ Классификация частотных диапазонов в соответствии с российским стандартом
- 4. КЛАССИФИКАЦИЯ ЧАСТОТНЫХ ДИАПАЗОНОВ Зарубежная классификация
- 5. СИСТЕМА СВЯЗИ
- 6. СТРУКТУРНАЯ СХЕМА ПЕРЕДАТЧИКА РАДИОРЕЛЕЙНОЙ СИСТЕМЫ СВЯЗИ
- 7. СТРУКТУРНАЯ СХЕМА ПЕРЕДАТЧИКА ЗЕМНОЙ СТАНЦИИ СПУТНИКОВОЙ СИСТЕМЫ СВЯЗИ (ССС)
- 8. ПРИЕМНЫЙ И ПЕРЕДАЮЩИЙ МОДУЛИ АФАР а) передающий модуль б) приёмный модуль
- 9. СТРУКТУРНАЯ СХЕМА ПЕРЕДВИЖНОЙ СИСТЕМЫ РАДИОСВЯЗИ
- 10. СТРУКТУРНАЯ СХЕМА АДАПТЕРА WI-FI
- 11. КЛАССИФИКАЦИЯ КОМПОНЕНТОВ СВЧ По типу активной среды: вакуумные твердотельные Твердотельные Транзисторы Диоды ИС
- 12. КЛАССИФИКАЦИЯ ТРАНЗИСТОРОВ Транзистор – прибор, который служит для преобразования, усиления и генерирования сигналов Классификация транзисторов по
- 13. КЛАССИФИКАЦИЯ ТРАНЗИСТОРОВ ПО ПРИНЦИПУ РАБОТЫ Транзисторы Биполярные Полевые n-p-n p-n-p МДП ПТ с барьером Шоттки
- 14. Классификация диодов по функциональному назначению Диоды Детекторные и смесительные Генераторно-усилительные Управляющие
- 15. КЛАССИФИКАЦИЯ ДЕТЕКТОРНЫХ И СМЕСИТЕЛЬНЫХ ДИОДОВ Детекторные и смесительные диоды Диоды с точечным контактом Диоды Шоттки Диоды
- 16. Классификация генераторно-усилительных диодов Генераторно-усилительные диоды Лавинно-пролетный диод (ЛПД) Диод Ганна
- 17. Классификация управляющих диодов Управляющие диоды p-i-n диоды Варакторы и варикапы
- 18. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ ФВ МШУ Фильтр УМ ГУН П СМ Атт ИС МШУ – малошумящий усилитель ФВ
- 19. ХАРАКТЕРИСТИКИ ИС ДЛЯ X- И К- ДИАПАЗОНОВ
- 20. КЛАССИФИКАЦИЯ ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫХ ПРИБОРОВ Электровакуумные приборы: По характеру энергообмена ◦ Типа O (преобразование кинетической энергии электронов в
- 21. ЛИНИИ ПЕРЕДАЧИ
- 22. ТИПЫ ЛИНИЙ ПЕРЕДАЧИ Линии передачи Коаксиальные линии Прямоугольные волноводы Микрополосковые линии (МПЛ)
- 23. КОАКСИАЛЬНАЯ ЛИНИЯ Основной тип волны - ТЕМ Волновое сопротивление: Длина волны:
- 24. ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ ВОЛНОВОД Волновое сопротивление: Длина волны: Критическая длина волны: Волна не распространяется по волноводу, если ее
- 25. НЕСИММЕТРИЧНАЯ МИКРОПОЛОСКОВАЯ ЛИНИЯ Длина волны: С ростом частоты изменяется εэфф . Такое явление называют дисперсией. основной
- 26. ЭЛЕМЕНТЫ СВЧ ТРАКТА
- 27. КЛАССИФИКАЦИЯ ПО ЛОКАЛИЗАЦИИ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ПОЛЯ В ЭЛЕМЕНТЕ Элементы СВЧ тракта Элементы с сосредоточенными параметрами Элементы с
- 28. ОСОБЕННОСТИ ЭЛЕМЕНТОВ С СОСРЕДОТОЧЕННЫМИ И РАСПРЕДЕЛЕННЫМИ ПАРАМЕТРАМИ Элементы с сосредоточенными параметрами: характерно наличие пространственного разделения электрического
- 29. ЭЛЕМЕНТЫ С РАСПРЕДЕЛЕННЫМИ ПАРАМЕТРАМИ (РЕЖИМ КОРОТКОГО ЗАМЫКАНИЯ) Режим К.З.:
- 30. ЭЛЕМЕНТЫ С РАСПРЕДЕЛЕННЫМИ ПАРАМЕТРАМИ (РЕЖИМ КОРОТКОГО ЗАМЫКАНИЯ) Режим К.З.: Расчет индуктивности
- 31. ЭЛЕМЕНТЫ С РАСПРЕДЕЛЕННЫМИ ПАРАМЕТРАМИ (РЕЖИМ ХОЛОСТОГО ХОДА) Режим Х.Х.:
- 32. ЭЛЕМЕНТЫ С РАСПРЕДЕЛЕННЫМИ ПАРАМЕТРАМИ (РЕЖИМ ХОЛОСТОГО ХОДА) Режим Х.Х.: Расчет емкости:
- 33. ЭЛЕМЕНТЫ С СОСРЕДОТОЧЕННЫМИ ПАРАМЕТРАМИ 1. Высокоомный отрезок линии: 2. Одновитковая катушка:
- 34. ЭЛЕМЕНТЫ С СОСРЕДОТОЧЕННЫМИ ПАРАМЕТРАМИ 3. Меандр: 4. Спираль:
- 35. ЭЛЕМЕНТЫ С СОСРЕДОТОЧЕННЫМИ ПАРАМЕТРАМИ 5. Пластинчатая ёмкость: где S – площадь перекрытия пластин, d – толщина
- 36. ЭЛЕМЕНТЫ С СОСРЕДОТОЧЕННЫМИ ПАРАМЕТРАМИ 7. Гребенчатая емкость: где N – число секций, h – толщина подложки,
- 37. МИКРОПОЛОСКОВЫЕ РЕЗОНАТОРЫ
- 38. МИКРОПОЛОСКОВЫЕ РЕЗОНАТОРЫ C – в пФ, L – в нГн, l – в см, ρ –
- 39. СВЧ схема Принципиальная схема: Топология схемы
- 40. ТРАНЗИСТОРЫ СВЧ ДИАПАЗОНА
- 41. В ОСНОВЕ РАБОТЫ СВЧ ТРАНЗИСТОРОВ ЛЕЖАТ ТЕ ЖЕ ПРИНЦИПЫ, ЧТО И В РАБОТЕ НЧ ТРАНЗИСТОРОВ ОСОБЕННОСТИ
- 42. БИПОЛЯРНЫМ НАЗЫВАЮТ ТРАНЗИСТОР, В КОТОРОМ ИСПОЛЬЗУЮТСЯ ЗАРЯДЫ НОСИТЕЛЕЙ ОБЕИХ ПОЛЯРНОСТЕЙ СТРУКТУРА БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
- 43. СВЧ биполярные транзисторы отличаются от низкочастотных прежде всего размерами активных областей, которые характеризуются шириной эмиттерной полоски
- 44. Особенности СВЧ-транзисторов с точки зрения конструкции выводов эмиттера, коллектора и базы состоят в том, что выводы
- 45. РАСЧЕТ ГРАНИЧНОЙ ЧАСТОТЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА где τэк - время задержки сигнала в транзисторе τэ – время
- 46. ВРЕМЯ НАКОПЛЕНИЯ НЕОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ В ЭМИТТЕРЕ где l эб - расстояние от поверхности транзистора до металлургической
- 47. ВРЕМЯ ПЕРЕНОСА НОСИТЕЛЕЙ В ОБЕДНЕННОЙ ОБЛАСТИ КОЛЛЕКТОРА где lк – ширина обедненной области коллектора vs -
- 48. ВРЕМЯ ПРОЛЕТА НЕОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЧЕРЕЗ БАЗУ где lб – толщина базы, n – коэффициент, зависящий от
- 49. ВРЕМЯ ЗАРЯДА ЕМКОСТИ ЭМИТТЕРНОГО ПЕРЕХОДА где Rβ – сопротивление рекомбинации
- 50. ВРЕМЯ ЗАРЯДА ЕМКОСТИ КОЛЛЕКТОРНОГО ПЕРЕХОДА где rэ, rк – сопротивления эмиттерной и коллекторной областей; Ск –
- 51. ТРЕБОВАНИЯ К ПАРАМЕТРАМ ТРАНЗИСТОРА Уменьшение lк ; Уменьшение lб; Уменьшение Cэ и Cк; Уменьшение rк Примеры
- 52. СТРУКТУРА ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА 1 - высокоомная подложка, выполненной из GаAs, 2 -проводящий канал n-типа подсоединен к
- 53. РАСЧЕТ ГРАНИЧНОЙ ЧАСТОТЫ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА где τпр – это время пролета носителей через канал где L
- 54. Для получения высокочастотных приборов необходимо: обеспечить малую длину канала большую дрейфовую скорость насыщения. Из этих условий
- 55. ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ
- 56. ПОНЯТИЕ О ГЕТЕРОПЕРЕХОДЕ Гетеропереход образуется при контакте двух полупроводниковых кристаллов, имеющих разную ширину запрещенной зоны, одинаковую
- 57. ЗОННАЯ ДИАГРАММА ГЕТЕРОПЕРЕХОДА Особенности данной диаграммы состоят в наличии скачков ΔЕс, ΔEv
- 58. ЯВЛЕНИЕ СВЕРХИНЖЕКЦИИ Скачки дна зоны проводимости способствуют тому, что электронный квазиуровень (EFn, EFp) располагается выше уровня
- 59. ДВУМЕРНЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ ГАЗ Образуется потенциальная яма, куда «сваливаются» электроны
- 60. СТРУКТУРА БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА НА ГЕТЕРОПЕРЕХОДЕ (HBT)
- 61. СТРУКТУРА ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА НА ГЕТЕРОПЕРЕХОДЕ (HEMT)
- 62. ЭКВИВАЛЕНТНАЯ СХЕМА БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА СВЧ ДИАПАЗОНА
- 63. ЭКВИВАЛЕНТНАЯ СХЕМА ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА СВЧ ДИАПАЗОНА
- 64. К ОПРЕДЕЛЕНИЮ S-ПАРАМЕТРОВ ТРАНЗИСТОРОВ
- 65. СХЕМА ЛИНЕЙНОГО УСИЛИТЕЛЯ U1- = S11 U1+ + S12 U2+ , U2- = S21 U1+ +
- 67. Скачать презентацию