Слайд 2
![Напівпровідниковий діод — це напівпровідниковий прилад з одним випрямним електричним переходом і двома зовнішніми виводами.](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/4333/slide-1.jpg)
Напівпровідниковий діод —
це напівпровідниковий
прилад з одним
випрямним
електричним
переходом і двома
зовнішніми
виводами.
Слайд 3
![Випрямним електричним переходом, в напівпровідникових діодах, може бути електронно-дірковий перехід, гіперперехід або контакт метал-напівпровідник.](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/4333/slide-2.jpg)
Випрямним електричним переходом, в напівпровідникових діодах, може бути електронно-дірковий перехід, гіперперехід
або контакт метал-напівпровідник.
Слайд 4
![Випрямний перехід, окрім ефекту випрямлення, має й інші властивості, що](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/4333/slide-3.jpg)
Випрямний перехід, окрім ефекту випрямлення, має й інші властивості, що використовуються
для створення різних видів напівпровідникових діодів: випрямних діодів, стабілітронів, лавинно-пролітних діодів, тунельних діодів, варикапів та інших.
Слайд 5
![Тому напівпровідникові діоди поділяють: на випрямні, високочастотні; надвисокочастотні, імпульсні, опірні](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/4333/slide-4.jpg)
Тому напівпровідникові діоди поділяють:
на випрямні,
високочастотні;
надвисокочастотні,
імпульсні,
опірні (стабілітрони),
чотиришарові перемикаючі,
фотодіоди,
світлодіоди,
тунельні діоди та інші.
Слайд 6
![Якщо сплавити напівпровідники з різними типами провідності (n— та p-провідністю),](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/4333/slide-5.jpg)
Якщо сплавити напівпровідники з різними типами провідності (n— та p-провідністю), то
на межах їх стику утворюється p-n перехід. Вільні електрони з області напівпровідника з n-провідністю рекомбінують з «дірками» напівпровідника з p-провідністю. Утворюється нейтральний шар, який розділяє дві області з електричними зарядами. Створюється різниця потенціалів.
Слайд 7
![Якщо подати напругу негативним знаком на n-область та позитивним на](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/4333/slide-6.jpg)
Якщо подати напругу негативним знаком на n-область та позитивним на p-область,
то електрони будуть здатні подолати нейтральний бар'єр і через діод потече струм (пряме увімкнення діода). Якщо подати напругу позитивним знаком на n-область, а негативним на p-область, то нейтральний шар розшириться і струм протікати не буде.
Слайд 8
![Основні параметри напівпровідникового діода Is — струм насичення (тепловий струм);](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/4333/slide-7.jpg)
Основні параметри напівпровідникового діода
Is — струм насичення (тепловий струм);
Rб — опір бази діода;
Rа —
активний опір;
RД — диференційний опір;
Cб — бар'єрна ємність;
СД — дифузійна ємність
Rтп к — тепловий опір перехід-корпус;
Кв — коефіцієнт випростування;
φк — контактна різниця потенціалів.
Слайд 9
![Проектування При автоматизованому проектуванні мікроелектронної апаратури (МЕА), широко використовуються моделі](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/4333/slide-8.jpg)
Проектування
При автоматизованому проектуванні мікроелектронної апаратури (МЕА), широко використовуються моделі елементної бази,
зокрема, моделі напівпровідникових приладів та інтегральних мікросхем (ІМС). Найпоширенішими є топологічні моделі, наведені у вигляді еквівалентної заступної схеми, або неспрямованого графа, вітки яких відбивають шляхи розповсюдження фізичного процесу у приладах.