Промышленная электроника презентация

Полупроводниковый диод - стабилитрон
Предназначен для стабилизации напряжения
Имеет три электрода и два р-п перехода
Предназначен для стабилизации емкости
Предназначен для стабилизации тока
Имеет три р-п перехода и один электрод

Биполярный транзистор
Имеет три электрода и два р-п перехода
Имеет три р-п перехода и один электрод
Имеет два р-п перехода и один электрод
Имеет один р-п переход и два электрода
Имеет два электрода и один р-п переход

Структура тиристора
имеет три перехода и четыре слоя
имеет два перехода и три слоя
имеет два перехода и четыре слоя
имеет один переход и два слоя
имеет один переход и один слой

Усилительный каскад с общим истоком имеет
выходное напряжение в противофазе с входным
коэффициент усиления по напряжению меньше единицы
входное сопротивление малое
коэффициент усиления по току меньше единицы
коэффициент усиления по мощности близкий к единице

В усилительном каскаде мощности в режиме класса С
Рабочая точка за точкой отсечки транзистора
Рабочая точка в на начальном участке переходной характеристики
Рабочая точка в середине переходной характеристики
КПД устройства приближается к нулю
гармонические искажения минимальные

Силовой трансформатор
работает на основе закона электромагнитной индукции
массивнее тем выше частота тока
работает на основе закона Кулона
трансформатор является электронным прибором
служит для увеличения входной мощности

Коэффициент пульсаций двухполупериодного выпрямителя с выводом от средней точки
0,67 1,57
0,25
0,057
0,57

Аналого-цифровой преобразователь
Преобразует амплитуду аналогового сигнала в цифровой код Преобразует частоту аналогового сигнала в напряжение
Преобразует амплитуду аналогового сигнала в напряжение
Преобразует частоту аналогового сигнала в цифровой код
Преобразует напряжение аналогового сигнала в ток

Максимально допустимый ток маломощного выпрямительного диода
0,01 -0,1 А
0,1-1 А
1-100 А
0,01-0,1 мкА
100-2000 А

Параметр h22 соответствует
Выходной проводимости биполярного транзистора
Коэффициенту передачи тока биполярного транзистора
Входному сопротивлению биполярного транзистора
Коэффициенту обратной связи по напряжению биполярного транзистора
Коэффициенту обратной связи по току биполярного транзистора

Прибор с отрицательным дифференциальным сопротивлением
тиристор
биполярный транзистора
выпрямительный диод полевой транзистор с р-п переходом
полевой транзистор с изолированным затвором

Усилительный каскад с общим эмиттером имеет
коэффициент усиления по току близкий к һ-параметру транзистора
коэффициент усиления по мощности близкий к единице
коэффициент усиления по напряжению меньше единицы
выходное напряжение совпадает по фазе с входным
входное сопротивление близко к нулю

Схема дифференцирующего усилителя
на операционном усилителе

Схема на операционном усилителе с параллельной обратной связью по напряжению

Коэффициент пульсаций минимален
у трехфазного мостового выпрямителя
у однополупериодного выпрямителя у двухполупериодного мостового выпрямителя
у трехфазного выпрямителя со средней точкой
у двухполупериодного мостового выпрямителя с выводом от средней точки

Запирающий слой р-п перехода исчезает тогда, когда
Внешнее поле совпадает с полем запирающего поля и более 0,3 В
Внешнее поле совпадает с полем электрического слоя двойного заряда более 0,3 В
Внешнее поле совпадает с полем запирающего поля и менее 0,3 В
Внешнее поле совпадает с полем запирающего поля и более 3 В
Внешнее поле совпадает с полем электрического слоя двойного заряда менее 0,3 В

Электрический пробой р-п перехода
Резкое увеличение обратного тока через р-п переход за счет эффекта Зенера
Образуется в слаболегированных полупроводниках
Резкое увеличение обратного тока в слаболегированных полупроводниках
Резкое увеличение прямого тока в сильнолегированных полупроводниках
Возникновение носителей заряда за счет эффекта Зеебека

Лавинный пробой р-п перехода
Образуется в сильнолегированных полупроводниках
Возникновение носителей заряда за счет эффекта Зенера
Возникновение носителей заряда за счет эффекта Томсона
Резкое увеличение обратного тока в слаболегированных полупроводниках
Резкое увеличение прямого тока через р-п переход

Легирование полупроводника
Внедрение примесных атомов, создающих проводимость выбранного типа
Замещение атомов акцепторов донорами
Внедрение атомов инертных газов
Покрытие специальным слоем лака
Замещение атомов доноров акцепторами

Тепловыми пробоем р-п перехода является
Резкое увеличение обратного тока через р-п переход при нагревании
Резкое увеличение прямого тока через р-п переход при охлаждении
Резкое увеличение обратного тока через р-п переход при охлаждении
Резкое увеличение количества примеси в области перехода
Резкое увеличение прямого через р-п переход тока при нагревании

Температурный коэффициент сопротивления полупроводникового стабилитрона находится
в пределах 0,05-0,2 %/град С
в пределах 5-20 %/град С
в пределах 0,5- 2 %/град С
в пределах 0, 5 -20%/град С
в пределах 0,05-2 %/град С

Увеличение коэффициента передачи тока транзисторной сборки достигается
Включением нескольких транзисторов по схеме Дарлингтона
Включением транзисторов последовательно
Включением транзисторов параллельно
Включением нескольких транзисторов по схеме с общей базой
Включением нескольких транзисторов по схеме с общим коллектором

Схема КМОП инвертора имеет
последовательно соединенные МОП транзисторы разной полярности параллельно соединенные МОП транзисторы разной полярности
параллельно соединенные биполярные транзисторы одинаковой полярности
последовательно соединенные МОП транзисторы одинаковой полярности
параллельно соединенные биполярные транзисторы разной полярности

Логическим элементом с тремя состояниями является
Элемент, имеющий состояния высокого, низкого уровня и отключено
Элемент, имеющий один вход и три выхода
Элемент, имеющий три входа и один выход
Элемент, имеющий состояния истинно, ложно и неопределенно
Элемент, имеющий состояния высокого, низкого и среднего уровня

Когда р-п переход закрыт
Внешнее поле совпадает с полем запирающего поля
Через переход протекает прямой ток
Внешнее поле совпадает с полем электрического слоя двойного заряда
Никакие носители заряда не могут проходить через р-п переход
Сопротивление перехода минимально

Межэлектродная емкость маломощных диодов
0,5 -1,0 нФ
100-10000 нФ
0,5 -1,0 мкФ
1,0-20 нФ
100-10000 мкФ