Содержание
- 2. Диффузия в кристаллах Диффузия углерода в железо!
- 3. Полупроводниковая гетероструктура - LED (необходимость контроля диффузии!) Ионная имплантация diffusion always important for processes at elevated
- 4. Пример «открытых» систем!
- 5. Почему происходит диффузия? S = kB lnΩ Ω - число способов, которым может быть реализовано данное
- 6. Понятие химического потенциала (системы с переменным числом частиц) Первое начало термодинамики для систем с переменным числом
- 7. F = U - TS dF = - SdT - pdV + Σ μi dNi μi
- 8. Движущая сила диффузии - разность химических потенциалов NA + NВ = N = const dNA =
- 9. Движущая сила диффузии (1) Рассмотрим ситуацию, когда в одной половинке кристалла часть атомов заменили на их
- 10. Движущая сила диффузии (2) При действии внешней силы F на частицы, участвующие в беспорядочном тепловом движении,
- 11. Феноменологическое описание диффузии
- 12. Диффузия в кристаллах C (dс/dx) C
- 13. Диффузия углерода в железе
- 14. Уравнение диффузии - химический анализ; - изотопный метод (метод меченных атомов) J = - Dgrad C
- 15. сохранение полного кол-ва вещества
- 16. Ldiff ~ (Dt)1/2 х
- 17. Диффузия носителей заряда в полупроводниках Концентрация неосновных носителей заряда возрастает на порядки Короткая вспышка
- 18. с0
- 20. Время выравнивания, длина распространения (размерные соображения) t ~ L2/D
- 21. L ~ t 1/2
- 22. Разновидности диффузии в кристаллах
- 23. Явление -невидимка
- 24. Гетеродиффузия D = D0 e − ED / kT
- 25. Слайд 32
- 27. Механизмы диффузии в кристаллах Основной механизм диффузии! Для атомов малого размера, типа H, C
- 28. Образование пор как результат взаимной диффузии Поры - скопления вакансий
- 29. Взаимная диффузия
- 30. Эффект Киркендалла
- 32. Межузельная диффузия водорода в металлах t ~ L2/D =? Сколько времени понадобится водороду, чтобы протечь через
- 33. Межузельная диффузия в металлах
- 34. Микроскопические (атомные) подходы к описанию диффузии
- 35. Eν νD ≈ 1013 c-1
- 36. В соответствии с принципом Больцмана wC/wA = e− Eν / kBT ; nC/nA = e− Eν
- 37. Дисперсионные кривые для нормальных колебаний решетки ω = vзвk; k = 2π/λ ; ω = 2π
- 38. Оценки частоты перескоков при диффузии ν = ν0 exp(− Eν / kBT) kB T = 1.4
- 39. Броуновское движение
- 40. ~ Dt
- 41. Броуновское движение (случайные блуждания на периодической решетке) Вектор r, соединяющий начальное и конечное положение частицы, равен
- 42. Образец алюминия резко охлаждают от высокой температуры до 300 К. Определите среднее время жизни избыточных вакансии,
- 43. Броуновское движение: ≠ Vt; = Dt , где D коэффициент диффузии Броуновской частицы. W ~ exp(
- 44. Таким образом, Dν = νa2 Dν = za2ν0e − Eν / kBT В итоге имеем для
- 45. Соотношение Эйнштейна (1) μp ν = v/ F μp ν KBT = Dν μp ν =
- 46. Соотношение Эйнштейна (2) ν = ν0 e− Eν / kT F Eν Eν - Fa/2 Eν
- 47. Коэффициент диффузии и его температурная зависимость в случае вакансионного механизма D = cv Dν ; D
- 49. Соотношение между ED и Тпл
- 50. Поверхностная диффузия. Использование техники СТМ
- 51. Поверхностная диффузия
- 52. адатомы!
- 53. Использование СТМ для изучения поверхностной диффузии
- 55. Скачать презентацию