Цифровая схемотехника. Энергонезависимая память. Random Access Memory (RAM), Static RAM (SRAM), Dynamic RAM (DRAM) презентация

Полупроводниковая память
Быстродействие
Энергонезависимость
ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ПАМЯТЬ
или или

Структура памяти с произвольным доступом

Mask ROM
Diode ROM
n-MOS ROM
p-MOS ROM
ROM

OTP ROM
Programmable ROM
Однократно программируемая память
One Time Programmable ROM
Ячейка
«Чистая»
Запрограммированная
Технология плавких перемычек FUSE
В технологии Antifuse все в точности наоборот

OTP ROM
Antifuse
Диэлектрик - ONO (oxide-nitride-oxide)
1
2

EPROM
Erasable Programmable ROM
Очень хочется, но как сделать?
Полевой транзистор с плавающим затвором

Полевой транзистор с индуцированным каналом
Source
Drain
Gate
Enhancement MOSFET

Полевой транзистор с индуцированным каналом
Source
Drain
Gate
Enhancement MOSFET

Floating -gate transistor (FAMOS)
Source
Drain
Gate
Полевой транзистор с плавающим затвором
Floating gate

Floating -gate transistor (FAMOS)
Source
Drain
Gate
Полевой транзистор с плавающим затвором
Floating gate
Напихали электронов

Floating -gate transistor (FAMOS)
Source
Drain
Gate
Полевой транзистор с плавающим затвором
Floating gate
Напихали электронов
Как напихать?
Повышенное напряжение (12,5 V)
Туннельный эффект
Как удалить электроны из плавающего затвора?

EPROM
1971 Frohman’s UV-erasable EPROM
UV Eerasable EPROM

EEPROM
Floating gate
Source
Substrate
p
Gate
Drain
n
1
n
1
20
–
30 nm
10 nm
-10 V
10 V
I
V
GD
FLOTOX transistor
Digital Integrated Circuits
A Design Perspective.
Jan M. Rabaey
Anantha Chandrakasan
Borivoje Nikolic
Electrically Erasable EPROM

EEPROM Cell
12,5V
Внешние
Внутренние
В EEPROM можно переписывать отдельные ячейки
In System Programming

Flash

Flash
OR ROM
Неактивные строки =0
NOR ROM
Неактивные строки = 0
NAND ROM
Неактивные строки =1
Логика столбца

Flash
OR ROM
Неактивные строки =0
NOR ROM
Неактивные строки = 0
NAND ROM
Неактивные строки =1
Площадь