Содержание
- 2. Диффузия в прямоугольное окно
- 3. Источники диффузанта Бор (В) В2Н6 (диборан); смесь (порядка 5%) с Ar БСС (nB2O3∙mSiO2), В2О3 2 B2O3
- 4. Выбор легирующей примеси Система энергетических уровней, создаваемых данной группой примесей в запрещенной зоне полупроводника. Все основные
- 5. Ge Si
- 6. ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ
- 7. Достоинства ионного легирования точная дозировка примеси (теоретически – 1%, практически – 5%); высокая чистота; расширенная возможность
- 8. Схема установки ионного легирования Энергия ионов от десятков килоэлектронвольт до единиц мегаэлектронвольт вакуум порядка 10-4 Па
- 9. Оборудование ионной имплантации
- 10. Основные параметры ионного легирования Энергия ускоренных ионов. Ион с зарядом q [Кл], под действием разности потенциалов
- 11. источники с поверхностной термической ионизацией – нагреватель (вольфрамовая лента) на него насыпается соль металла – KJ,
- 12. Пробеги и дисперсии пробегов ионов
- 13. Распределение пробегов ионов
- 14. Теория Линдхарда, Шарфа и Шиотта Механизмы потерь энергии иона при его торможении в мишени независимы друг
- 15. Потери энергии иона при торможении
- 16. Проецированная длина (а) и рассеяние (б) пробега ионов а б
- 17. Каналирование ионов
- 20. Приближение Пирсона
- 22. Фронт р-п перехода при ионном (а) и диффузионном (б) локальном легировании Маскирование производится пленками окиси кремния;
- 23. Профили распределения дефектов и атомов бора дефекты Френкеля – вакансии и атомы в междуузлиях дефекты смещений
- 24. Структура нарушенных слоев
- 25. Дозы аморфизации кремния и германия (а) и температурные зависимости доз аморфизации кремния (б) критическая температура аморфизации
- 26. Влияние термообработки на распределение фосфора, внедренного в кремний
- 27. Импульсная термообработка Восстановление кристаллической структуры слоев практически без изменения профиля распределения примеси. Такая возможность обеспечивается за
- 28. Оказывается возможной рекристаллизация полностью аморфизированных и даже поликристаллических слоев. Может проводиться как при однородном нагреве всей
- 29. Импульсная термообработка Восстановление кристаллической структуры после ионной имплантации. Снижение плотности дислокаций на 2-3 порядка величины и
- 30. Применение ионного легирования 1. Введение примеси Загонка примеси с точной дозировкой Создание профиля с максимумом на
- 31. Гетерирование - удаление нежелательных примесей и дефектов. Высвобождение примесей или разложение протяженных дефектов на составные части.
- 34. Скачать презентацию