Слайд 2ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
Полевой транзистор
с управляющим p-n
переходом и каналом n-типа
n- channel junction FET
Слайд 3ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
Полевой транзистор
с управляющим p-n
переходом и каналом n-типа
Слайд 4ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
drain
source
gate
N-channel FET
(electron-conducting )
Слайд 5ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
drain
source
gate
P-channel FET
(hole-conducting FET)
Слайд 6ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
Управляющие (сток-затворные) характеристики полевого
транзистора
с каналом n-типа
Слайд 7ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
Управляющие (сток-затворные) характеристики полевого транзистора
с каналом р-типа
Слайд 8ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
Выходные (стоковые) характеристики полевого транзистора
с каналом n-типа
Слайд 9ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
Выходные (стоковые) характеристики полевого транзистора
с каналом p-типа
Слайд 10ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
Участки выходной характеристики
Слайд 11ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
Пологая область характеристики
Ic=IcНАЧ(1-UЗИ/UЗИотс)2
UСИнас=|UЗИотс|-|UЗИ|
S=dIc/dUЗИ
при Uси=const
Sнач=2IСнач/UЗИотс при UЗИ=0
S=Sнач(1-UЗИ/UЗИотс)
Слайд 12ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
Крутизна характеристики транзистора с каналом
n-типа
Слайд 13ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
Полевые транзисторы с изолированным
затвором
( insulated-gate FET)
МДП-транзисторы
(металл-диэлектрик-полупроводник)
metal-insulator-semiconductor transistor
(MIS insulated-gate transistor)
МОП-транзисторы
(металл-оксид-полупроводник)
metal-oxide-semiconductor MOS
(MOS insulated transistor)
Слайд 14ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
Слайд 15ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
Выходные характеристики МДП-транзистора с встроенным
каналом n-типа
Слайд 16ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
Выходные характеристики МДП-транзистора с встроенным
каналом n-типа
Слайд 17ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
Характеристика управления МДП-транзистора с встроенным
Слайд 18ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
МДП-транзистор с встроенным каналом p-типа
Слайд 19ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
Выходные характеристики МДП-транзистора с встроенным
каналом p-типа
Слайд 20ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
Характеристика управления МДП-транзистора с встроенным
каналом p-типа
Слайд 21ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
Полевой транзистор с индуцированным каналом
n-типа
Induced-channel FET
Слайд 22ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
Выходные характеристики МДП-транзистора с индуцированным
каналом n-типа
Слайд 23ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
Характеристика управления МДП-транзистора с
индуцированным каналом n-типа
Слайд 24ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
Полевой транзистор с индуцированным каналом
p-типа
Слайд 25ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
Полевой транзистор с индуцированным каналом
p-типа
Слайд 26ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
Выходные характеристики МДП-транзистора с индуцированным
каналом p-типа
Слайд 27ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
Характеристики управления МДП-транзистора с индуцированным
каналом
Слайд 28ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
Выходные характеристики МДП-транзистора при различных
напряжениях на подложке
Слайд 29ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
Полевые транзисторы Весна 2016
Зависимость передаточных характеристик полевых транзисторов
от температуры