Усилители СВЧ презентация

Содержание

Слайд 2

УСИЛИТЕЛИ МОЩНОСТИ

Усилители мощности (УМ) являются каскадами радиопередающего устройства.
Поэтому одним из

основных применений транзисторов являются усилители мощности.

УСИЛИТЕЛИ МОЩНОСТИ Усилители мощности (УМ) являются каскадами радиопередающего устройства. Поэтому одним из основных

Слайд 3

СТРУКТУРНАЯ СХЕМА ТРАНЗИСТОРНОГО УМ

СТРУКТУРНАЯ СХЕМА ТРАНЗИСТОРНОГО УМ

Слайд 4

РОЛЬ ОСНОВНЫХ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ СХЕМЫ

Транзистор – это активный элемент, преобразую-щий энергию постоянного электрического

поля в энергию электромагнитных колебаний.
Входная согласующая цепь преобразует внутреннее сопротивление источника сигнала во входное сопротивление транзистора, а выходная преобразует оптимальное выходное сопротив-ление транзистора в сопротивление нагрузки.
Цепь питания содержит источник питания и блокировочные элементы, разделяющие цепи по постоянному и переменному токам.

РОЛЬ ОСНОВНЫХ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ СХЕМЫ Транзистор – это активный элемент, преобразую-щий энергию постоянного

Слайд 5

Цепь смещения состоит из источника смещения или цепи автосмещения и блокировочных эле-ментов.
Разделительные

емкости разделяют цепи переменного и постоянного токов

РОЛЬ ОСНОВНЫХ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ СХЕМЫ

Цепь смещения состоит из источника смещения или цепи автосмещения и блокировочных эле-ментов. Разделительные

Слайд 6

ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ И ХАРАКТЕРИСТИКИ УМ

ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ И ХАРАКТЕРИСТИКИ УМ

Слайд 7

Слайд 8

Слайд 9

ТОЧКА КОМПРЕССИИ Р1ДБ

Точка компрессии Р1дБ - точка на амплитудной характеристике Рвых( Рвх) ,

в которой коэффициент усиления меньше на 1 дБ коэффициента усиления идеального усилителя.

ТОЧКА КОМПРЕССИИ Р1ДБ Точка компрессии Р1дБ - точка на амплитудной характеристике Рвых( Рвх)

Слайд 10

ПАРАМЕТР IP3

Параметр IP3 - точка пересечения идеальных амплитудных характеристик основного сигнала Рн.ид( Рвх)

и интермодуляционного Ри.ид( Рвх) .
Как правило, на 10-15 дБ.

ПАРАМЕТР IP3 Параметр IP3 - точка пересечения идеальных амплитудных характеристик основного сигнала Рн.ид(

Слайд 11

АМПЛИТУДНО-ЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ УМ

К амплитудно-частотным характеристикам относят зависимости мощности, коэффициента усиления и КПД от

частоты

АМПЛИТУДНО-ЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ УМ К амплитудно-частотным характеристикам относят зависимости мощности, коэффициента усиления и КПД от частоты

Слайд 12

ЦЕПИ ПИТАНИЯ И СМЕЩЕНИЯ

Режим работы транзистора по постоянному току в усилителе мощности обеспечивают

цепи питания и смещения.
Цепь питания включается со стороны выхода транзистора и содержит источник постоянного напряжения и блокировочные элементы.

ЦЕПИ ПИТАНИЯ И СМЕЩЕНИЯ Режим работы транзистора по постоянному току в усилителе мощности

Слайд 13

ЦЕПЬ ПИТАНИЯ

ЦЕПЬ ПИТАНИЯ

Слайд 14

ОПРЕДЕЛЕНИЕ БЛОКИРОВОЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ

Величины Lбл и Ср выбирают из условий:
либо из приближенных равенств:
где ω

= 2πf, f - рабочая частота, Rк - сопротивление нагрузки, пересчитанное к выходу транзистора

ОПРЕДЕЛЕНИЕ БЛОКИРОВОЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ Величины Lбл и Ср выбирают из условий: либо из приближенных

Слайд 15

ЦЕПИ СМЕЩЕНИЯ

Цепь смещения от фиксированного источника смещения
Цепь автосмещения
Упрощенная схема автосмещения
Схема смещения током эмиттера

ЦЕПИ СМЕЩЕНИЯ Цепь смещения от фиксированного источника смещения Цепь автосмещения Упрощенная схема автосмещения

Слайд 16

ЦЕПЬ СМЕЩЕНИЯ ОТ ФИКСИРОВАННОГО ИСТОЧНИКА СМЕЩЕНИЯ

ЦЕПЬ СМЕЩЕНИЯ ОТ ФИКСИРОВАННОГО ИСТОЧНИКА СМЕЩЕНИЯ

Слайд 17

ДОСТОИНСТВА И НЕДОСТАТКИ ЦЕПИ СМЕЩЕНИЯ ОТ ФИКСИРОВАННОГО ИСТОЧНИКА СМЕЩЕНИЯ

Достоинства схемы: получение напряжений любой

полярности как положительной, так и отрицательной.
Недостаток схемы: необходимость применения дополнительного источника напряжения.
Выбираются элементы Lбл, Сбл в цепи смещения, так же как и в цепи питания. Только в этом случае сравнение сопротивлений элементов происходит со входным сопротивлением транзистора Rвх. Часто величины блокировочных элементов выбираются такими же, как и в цепи питания.

ДОСТОИНСТВА И НЕДОСТАТКИ ЦЕПИ СМЕЩЕНИЯ ОТ ФИКСИРОВАННОГО ИСТОЧНИКА СМЕЩЕНИЯ Достоинства схемы: получение напряжений

Слайд 18

ЦЕПЬ АВТОСМЕЩЕНИЯ

В данной схеме вместо источника смещения включен резистор Rсм. Смещение происходит за

счет протекания тока Iб0 через резистор Rсм
Напряжение смещения равно :
!

ЦЕПЬ АВТОСМЕЩЕНИЯ В данной схеме вместо источника смещения включен резистор Rсм. Смещение происходит

Слайд 19

УПРОЩЕННАЯ СХЕМА АВТОСМЕЩЕНИЯ

Данная схема используется, если Rвх<В этой схеме смещение, также, происходит

за счет про-текания тока Iб0 через сопротивление Rсм.

УПРОЩЕННАЯ СХЕМА АВТОСМЕЩЕНИЯ Данная схема используется, если Rвх В этой схеме смещение, также,

Слайд 20

СХЕМА СМЕЩЕНИЯ ТОКОМ ЭМИТТЕРА

Смещение транзистора в этой схеме осуществляется за счет протекания тока

эмиттера через сопротивление Rсм, установленное в цепи эмиттера.
Напряжение смещения равно:

где

СХЕМА СМЕЩЕНИЯ ТОКОМ ЭМИТТЕРА Смещение транзистора в этой схеме осуществляется за счет протекания

Слайд 21

СМЕЩЕНИЕ С ПОМОЩЬЮ РЕЗИСТИВНОГО ДЕЛИТЕЛЯ

СМЕЩЕНИЕ С ПОМОЩЬЮ РЕЗИСТИВНОГО ДЕЛИТЕЛЯ

Слайд 22

РАСЧЕТ НАПРЯЖЕНИЯ СМЕЩЕНИЯ

В схеме напряжение смещения на базе транзистора равно
Если известны величины сопротивлений

делителя, определим напряжение смещения:

где

РАСЧЕТ НАПРЯЖЕНИЯ СМЕЩЕНИЯ В схеме напряжение смещения на базе транзистора равно Если известны

Слайд 23

РЕАЛИЗАЦИЯ ЦЕПЕЙ ПИТАНИЯ И СМЕЩЕНИЯ НА СВЧ

РЕАЛИЗАЦИЯ ЦЕПЕЙ ПИТАНИЯ И СМЕЩЕНИЯ НА СВЧ

Слайд 24

В коллекторной цепи транзистора включены два отрезка линий: узкий - длиной λ1/4 (отрезок

2) и разомкнутый широкий - длиной λ2/4 отрезок (1). В точке B входное сопротивление практически равно нулю, а в точке A - бесконечности.
Для сохранения малого входного сопротивления отрезка 1 и большого сопротивления отрезка 2 волновое сопротивление отрезка 1 выбирают малым (порядка 10-30 Ом), а отрезка 2- большим (порядка 80-100 Ом). При этом увеличивается и полоса частот, в которой работает цепь блокировки, состоящая из этих двух отрезков.
Организация подачи напряжения смещения в базовую цепь осуществляется аналогичным образом

В коллекторной цепи транзистора включены два отрезка линий: узкий - длиной λ1/4 (отрезок

Слайд 25

ЦЕПИ СОГЛАСОВАНИЯ

Структурная схема УМ по переменному току

Для реализации оптимального режима к выходу транзистора

подключают некоторое сопротивление нагрузки, которое отличается от реального сопротивления нагрузки Zн.

ЦЕПИ СОГЛАСОВАНИЯ Структурная схема УМ по переменному току Для реализации оптимального режима к

Слайд 26

ПРОСТЕЙШИЕ ЦЕПИ СОГЛАСОВАНИЯ

Г-образная согласующая цепь
Инвертирующие цепи (Т и П - образные цепи

).
Трансформирующие цепи.

ПРОСТЕЙШИЕ ЦЕПИ СОГЛАСОВАНИЯ Г-образная согласующая цепь Инвертирующие цепи (Т и П - образные

Слайд 27

Г-ОБРАЗНАЯ СОГЛАСУЮЩАЯ ЦЕПЬ (R, >R)

Г-ОБРАЗНАЯ СОГЛАСУЮЩАЯ ЦЕПЬ (R, >R)

Слайд 28

СООТНОШЕНИЯ МЕЖДУ R’, X’, R, X И Q

Q- добротность последовательной или эквивалентной ей

параллельной цепи.

СООТНОШЕНИЯ МЕЖДУ R’, X’, R, X И Q Q- добротность последовательной или эквивалентной ей параллельной цепи.

Слайд 29

МЕТОДИКА РАСЧЕТА Г-ОБРАЗНОЙ ЦЕПИ

по известным сопротивлениям R и R′ определим добротность цепи
из

условия Х=RQ определим Х и величину индуктивности
из условия Х ,=R , /Q определим Х , и величину емкости

МЕТОДИКА РАСЧЕТА Г-ОБРАЗНОЙ ЦЕПИ по известным сопротивлениям R и R′ определим добротность цепи

Слайд 30

ИНВЕРТИРУЮЩИЕ ЦЕПИ

Согласующую цепь называют инвертирующей, если выполняется соотношение:
где
Особенности инвертирующей цепи состоят в

следующем:
входное сопротивление изменяется обратно пропорционально сопротивлению нагрузки;
знаки Xвх и Xн противоположны; активное сопротивление преобразуется в активное сопротивление.

- входное сопротивление согласующей цепи;

- сопротивление нагрузки

ИНВЕРТИРУЮЩИЕ ЦЕПИ Согласующую цепь называют инвертирующей, если выполняется соотношение: где Особенности инвертирующей цепи

Слайд 31

Т И П - ОБРАЗНЫЕ ЦЕПИ (ИНВЕРТИРУЮЩИЕ ЦЕПИ)

Т-образная цепь

П-образная цепь

Данные схемы позволяют преобразовывать

сопротивления при выполнении следующих условий:

и

Т И П - ОБРАЗНЫЕ ЦЕПИ (ИНВЕРТИРУЮЩИЕ ЦЕПИ) Т-образная цепь П-образная цепь Данные

Слайд 32

ТРАНСФОРМИРУЮЩИЕ ЦЕПИ

Согласующая цепь называется трансформирующей, если выполняется условие:

В даной схеме величины элементов

выбираются согласно соотношению:

ТРАНСФОРМИРУЮЩИЕ ЦЕПИ Согласующая цепь называется трансформирующей, если выполняется условие: В даной схеме величины

Слайд 33

ОСОБЕННОСТИ ТРАНСФОРМИРУЮЩИХ ЦЕПЕЙ:

Входное сопротивление изменяется пропорционально изменению сопротивления нагрузки;
Знак мнимой части Żвх

совпадает со знаком мнимой части Żн;
При Xн = 0 мнимая часть Xвх=0.
Трансформирующая цепь образуется каскадным соединением Г-образных звеньев.

ОСОБЕННОСТИ ТРАНСФОРМИРУЮЩИХ ЦЕПЕЙ: Входное сопротивление изменяется пропорционально изменению сопротивления нагрузки; Знак мнимой части

Слайд 34

ПРИМЕРЫ РЕАЛИЗАЦИИ ЦЕПЕЙ СОГЛАСОВАНИЯ НА СВЧ

В качестве согласующих цепей полупроводниковых усилителей мощности СВЧ

используют согласующие транcформаторы;
Простейшие трансформаторы
одношлейфный трансформатор;
четвертьволновый трансформатор.

ПРИМЕРЫ РЕАЛИЗАЦИИ ЦЕПЕЙ СОГЛАСОВАНИЯ НА СВЧ В качестве согласующих цепей полупроводниковых усилителей мощности

Слайд 35

ОДНОШЛЕЙФНЫЙ ТРАНСФОРМАТОР

Одношлейфный трансформатор представляет собой соединение отрезка линии передачи длиной l и

шлейфа длиной lш .

ОДНОШЛЕЙФНЫЙ ТРАНСФОРМАТОР Одношлейфный трансформатор представляет собой соединение отрезка линии передачи длиной l и

Слайд 36

МЕТОДИКА РАСЧЕТА ОДНОШЛЕЙФНОГО ТРАНСФОРМАТОРА

Пусть требуется преобразовать проводимость нагрузки Ỳн в волновую проводимость

линии Y0, тогда данная задача решается в 2 этапа:
1 этап : выбор точки подключения
Определим длину отрезка l из условия:
!
где ρ - волновое сопротивление линии;
λл- длина волны в линии;
B-реактивная составляющая проводимости в точке подключения шлейфа.

МЕТОДИКА РАСЧЕТА ОДНОШЛЕЙФНОГО ТРАНСФОРМАТОРА Пусть требуется преобразовать проводимость нагрузки Ỳн в волновую проводимость

Слайд 37

2 этап :
Компенсируем реактивную проводимость -jB реактивной проводимостью шлейфа Yш = jB.
Определяем

lш из условия:
В результате получаем суммарную проводимость в точке подключения шлейфа:

2 этап : Компенсируем реактивную проводимость -jB реактивной проводимостью шлейфа Yш = jB.

Слайд 38

ЧЕТВЕРТЬВОЛНОВЫЙ ТРАНСФОРМАТОР

Данный трансформатор представляет собой четверть-волновый отрезок линии с волновым сопротивлением ρ, к

которому подключены линии с волновыми сопротивлениями ρ1 и ρ2, нагруженные на сопротивления Zвх= ρ1 и Zн= ρ2,
ρ выбирается из условия ρ2=ρ1ρ2

ЧЕТВЕРТЬВОЛНОВЫЙ ТРАНСФОРМАТОР Данный трансформатор представляет собой четверть-волновый отрезок линии с волновым сопротивлением ρ,

Слайд 39

Сложение мощностей СВЧ усилителей в мостовых устройствах
Мостовым устройством называют многополюсник, с помощью которого

осуществляется совместная взаимонезависимая работа двух (и более) источников колебаний на общую нагрузку.

Сложение мощностей СВЧ усилителей в мостовых устройствах Мостовым устройством называют многополюсник, с помощью

Слайд 40

СТРУКТУРНАЯ СХЕМА СИНФАЗНОГО МОСТА В СИНФАЗНОМ МОСТОВОМ УСТРОЙСТВЕ СЛОЖЕНИЕ КОЛЕБАНИЙ ПРОИСХОДИТ В ФАЗЕ
Rвх1 =

Rвх2 = Rн =R, Rб=2 R.

СТРУКТУРНАЯ СХЕМА СИНФАЗНОГО МОСТА В СИНФАЗНОМ МОСТОВОМ УСТРОЙСТВЕ СЛОЖЕНИЕ КОЛЕБАНИЙ ПРОИСХОДИТ В ФАЗЕ

Слайд 41

В данной схеме использованы две П-образные цепочки, причем ωL = 1/ωС = X=R√2.


СИНФАЗНЫЙ МОСТ, РЕАЛИЗОВАННЫЙ НА LC - ЭЛЕМЕНТАХ

В данной схеме использованы две П-образные цепочки, причем ωL = 1/ωС = X=R√2.

Слайд 42

СИНФАЗНЫЙ МОСТ В МИКРОПОЛОСКОВОМ ИСПОЛНЕНИИ

В данную схему включены четвертьволновые отрезки микрополосковой линии с

волновым сопротивлением:

СИНФАЗНЫЙ МОСТ В МИКРОПОЛОСКОВОМ ИСПОЛНЕНИИ В данную схему включены четвертьволновые отрезки микрополосковой линии с волновым сопротивлением:

Слайд 43

КВАДРАТУРНЫЙ МОСТ !

В квадратурном мостовом устройстве сложение колебаний происходит в квадратуре или со сдвигом

фаз в 900
Rвх1 = Rвх2=Rн=Rб

КВАДРАТУРНЫЙ МОСТ ! В квадратурном мостовом устройстве сложение колебаний происходит в квадратуре или

Слайд 44

РЕАЛИЗАЦИЯ МОСТА НА СОСРЕДОТОЧЕННЫХ ЭЛЕМЕНТАХ

Индуктивности и емкости выбираются из соотношений:

РЕАЛИЗАЦИЯ МОСТА НА СОСРЕДОТОЧЕННЫХ ЭЛЕМЕНТАХ Индуктивности и емкости выбираются из соотношений:

Слайд 45

РЕАЛИЗАЦИЯ МОСТА В МИКРОПОЛОСКОВОМ ИСПОЛНЕНИИ !

Волновые сопротивления отрезков линий в микрополосковом мостовом устройстве соответствуют:

РЕАЛИЗАЦИЯ МОСТА В МИКРОПОЛОСКОВОМ ИСПОЛНЕНИИ ! Волновые сопротивления отрезков линий в микрополосковом мостовом устройстве соответствуют:

Слайд 46

МАЛОШУМЯЩИЕ УСИЛИТЕЛИ

Малошумящие усилители используются в преселекторах радиоприемных устройств. Поэтому одним из основных

применений транзисторов являются малошумящие усилители.
В диапазоне СВЧ для расчета МШУ используются матрицы рассеяния S.

МАЛОШУМЯЩИЕ УСИЛИТЕЛИ Малошумящие усилители используются в преселекторах радиоприемных устройств. Поэтому одним из основных

Слайд 47

СТРУКТУРНАЯ СХЕМА МШУ

Характеристические сопротивления подводящих линий равны ρ01 и ρ02; стрелками на рисунке

отмечены коэффициенты отражения Гi.
Назначение цепей СЦ1, СЦ2 состоит в согласовании транзистора по входу и выходу с подводящими линиями.

СТРУКТУРНАЯ СХЕМА МШУ Характеристические сопротивления подводящих линий равны ρ01 и ρ02; стрелками на

Слайд 48

ОБЕСПЕЧЕНИЕ УСТОЙЧИВОЙ РАБОТЫ ТРАНЗИСТОРА В МШУ

При проектировании МШУ необходимо обеспечить его устойчивость (отсутствия

самовозбуждения). В зависимости от значений S-параметров транзистор находится либо в области безусловной устойчивости (ОБУ, т.е. отсутствуют самовозбуждения при подключении произвольных сопротивле-ний Zг, Zн ), либо в области потенциальной устойчивости (ОПУ). Транзистор находится в ОБУ, если выполняются условия:

ОБЕСПЕЧЕНИЕ УСТОЙЧИВОЙ РАБОТЫ ТРАНЗИСТОРА В МШУ При проектировании МШУ необходимо обеспечить его устойчивость

Слайд 49

Kу - инвариантный коэффициент устойчивости. Если Kу > 1, то возможно двустороннее согласование

транзистора. Если хотя бы одно из условий не выполняется, то транзистор потенциально устойчив и следует тщательно подбирать сопротивления Zг и Zн.
Транзисторы должны находятся в области безусловной устойчивости. Если транзистор находится в ОПУ, то его следует перевести в ОБУ, включив последовательно или параллельно стабилизирующий резистор Rст . Параллельное включение Rст, если транзистор теряет устойчивость в режиме, близком к холостому ходу, а последовательное - в режиме, близком к короткому замыканию.

Kу - инвариантный коэффициент устойчивости. Если Kу > 1, то возможно двустороннее согласование

Слайд 50

УЛУЧШЕНИЕ УСТОЙЧИВОСТИ

Параллельное включение Rст

Последовательное включение Rст

УЛУЧШЕНИЕ УСТОЙЧИВОСТИ Параллельное включение Rст Последовательное включение Rст

Слайд 51

РАСЧЕТ РЕЗИСТОРА RСТ

Транзистор со стабилизирующим резистором рассматри-вают как составной транзистор
Задаются желаемым

инвариантным коэффициентом устой-чивости составного транзистора КуТ, например, в пределах 1,03...1,1.
Рассчитываем величину Rст для параллельного включения:
Рассчитываем величину Rст для последовательного включе-ния:

РАСЧЕТ РЕЗИСТОРА RСТ Транзистор со стабилизирующим резистором рассматри-вают как составной транзистор Задаются желаемым

Слайд 52

S-ПАРАМЕТРЫ СОСТАВНОГО ТРАНЗИСТОРА

Рассчитаем S-параметры составного транзистора, состоящего из соединения транзистора и стабилизи-рующего резистора:
где

D=1-S22S11ст;
Sij - параметры транзистора;
Sij ст –параметры резистора

S-ПАРАМЕТРЫ СОСТАВНОГО ТРАНЗИСТОРА Рассчитаем S-параметры составного транзистора, состоящего из соединения транзистора и стабилизи-рующего

Слайд 53

реализуемый коэффициент передачи по мощности
коэффициент отражения от генератора
коэффициент отражения от нагрузки
Абсолютно

устойчивый транзистор можно согласовать как по входу, так и по выходу.

реализуемый коэффициент передачи по мощности коэффициент отражения от генератора коэффициент отражения от нагрузки

Слайд 54

РЕЖИМЫ УСИЛЕНИЯ

Режим экстремального усиления
Режим минимального коэффициента шума

РЕЖИМЫ УСИЛЕНИЯ Режим экстремального усиления Режим минимального коэффициента шума

Слайд 55

РЕЖИМ ЭКСТРЕМАЛЬНОГО УСИЛЕНИЯ (1)
При этом
В основном выражении знак «минус» берется при B1(2) >0,

а знак «плюс»
из B1(2) <0

РЕЖИМ ЭКСТРЕМАЛЬНОГО УСИЛЕНИЯ (1) При этом В основном выражении знак «минус» берется при

Слайд 56

ОПТИМАЛЬНЫЕ СОПРОТИВЛЕНИЯ ТРАНЗИСТОРА И КОЭФФИЦИЕНТ УСИЛЕНИЯ

По полученным данным Гг опт и Гн опт

можно рассчитать значения :
где ρ0 - стандартное характеристическое сопротивление, при котором измерены S-параметры транзистора.
В этом режиме экстремум коэффициента передачи номинальной мощности транзистора достигается при KуТ > 1 и соответствует
где знак “минус” –соответствует режиму работы транзистора, находящегося в ОБУ. Знак “плюс” –режиму работы транзистора, находящегося в ОПУ.

ОПТИМАЛЬНЫЕ СОПРОТИВЛЕНИЯ ТРАНЗИСТОРА И КОЭФФИЦИЕНТ УСИЛЕНИЯ По полученным данным Гг опт и Гн

Слайд 57

КОЭФФИЦИЕНТ ШУМА
Гг - коэффициент отражения от генератора в стандартном тракте;
Kmin - минимальный коэффициент

шума усилителя, который достигается при некотором значении Гг= Гг ш опт
Шумовые свойства СВЧ транзистора полностью описываются параметрами , Гг ш опт и Kш0.

КОЭФФИЦИЕНТ ШУМА Гг - коэффициент отражения от генератора в стандартном тракте; Kmin -

Имя файла: Усилители-СВЧ.pptx
Количество просмотров: 5
Количество скачиваний: 0