Содержание
- 2. Для управления электрическими свойствами полупроводников в них специально вводят примеси (легируют). Необходимо подчеркнуть, что при замещении
- 3. Элементы III, IV, V групп Периодической системы Д.И. Менделеева
- 4. Донорный полупроводник
- 5. Донорный полупроводник Энергия ионизации доноров (Ed), как правило, невелика и при комнатной температуре донорная примесь отдает
- 6. Уровень Ферми в донорном полупроводнике В невырожденном донорном полупроводнике при температуре абсолютного нуля уровень Ферми находится
- 7. Донорный полупроводник Введение донорной примеси приводит к увеличению концентрации электронов (при её ионизации) и, соответственно, к
- 8. Уравнение электронейтральности Для собственного полупроводника: Если в полупроводнике присутствуют как донорная, так и акцепторная примесь
- 9. ; В невырожденном донорном полупроводнике при температуре абсолютного нуля уровень Ферми находится посередине между дном зоны
- 10. Зависимость положения уровня Ферми от температуры в полупроводнике n-типа
- 11. Заполнение электронами зоны проводимости в невырожденном полупроводнике n-типа
- 12. Функция Ферми-Дирака для примесных полупроводников
- 13. Положение уровня Ферми и концентрация носителей заряда для донорного полупроводника
- 14. Концентрация носителей заряда в легированном полупроводнике
- 15. Зависимость концентрации электронов от температуры в полупроводнике n-типа
- 16. В области температур между Ti и Ts (при температурах, близких к комнатной) можно легко рассчитать концентрацию
- 17. Акцепторный полупроводник
- 18. Акцепторный полупроводник Энергия ионизации акцепторов Ea
- 19. Уровень Ферми в акцепторном полупроводнике (6.3) (6.4)
- 20. Зависимость положения уровня Ферми от температуры в акцепторном полупроводнике
- 22. Зависимость положения уровня Ферми от температуры для Ge n- и p-типов
- 23. Уравнение электронейтральности Для собственного полупроводника: Если в полупроводнике присутствуют как донорная, так и акцепторная примесь
- 24. Проводимость полупроводников Электронная проводимость
- 25. Средняя тепловая скорость движения электронов будет определяться классическим соотношением: ~107 см/с – средняя тепловая скорость электронов,
- 26. Электроны взаимодействуют с дефектами кристаллической решетки, между собой и ядрами, изменяя (рассеивая) свою кинетическую энергию. Усредненное
- 27. Смещение энергетических зон под действием электрического поля А) Без смещения Б) Приложено внешнее напряжение
- 29. Расчет скорости свободного электрона
- 30. Схема движения свободного электрона а – при отсутствии внешнего поля б – при наличии внешнего поля
- 31. Коэффициент пропорциональности между дрейфовой скоростью и напряженностью электрического поля называют подвижностью носителей заряда и обозначают μ
- 32. Поскольку величина тока равна заряду, проходящему через сечение образца в единицу времени, плотность тока при слабом
- 33. Отсюда легко получить закон Ома в дифференциальной форме: Где – электронная проводимость (Ом∙см) Проводимость материала определяется
- 34. Классификация веществ
- 35. Насыщение дрейфовой скорости в сильных электрических полях
- 36. Существует несколько механизмов рассеяния энергии свободных носителей заряда. Для полупроводников наиболее важные два: рассеяние в результате
- 37. Подвижность носителей заряда
- 38. Рассеяние на ионах примеси
- 39. Подобно тому, как электромагнитное поле излучения можно трактовать как набор световых квантов – фотонов, поле упругих
- 40. Рассеяние на колебаниях решетки
- 41. При одновременном действии нескольких механизмов рассеяния для расчета подвижности можно воспользоваться понятием эффективной подвижности носителей.
- 42. Зависимость подвижности электронов и дырок от концентрации легирующей примеси
- 43. Зависимость подвижности носителей заряда от обратной температуры при различных концентрациях примеси
- 44. Поскольку в собственном полупроводнике отсутствуют примеси, рассеяние электронов и дырок в нем должно происходить только на
- 45. Типичные значения подвижности (300К) для некоторых полупроводников
- 47. Дырочная проводимость Чем больше подвижность, тем больше дрейфовая скорость носителей заряда и тем выше быстродействие полупроводникового
- 48. Расчет электропроводности
- 49. Суммарная электропроводность материала определяется общим количеством электронов и дырок: Плотность тока в кристалле будет равна
- 50. Собственная проводимость Зависимость электропроводности собственного материала от температуры:
- 52. Скачать презентацию