Полевые транзисторы FET (field-effect transistor). Устройство, принципы работы полевых транзисторов различных типов презентация

Содержание

Слайд 2

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Полевые транзисторы Весна 2016

Полевой транзистор с управляющим p-n

переходом и каналом n-типа
n- channel junction FET

Слайд 3

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Полевые транзисторы Весна 2016

Полевой транзистор с управляющим p-n

переходом и каналом n-типа

Слайд 4

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Полевые транзисторы Весна 2016

drain

source

gate

N-channel FET
(electron-conducting )

Слайд 5

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Полевые транзисторы Весна 2016

drain

source

gate

P-channel FET
(hole-conducting FET)

Слайд 6

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Полевые транзисторы Весна 2016

Управляющие (сток-затворные) характеристики полевого

транзистора
с каналом n-типа

Слайд 7

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Полевые транзисторы Весна 2016

Управляющие (сток-затворные) характеристики полевого транзистора

с каналом р-типа

Слайд 8

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Полевые транзисторы Весна 2016

Выходные (стоковые) характеристики полевого транзистора

с каналом n-типа

Слайд 9

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Полевые транзисторы Весна 2016

Выходные (стоковые) характеристики полевого транзистора

с каналом p-типа

Слайд 10

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Полевые транзисторы Весна 2016

Участки выходной характеристики

Слайд 11

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Полевые транзисторы Весна 2016

Пологая область характеристики Ic=IcНАЧ(1-UЗИ/UЗИотс)2 UСИнас=|UЗИотс|-|UЗИ|
S=dIc/dUЗИ

при Uси=const Sнач=2IСнач/UЗИотс при UЗИ=0 S=Sнач(1-UЗИ/UЗИотс)

Слайд 12

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Полевые транзисторы Весна 2016

Крутизна характеристики транзистора с каналом

n-типа

Слайд 13

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Полевые транзисторы Весна 2016

Полевые транзисторы с изолированным
затвором

( insulated-gate FET)
МДП-транзисторы (металл-диэлектрик-полупроводник)
metal-insulator-semiconductor transistor
(MIS insulated-gate transistor)
МОП-транзисторы (металл-оксид-полупроводник) metal-oxide-semiconductor MOS
(MOS insulated transistor)

Слайд 14

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Полевые транзисторы Весна 2016

Слайд 15

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Полевые транзисторы Весна 2016

Выходные характеристики МДП-транзистора с встроенным

каналом n-типа

Слайд 16

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Полевые транзисторы Весна 2016

Выходные характеристики МДП-транзистора с встроенным

каналом n-типа

Слайд 17

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Полевые транзисторы Весна 2016

Характеристика управления МДП-транзистора с встроенным

каналом n-типа

IcНАЧ

Слайд 18

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Полевые транзисторы Весна 2016

МДП-транзистор с встроенным каналом p-типа

Слайд 19

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Полевые транзисторы Весна 2016

Выходные характеристики МДП-транзистора с встроенным

каналом p-типа

Слайд 20

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Полевые транзисторы Весна 2016

Характеристика управления МДП-транзистора с встроенным

каналом p-типа

Слайд 21

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Полевые транзисторы Весна 2016

Полевой транзистор с индуцированным каналом

n-типа
Induced-channel FET

Слайд 22

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Полевые транзисторы Весна 2016

Выходные характеристики МДП-транзистора с индуцированным

каналом n-типа

Слайд 23

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Полевые транзисторы Весна 2016

Характеристика управления МДП-транзистора с

индуцированным каналом n-типа

Слайд 24

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Полевые транзисторы Весна 2016

Полевой транзистор с индуцированным каналом

p-типа

Слайд 25

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Полевые транзисторы Весна 2016

Полевой транзистор с индуцированным каналом

p-типа

Слайд 26

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Полевые транзисторы Весна 2016

Выходные характеристики МДП-транзистора с индуцированным

каналом p-типа

Слайд 27

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Полевые транзисторы Весна 2016

Характеристики управления МДП-транзистора с индуцированным

каналом

Слайд 28

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Полевые транзисторы Весна 2016

Выходные характеристики МДП-транзистора при различных

напряжениях на подложке

Слайд 29

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

Полевые транзисторы Весна 2016

Зависимость передаточных характеристик полевых транзисторов

от температуры
Имя файла: Полевые-транзисторы-FET-(field-effect-transistor).-Устройство,-принципы-работы-полевых-транзисторов-различных-типов.pptx
Количество просмотров: 165
Количество скачиваний: 0