Полупроводниковые лазеры презентация

Содержание

Слайд 2

Параметры некоторых полупроводников

Параметры некоторых полупроводников

Слайд 3

Условие поглощения

Условие поглощения

Слайд 4

К чему приводит прямое смещение

К чему приводит прямое смещение

Слайд 5

Слайд 6

Гетеропереход Для п/п с узкой ЗЗ используют обозначения n, p С штрокой – N, P

Гетеропереход

Для п/п с узкой ЗЗ используют обозначения n, p
С штрокой –

N, P
Слайд 7

Гетеропереход В реальности – разрывы ΔEV и ΔEC ΔEV+ΔEC=Eg1-Eg2 Причина

Гетеропереход

В реальности – разрывы ΔEV и ΔEC
ΔEV+ΔEC=Eg1-Eg2
Причина – скачки диэлектрической проницаемости

и электронного сродства
Слайд 8

Эффекты в гетеропереходах

Эффекты в гетеропереходах

Слайд 9

Эффекты Эффект широкозонного окна: генерируемое излучение не поглощается в широкозонной

Эффекты

Эффект широкозонного окна: генерируемое излучение не поглощается в широкозонной области.
Эффект односторонней

инжекции – преимущественная инжекция зарядов из широкозонной области в узкозонную. Отношение электронного и дырочного токов определяется множителем exp[(Eg1-Eg2)/kT] и при комнатной температуре может достигать нескольких тысяч.
Эффект «сверхинжекции» - В гетеропереходе возможно возникновение «отрицательного барьера» для электронов или дырок.
Волноводный эффект. Показатель преломления узкозонного материала, как правило, выше такового для широкозонного.
Слайд 10

Гетеропереход

Гетеропереход

Слайд 11

ДГС лазер

ДГС лазер

Слайд 12

ДГС лазер

ДГС лазер

Слайд 13

Лазерные структуры

Лазерные структуры

Слайд 14

Для лазеров разной структуры

Для лазеров разной структуры

Слайд 15

Ватт-амперная характеристика лазера

Ватт-амперная характеристика лазера

Слайд 16

Спектральные характеристики п/п излучателей

Спектральные характеристики п/п излучателей

Слайд 17

Схема конструкции

Схема конструкции

Слайд 18

Схема конструкции

Схема конструкции

Слайд 19

Схема конструкции

Схема конструкции

Слайд 20

Слайд 21

Схема конструкции

Схема конструкции

Слайд 22

Реальные конструкции ППЛ В ВО системах передачи информации применяются лазеры

Реальные конструкции ППЛ

В ВО системах передачи информации применяются лазеры полосковой геометрии,

в которых область протекания тока ограничена по плоскости p-n перехода. Ширина полосковых контактов обычно равна 3¸5 мкм. Такое ограничение, во-первых, необходимо для уменьшения площади свечения и рабочего тока. Во-вторых, при ширине полосок менее 5 мкм происходит генерация света в одном канале и в основной поперечной моде, в результате чего повышается коэффициент ввода излучения в волокно и линейность ватт-амперной характеристики лазера.
Слайд 23

Реальные конструкции ППЛ Конструкция лазерного диода с зарощенной мезополосковой структурой

Реальные конструкции ППЛ

Конструкция лазерного диода с зарощенной мезополосковой структурой

Слайд 24

Реальные конструкции ППЛ Недотравленная мезополосковая структура

Реальные конструкции ППЛ

Недотравленная мезополосковая структура

Слайд 25

Реальные конструкции В волоконно-оптических линиях связи большое распространение получили конструкции

Реальные конструкции

В волоконно-оптических линиях связи большое распространение получили конструкции лазерных модулей

типа «ДИП» или «Баттерфляй». Основными элементами лазерного модуля являются: лазерный диод (ЛД), фотодиод, термоэлектрический холодильник, оптический изолятор, одномодовый световод со сферической линзой на конце.
Слайд 26

Электрическая схема модуля ДМПО131-23 ФД – фотодиод обратной связи Тр

Электрическая схема модуля ДМПО131-23

ФД – фотодиод обратной связи
Тр – термосопротивление

для контроля температуры
ТЭО – термоэлектический охладитель (элемент Пельтье)
Слайд 27

Излучатель ИЛПН-1300-100 / ИЛПН-1550-100

Излучатель ИЛПН-1300-100 / ИЛПН-1550-100

Слайд 28

Излучатель ИЛПН-1300-100 / ИЛПН-1550-100 Полупроводниковый излучатель ИЛПН-1300 / ИЛПН-1550, выполненный

Излучатель ИЛПН-1300-100 / ИЛПН-1550-100

Полупроводниковый излучатель ИЛПН-1300 / ИЛПН-1550, выполненный в малогабаритном

корпусе 9мм, служит источником когерентного излучения для различных целей. Излучатель имеет высокую характеристическую температуру и низкие токи накачки. В состав прибора входит встроенный фотодиод для поддержания постоянного уровня мощности излучения. Наработка на отказ составляет не менее 40 000 часов. Диапазон рабочих температур –40…+60°С.
Слайд 29

Передающие оптические модули Передающие оптические модули для волоконно-оптических линий связи

Передающие оптические модули

Передающие оптические модули для волоконно-оптических линий связи (ВОЛС). Модули

изготовлены из InGaAsP/InP и AlGaInP/GaAs лазерных диодов c длиной волны излучения 1.3 и 1.55 мкм, выпускаются в охлаждаемых и неохлаждаемых корпусах с одномодовым или многомодовым оптическим волокном.
Слайд 30

Спасибо за внимание!

Спасибо за внимание!

Слайд 31

Слайд 32

Имя файла: Полупроводниковые-лазеры.pptx
Количество просмотров: 75
Количество скачиваний: 0