Цифровая схемотехника. Энергонезависимая память. Random Access Memory (RAM), Static RAM (SRAM), Dynamic RAM (DRAM) презентация

Июль 23, 2021

Главная
Без категории
Цифровая схемотехника. Энергонезависимая память. Random Access Memory (RAM), Static RAM (SRAM), Dynamic RAM (DRAM)

Содержание

2. Полупроводниковая память Быстродействие Энергонезависимость ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ПАМЯТЬ или или
3. Структура памяти с произвольным доступом
4. Mask ROM Diode ROM n-MOS ROM p-MOS ROM ROM
5. OTP ROM Programmable ROM Однократно программируемая память One Time Programmable ROM Ячейка «Чистая» Запрограммированная Технология плавких
6. OTP ROM Antifuse Диэлектрик - ONO (oxide-nitride-oxide) 1 2
7. EPROM Erasable Programmable ROM Очень хочется, но как сделать? Полевой транзистор с плавающим затвором
8. Полевой транзистор с индуцированным каналом Source Drain Gate Enhancement MOSFET
9. Полевой транзистор с индуцированным каналом Source Drain Gate Enhancement MOSFET
10. Floating -gate transistor (FAMOS) Source Drain Gate Полевой транзистор с плавающим затвором Floating gate
11. Floating -gate transistor (FAMOS) Source Drain Gate Полевой транзистор с плавающим затвором Floating gate Напихали электронов
12. Floating -gate transistor (FAMOS) Source Drain Gate Полевой транзистор с плавающим затвором Floating gate Напихали электронов
13. EPROM 1971 Frohman’s UV-erasable EPROM UV Eerasable EPROM
14. EEPROM Floating gate Source Substrate p Gate Drain n 1 n 1 20 – 30 nm
15. EEPROM Cell 12,5V Внешние Внутренние В EEPROM можно переписывать отдельные ячейки In System Programming
16. Flash
17. Flash OR ROM Неактивные строки =0 NOR ROM Неактивные строки = 0 NAND ROM Неактивные строки
18. Flash OR ROM Неактивные строки =0 NOR ROM Неактивные строки = 0 NAND ROM Неактивные строки
20. Скачать презентацию

Слайд 2

Полупроводниковая память
Быстродействие
Энергонезависимость
ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ПАМЯТЬ
или или

Слайд 3

Структура памяти с произвольным доступом

Слайд 4

Mask ROM
Diode ROM
n-MOS ROM
p-MOS ROM
ROM

Слайд 5

OTP ROM
Programmable ROM
Однократно программируемая память
One Time Programmable ROM
Ячейка
«Чистая»
Запрограммированная
Технология плавких перемычек

FUSE

В технологии Antifuse все в точности наоборот

Слайд 6

OTP ROM
Antifuse
Диэлектрик - ONO (oxide-nitride-oxide)
1
2

Слайд 7

EPROM
Erasable Programmable ROM
Очень хочется, но как сделать?
Полевой транзистор с плавающим затвором

Слайд 8

Полевой транзистор с индуцированным каналом
Source
Drain
Gate
Enhancement MOSFET

Слайд 9

Полевой транзистор с индуцированным каналом
Source
Drain
Gate
Enhancement MOSFET

Слайд 10

Floating -gate transistor (FAMOS)
Source
Drain
Gate
Полевой транзистор с плавающим затвором
Floating gate

Слайд 11

Floating -gate transistor (FAMOS)
Source
Drain
Gate
Полевой транзистор с плавающим затвором
Floating gate
Напихали электронов

Слайд 12

Floating -gate transistor (FAMOS)
Source
Drain
Gate
Полевой транзистор с плавающим затвором
Floating gate
Напихали электронов
Как напихать?
Повышенное

напряжение (12,5 V)

Туннельный эффект

Как удалить электроны из плавающего затвора?

Слайд 13

EPROM
1971 Frohman’s UV-erasable EPROM
UV Eerasable EPROM

Слайд 14

EEPROM
Floating gate
Source
Substrate
p
Gate
Drain
n
1
n
1
20
–
30 nm
10 nm
-10 V
10 V
I
V
GD
FLOTOX transistor
Digital Integrated Circuits A Design Perspective.
Jan

M. Rabaey
Anantha Chandrakasan
Borivoje Nikolic

Electrically Erasable EPROM

Слайд 15

EEPROM Cell
12,5V
Внешние
Внутренние
В EEPROM можно переписывать отдельные ячейки
In System Programming

Слайд 16

Flash

Слайд 17

Flash
OR ROM
Неактивные строки =0
NOR ROM
Неактивные строки = 0
NAND ROM
Неактивные строки =1
Логика

столбца

Слайд 18

Flash
OR ROM
Неактивные строки =0
NOR ROM
Неактивные строки = 0
NAND ROM
Неактивные строки =1
Площадь