Содержание
- 2. Классификация ИМС по виду обрабатываемого сигнала Аналоговые микросхемы — входные и выходные сигналы изменяются по закону
- 3. Основные компоненты МЭМС Микроэлектромеханические системы (МЭМС) – технологии и устройства, объединяющие в себе микроэлектронные и микромеханические
- 4. МЭМС датчики с чувствительными элементами На основе МЭМС разрабатываются датчики с чувствительными элементами, такие как: Акселерометры
- 5. Аналого-цифровые микросхемы совмещают в себе формы цифровой и аналоговой обработки сигналов, например, усилитель сигнала и аналого-цифровой
- 6. «Эльбрус» 2016 В 2014 году, МЦСТ выпускает самую совершенную модель – «Эльбрус-4С», выполненный по технологии 65
- 7. Варианты исполнения Корпусные ИМС Бескорпусные ИМС Полупроводниковый кристалл, предназначенный для монтажа в гибридную микросхему или микросборку.
- 8. Шаг выводов корпусов ИМС Российские 2,5 мм 1,25 мм Импортные 1/10 дюйма (2,54 мм) 1/20 дюйма
- 9. Отечественные корпуса
- 10. Типы корпусов (ГОСТ 17467-79) 8 типов корпусов микросхем а) Тип 1: выводы в плане проецируются внутрь
- 11. Обозначение корпусов (определяется ГОСТ 17 468-79) Пример: 201.14 -2. Расшифровка: 2 - тип; 01 - типоразмер;
- 12. Конструкция металлокерамического корпуса HTCC (High Temperature Co-fired Ceramic) Корпус фланцевого типа Поверхностный монтаж на печатную плату
- 13. Ширина корпусов составляет от 8,2 мм до 10,8 мм, длина от 14 до 34 мм. Высота
- 14. Конструкция сверхширокополосного интегрального усилителя мощности диапазона 3,5 - 13 ГГц Усилитель построен на основе гибридно-монолитной технологии,
- 15. Усилительный модуль Х-диапазона с выходной импульсной мощностью 400 ватт Общий вид макета усилителя
- 16. Большинство материалов, применяемых в электронике, в нормальных условиях находятся в твердом агрегатном состоянии. Твердые тела подразделяют
- 17. Дефекты кристаллов близки к межатомному расстоянию длина на несколько порядков больше ширины мала толщина, а ширина
- 18. Точечные дефекты в кристаллической решетке Вакансией называется пустой узел кристаллической решетки; Межузельным атомом называется атом, перемещенный
- 19. Краевая дислокация в сечении представляет собой край «лишней» полуплоскости в решетке. Вокруг дислокаций решетка упруго искажена.
- 20. Поверхностные дефекты Схема строения большеугловых границ Схема строения малоугловых границ Наиболее важными поверхностными дефектами являются большеугловые
- 21. Элементы зонной теории твердого тела Согласно постулатам Бора энергетические уровни для электронов в изолированном атоме имеют
- 22. Структура энергетических уровней в изолированном атоме кремния, а также схематическая структура энергетических зон, возникающих при сближении
- 23. Кристалл представляет собой коллектив, состоящий из огромного числа микрочастиц — ядер и электронов. В таких коллективах
- 24. Классическая и квантовая статистика Классическая статистика – статистика Максвелла-Больцмана изучает свойства невырожденных коллективов. Квантовая статистика –
- 25. Фермион Частица (или квазичастица) с полуцелым значением спина. Примеры фермионов: кварки (они образуют протоны и нейтроны,
- 26. Бозон Частица с целым значением спина К бозонам относят: фотон (электромагнитное взаимодействие), глюон (сильное взаимодействие) W±
- 27. Простейшим коллективом является идеальный газ, представляющий собой совокупность частиц, энергий взаимодействия которых мала по сравнению с
- 28. Для получения закона распределения частиц по состояниям необходимо функцию распределения для невырожденного газа умножить на число
- 29. Если проинтегрировать по всем значениям энергии, которые доступны частицам, т.е. от 0 до ∞, то получится
- 30. Так как То Отсюда находим химический потенциал невырожденного идеально газа, как функцию температуры и концентрации частиц
- 31. Подставляя значения химического потенциала в закон распределения частиц, получим следующее выражения для закона распределения частиц невырожденного
- 32. Эффективное число состояний Введем следующее обозначение И Тогда функцию Максвелла – Больцмана можно представить как: Так
- 33. Энергетический уровень E системы, содержащей в единице объема n частиц, заполнен со средней плотностью fБ(E). Спрашивается,
- 34. Примером вырожденного газа является электронный газ в металлах. Степень его вырождения зависит от температуры: чем ниже
- 35. Заполнение квантовых состояний электронами в металле N – число электронов образующих газ. Энергетический уровень μ, отвечающий
- 36. В самом деле, положи в функции Ферми – Дирака μ = EF , получим: Если E
- 37. График функции распределения Ферми – Дирака для Т=0˚K. Он имеет вид ступеньки обрывающийся при E =
- 38. Можно написать следующее выражение для полной функции распределения Ферми - Дирака График функции распределения Ферми –
- 39. Вычисление энергии Ферми. Поверхность Ферми Энергию Ферми можно вычислить из условия нормировки полной функции Ферми –
- 40. Энергия Ферми для ряда металлов vF – скорость движения электронов, отвечающая энергии Ферми Температура Ферми, определяется
- 41. Температурную зависимость уровня Ферми можно получить из условия нормировки полной функции распределения Ферми-Дирака: Изменение положения уровня
- 42. Так как с изменение температуры логарифмический множитель меняется значительно медленнее, чем при T, то в области
- 43. Положим в функции Ферми – Дирака E=μ Положение уровня Ферми и функция распределения Ферми - Дирака
- 44. Функция распределения для вырожденного газа бозонов была получена впервые Бозе и Эйнштейном и называется функцией Бозе
- 45. Элементы зонной теории 3 эВ 0,1 ÷ 3 эВ В зависимости от сорта атомов, составляющих твердое
- 46. Диэлектрики Электрическое поле, приложенное к диэлектрику, практически не приводит к переносу свободных носителей заряда, поскольку их
- 47. Различие свойств материалов обусловлено различием природы их химических связей. Электрическое поле, приложенное к диэлектрику, практически не
- 48. Поляризацией называется состояние диэлектрика, которое характеризуется наличием электрического момента у любого элемента его объема. Поляризация диэлектриков
- 49. Характеристикой поляризации служит поляризованность диэлектрика Р: Поляризованностью называется векторная физическая величина, равная отношению электрического момента dp
- 50. Относительная диэлектрическая проницаемость Способность различных материалов поляризоваться в электрическом поле характеризуется относительной диэлектрической проницаемостью ε: Любой
- 51. Относительная диэлектрическая проницаемость вещества всегда больше единицы и не зависит от выбора системы единиц Абсолютная диэлектрическая
- 52. Поляризацию, возникающую под действием электрического поля, часто называют индуцированной поляризацией, обусловлена смещением электронов, ионов или диполей
- 53. Электронная поляризация Схема деформации электронных оболочек атомов при поляризации диэлектрика: а — электрическое поле отсутствует; б
- 54. Температурная зависимость диэлектрической проницаемости при электронной εЭ, дипольно-релаксационной εД-Р и ионно-релаксационной εИ-Р поляризациях диэлетрика Изменение ε
- 55. Ионная поляризация Ионная поляризация возникает при индуцированном смещении упруго связанных ионов на расстояния, существенно меньшие периода
- 56. При равновесии сил, действующих на каждую частицу, имеем где kупр — коэффициент упругой связи (коэффициент жесткости);
- 57. Дипольно-релаксационная поляризация Дипольно-релаксационная поляризация свойственна жидкостям, состоящим из полярных молекул. Схема дипольно-релаксационной поляризации: а — расположение
- 58. Восстановление деполяризованного состояния диэлектрика происходит путем тепловой дезориентации молекул. Изменение дипольной составляющей поляризованности диэлектрика во времени
- 59. Температурная зависимость диэлектрической проницаемости при электронной εЭ, дипольно-релаксационной εД-Р и ионно-релаксационной εИ-Р поляризациях диэлетрика Изменение ε
- 60. Ионно-релаксационная поляризация Ионно-релаксационная поляризация может проявляться только в твердых диэлектриках с ионным характером химической связи. Изменение
- 61. Температурная зависимость диэлектрической проницаемости при электронной εЭ, дипольно-релаксационной εД-Р и ионно-релаксационной εИ-Р поляризациях диэлетрика Изменение ε
- 62. Электронно-релаксационная поляризация Электронно-релаксационная поляризация может возникать в кристаллических диэлектриках при тепловом возбуждении слабосвязанных электронов. Такой механизм
- 63. Миграционная поляризация Миграционная поляризация также свойственна только твердым диэлектрикам при наличии в них макроскопических неоднородностей структуры.
- 64. Резонансная поляризация Резонансная поляризация наблюдается во всех диэлектриках в условиях, когда частота электрического поля близка к
- 65. Доменная поляризация Доменная поляризация наблюдается только в сегнетоэлектриках и связана с перестройкой их доменной структуры под
- 66. Эквивалентная схема диэлектрика и диэлектрическая дисперсия Эквивалентная схема виртуального диэлектрика со всеми механизмами поляризации Для более
- 67. Диэлектрическая дисперсия Зависимость ε(f) называется диэлектрической дисперсией. В соответствии с механизмами поляризации различают релаксационную и резонансную
- 68. Полный спектр диэлектрической проницаемости виртуального диэлектрика со всеми видами поляризации Частота релаксационной дисперсии определяется из условия:
- 70. Скачать презентацию