Содержание
- 2. Що таке одноелектроніка та одноелектроні прилади і пристрої? Одноелектроніка — це розділ електроніки, який вивчає умови
- 6. Останнім часом у зв’язку з наближенням до границь мініатюризації класичних мікроелектронних приладів підвищилась зацікавленість відносно приладів,
- 7. Створення так званих одноелектронних приладів відкриває нові перспективи цифрової одноелектроніки, в якій біт інформації буде представлений
- 8. Кулонівська блокада тунелювання Відомо, що електричний струм у провіднику зумовлений рухом електронів відносно нерухомих іонів гратки.
- 9. Спочатку межа розділу між провідником та діелектриком є електрично нейтральною. За умови прикладання до зовнішньої структури
- 10. При збереженні зовнішньої прикладеної напруги все повторюється знову. Електрон набуває можливість «тунелювати» крізь діелектрик, коли накопичений
- 11. Кулонівською блокадою називають відсутність струму через тунельний перехід за наявності зовнішньої напруги, якщо тунелюванню електронів перешкоджає
- 12. Конструкції одноелектронних приладів є різноманітними, однак їх можна класифікувати за декількома ознаками: За напрямом протікання струму
- 13. Стала КТ існує весь час та являє собою частіше за все кластер (металевйи або напівпровідниковий). Тимчасова
- 14. Принциповою відмінністю одноелектронного транзистора від класичного є той факт, що лінійні розміри каналу між зтоком та
- 15. Одноелектронний транзистор, як і класичний, має у своєму складі три електроди - витік, втік та затвор.
- 16. При цьому товщини «наноострівців» є настільки малими, що електрон має змогу тунелювати. Якщо прикласти різницю потенціалів
- 17. Таким чином, управляючи потенціалом затвору, можна пропускати по колу одиничні електрони. Якщо піти далі і замість
- 19. Схема кремнієвого одноелектронного транзистора з двома затворами на одинарній (а) та подвійній (б) КТ. VUG, VLG
- 20. Залежності струму витоку від напруги на нижньому затворі для різних напруг на верхньому затворі (а) при
- 21. Схема квантового одноэлектронного транзистора Сделаны электронный, и дырочный приборы, использующие эффект кулоновской блокады (рис.). В кремниевой
- 22. Описанные транзисторы являются управляемыми планарными приборами на одной постоянной КТ. На рис. приведены изображения электронного и
- 23. Залежність струму витоку від затворної напруги для електронного транзистора при різлних температурах представлена на рис. Аналогічні
- 24. Реалізована конструкція приведена на рис. Прилад виготовляється наступним чином: на полікремнійовий шар наносили толвстий слой SiO2.
- 25. Роль КТ відіграє острівець, тунельні контакти реалізуються через тонкий бічний оксид. Ємність перекриття контактів та острівця
- 26. Зображення структури, отримане методом РЕМ, показане на рис. а. На рис. б представлені характерні одноелектронні осциляції
- 27. Однією з перспективних конструкцій одноелектронних пристроїв є Т-подібна транзисторна структура, що складається з двох одноелектронних транзисторів,
- 28. Інший типовий приклад реалізації одноелектронного приладу, що являє собою елемент пам’яті МДН-типу (метал–діелектрик–нпівпровідник) з ультракоротким каналом.
- 29. Разроблено декілька типів приладових структур даного типу: одноелектронні елементи пам’яті (рис.); польові транзистори, керовані одним електроном
- 30. Інтенсивно розроблюються також і одноелектронні напівпровідникові структури на основі GaAs. На рис. показаний прилад, що являє
- 31. Лічильник електронів Система з багатьох послідовно з’єднаних тунельних конденсаторів може слугувати в якості лічильника електронів –
- 33. Скачать презентацию