Слайд 2
![](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/172127/slide-1.jpg)
Слайд 3
![](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/172127/slide-2.jpg)
Слайд 4
![](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/172127/slide-3.jpg)
Слайд 5
![Рис. Потенциальный способ представления лог. «0» и «1»: а – положительная логика; б – отрицательная логика.](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/172127/slide-4.jpg)
Рис. Потенциальный способ представления лог. «0» и «1»:
а –
положительная логика; б – отрицательная логика.
Слайд 6
![U1вых min ≤ U1(t) ≤ U1вых max U 0вых min ≤ U0(t) ≤ U0вых max,](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/172127/slide-5.jpg)
U1вых min ≤ U1(t) ≤ U1вых max
U 0вых min ≤
U0(t) ≤ U0вых max,
Слайд 7
![Рис. Цепочки последовательно соединенных ЛЭ (а) и формирование сигнала на её выходе (б)](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/172127/slide-6.jpg)
Рис. Цепочки последовательно соединенных ЛЭ (а) и формирование
сигнала на её
выходе (б)
Слайд 8
![Рис. Зона импульсной помехоустойчивости ЛЭ](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/172127/slide-7.jpg)
Рис. Зона импульсной помехоустойчивости ЛЭ
Слайд 9
![Рис. Характеристика импульсной помехоустойчивости.](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/172127/slide-8.jpg)
Рис. Характеристика импульсной помехоустойчивости.
Слайд 10
![Выделяют три вида логических схем: – низкая помехоустойчивость (0,3÷0,4 долей](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/172127/slide-9.jpg)
Выделяют три вида логических схем:
– низкая помехоустойчивость (0,3÷0,4 долей вольта);
– средняя
помехоустойчивость (0,4÷1 В);
– высокая помехоустойчивость (выше 1 В).
К схемам с высокой помехоустойчивостью относятся диодные логические схемы (до нескольких кВ); станковая логика (10÷15 В); комплементарная логика КМОП (6÷8 В).
По быстродействию выделяют четыре типа:
– время задержки менее 5 нс – сверх быстродействие;
– 5÷10 нс – быстродействующая логика;
– 10÷50 нс – малое быстродействие;
– более 50 нс – медленнодействующие логические схемы.
Важным параметром является потребление мощности.
1 Выделяют микромощные логические схемы от одного до десятков мкВт на корпус. Обычно это КМОП–логика (см. КМОП–ключи) или логика с инжекционным питанием.
2 Логика со средним потреблением мощности от одного до десятков мВт на корпус. Обычно это ТТЛ–логика.
3 Логика с высоким потреблением мощности (сотни мВт на корпус).
Ранее была тенденция: чем больше потребление, тем выше быстродействие, потому что элементы транзисторов различных типов переключаются наиболее быстро в активной области (в этой области наибольшее потребление).
Слайд 11
![По элементной базе выделяют: – диодные логические схемы (наиболее простые);](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/172127/slide-10.jpg)
По элементной базе выделяют:
– диодные логические схемы (наиболее простые);
– транзисторно–транзисторные (ТТЛ–логика);
–
эмиттерно–связная логика (ЭСЛ) – разновидность ТТЛ, отличие в эмиттерных связях, режиме и отрицательном питании, поэтому логику еще называют отрицательной в отличие от положительной логики ТТЛ (+2...5В).
– логика с инжекционным питанием И2Л – разновидность ТТЛ–логики (И2 – интегральная с инжекционным питанием).
– КМОП–логика – разновидность ТТЛ, но на УТ разного типа проводимости.
– ОПТЛ – (оптронные связи, транзисторная логика) дает гальваническую развязку.
– логика ПТШ, использующая полевые транзисторы Шоттки.
– логические матрицы.
Слайд 12
![По температурному запасу выделяют: – микросхемы широкого применения с температурным](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/172127/slide-11.jpg)
По температурному запасу выделяют:
– микросхемы широкого применения с температурным диапазоном –10°С…+70°С
–
микросхемы специального применения –60°С… +125°С
Выделяют также по числу входов и по нагрузочной способности:
– с малым числом входов m до десяти
– с большим числом входов – свыше десяти
– с малой нагрузочной способностью n, равной единице.
Под нагрузочной способностью подразумевают количество однотипных логических схем, которые можно подключить к выходу точно такой же логической схемы. Малую нагрузочную способность имеют пассивные логические схемы.
– со средней нагрузочной способностью n до десяти
– с высокой нагрузочной способностью n>10
Слайд 13
![Диодные логические схемы Диодно–логическая схема сложения](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/172127/slide-12.jpg)
Диодные логические схемы
Диодно–логическая схема сложения
Слайд 14
![Диодная схема логического умножения](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/172127/slide-13.jpg)
Диодная схема логического умножения
Слайд 15
![Рисунок – ТТЛ логическая схема ЛА-3, а);](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/172127/slide-14.jpg)
Рисунок – ТТЛ логическая схема ЛА-3, а);
Слайд 16
![Рисунок ТТЛ ЛА-3, цоколевка, б)](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/172127/slide-15.jpg)
Рисунок ТТЛ ЛА-3, цоколевка, б)
Слайд 17
![](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/172127/slide-16.jpg)
Слайд 18
![Рис. Шунтирование шины питания Логического элемента ТТЛ дополнительными конденсаторами](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/172127/slide-17.jpg)
Рис. Шунтирование шины питания Логического элемента ТТЛ дополнительными конденсаторами
Слайд 19
![Микросхема с открытым коллектором](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/172127/slide-18.jpg)
Микросхема с открытым коллектором
Слайд 20
![Серии логических ИМС ТТЛ](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/172127/slide-19.jpg)
Слайд 21
![Основные параметры ИМС ТТЛ Обозначения: L (low) — маломощная серия.](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/172127/slide-20.jpg)
Основные параметры ИМС ТТЛ
Обозначения: L (low) — маломощная серия. Н
(high) — быстродействующая серия, LS (low, Shotty) — маломощная с диодами Шотки, S (Shottky) — с диодами Шотки, ALS — усовершенствованная с диодами Шотки, F (fast) — сверхбыстродействующая.
Слайд 22
![Упрощенная схема логического элемента 2ИЛИ-НЕ (ЭСЛ)](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/172127/slide-21.jpg)
Упрощенная схема логического элемента 2ИЛИ-НЕ (ЭСЛ)
Слайд 23
![Серия и основные параметры ИМС ЭСЛ Таблица 4](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/172127/slide-22.jpg)
Серия и основные параметры ИМС ЭСЛ
Таблица 4
Слайд 24
![](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/172127/slide-23.jpg)
Слайд 25
![](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/172127/slide-24.jpg)
Слайд 26
![](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/172127/slide-25.jpg)
Слайд 27
![](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/172127/slide-26.jpg)
Слайд 28
![](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/172127/slide-27.jpg)
Слайд 29
![](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/172127/slide-28.jpg)
Слайд 30
![](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/172127/slide-29.jpg)
Слайд 31
![Упрощенная схема логического элемента 2И-НЕ (КМОП) сигналом Х1 или X2.](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/172127/slide-30.jpg)
Упрощенная схема логического элемента 2И-НЕ (КМОП) сигналом Х1 или X2.
Слайд 32
![Серии логических ИМС КМОП Таблица 5](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/172127/slide-31.jpg)
Серии логических ИМС КМОП
Таблица 5
Слайд 33
![По сравнению с ИМС ТТЛ микросхемы КМОП имеют следующие достоинства:](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/172127/slide-32.jpg)
По сравнению с ИМС ТТЛ микросхемы КМОП имеют следующие достоинства:
• малая потребляемая
мощность в диапазоне частот до 2 МГц (мощность в
статическом режиме не превышает 1 мкВт);
• большой диапазон напряжений питания (от 3 до 15 В);
• очень высокое входное сопротивление (больше 1 МОм);
• большая нагрузочная способность (коэффициент разветвления больше 50).
К недостаткам ИМС КМОП относятся:
большие времена задержки (до 100 нс);
повышенное выходное сопротивление ( до 1 кОм);
значительный разброс всех параметров.
Уровни выходных сигналов зависят от напряжения питания. Уровень логической «1» равен примерно 0,8 Епит, а уровень логического «0» - от 0,3 до 2,5 В.
Слайд 34
![Основные параметры ИМС KMOII Таблица 6](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/172127/slide-33.jpg)
Основные параметры ИМС KMOII
Таблица 6