Слайд 2
![ЭЛЕКТРОНИКА Основная литература: 1. Миловзоров О.В., Панков И.Г. Электроника: учебник](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/342401/slide-1.jpg)
ЭЛЕКТРОНИКА
Основная литература:
1. Миловзоров О.В., Панков И.Г. Электроника: учебник для вузов. –
М.: Высшая школа., 2004. (Главы 1 и 2)
Слайд 3
![](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/342401/slide-2.jpg)
Слайд 4
![Модель атома Бора](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/342401/slide-3.jpg)
Слайд 5
![Электронные уровни 1 уровень – 2 электрона (s) 2 уровень](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/342401/slide-4.jpg)
Электронные уровни
1 уровень – 2 электрона (s)
2 уровень – 8 электронов
(2s+6p)
3 уровень – 18 электронов (2s+6p+10d)
4 уровень – 32 электрона (2s+6p+10d+14f)
Слайд 6
![Зонная теория веществ проводник диэлектрик полупроводник ΔW>3,5ЭВ ΔW=0,1…3ЭВ 1- валентная](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/342401/slide-5.jpg)
Зонная теория веществ
проводник диэлектрик полупроводник
ΔW>3,5ЭВ ΔW=0,1…3ЭВ
1- валентная
зона;
2- зона проводимости;
3 – запрещенная зона.
ΔW – ширина запрещенной зоны
Слайд 7
![Образование свободных электронов и дырок в кристалле полупроводника Чистый полу-](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/342401/slide-6.jpg)
Образование свободных электронов и дырок в кристалле полупроводника
Чистый полу- Введение атома
Введение атома
проводник донорной примеси акцепторной примеси
Донорные примеси – 5-валентные фосфор (Р), мышьяк (As), сурьма (Sb)
Акцепторные примеси – 3-валентные бор (В), алюминий (Al), галлий (Ga), индий (In)
Слайд 8
![](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/342401/slide-7.jpg)
Слайд 9
![Формирование полупроводников p и n типов 4-валентный полупроводник + 5-валентная](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/342401/slide-8.jpg)
Формирование полупроводников
p и n типов
4-валентный полупроводник + 5-валентная донорная примесь
= полупроводник n-типа (n – negative, отрицательный)
4-валентный полупроводник + 3-валентная акцепторная примесь = полупроводник p-типа (p – positive, положительный)
Слайд 10
![pn-переход без внешнего напряжения прямосмещенный обратносмещенный](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/342401/slide-9.jpg)
pn-переход
без внешнего напряжения прямосмещенный обратносмещенный
Слайд 11
![Способы формирования pn- переходов Сплавление Эпитаксиальное наращивание Ионное легирование](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/342401/slide-10.jpg)
Способы формирования
pn- переходов
Сплавление
Эпитаксиальное наращивание
Ионное легирование
Слайд 12
![Диод и его характеристика анод катод](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/342401/slide-11.jpg)
Диод и его характеристика
анод
катод
Слайд 13
![Выпрямительные диоды допустимое обратное напряжение Uобр, которое диод может выдержать](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/342401/slide-12.jpg)
Выпрямительные диоды
допустимое обратное напряжение Uобр, которое диод может выдержать в течение
длительного времени без нарушения работоспособности;
средний прямой ток Iпр ср — наибольшее допустимое значение постоянного тока, протекающего длительно в прямом направлении;
максимально допустимый импульсный прямой ток Iпр при указанной в паспорте наибольшей длительности импульса;
средний обратный ток Iобр ср — среднее за период значение обратного тока;
среднее прямое напряжение Uпр ср — падение напряжения на открытом диоде;
средняя рассеиваемая мощность Pср д — средняя за период мощность, выделяющаяся в диоде при выпрямлении переменного тока;
дифференциальное сопротивление rдиф = Uпр ср / Iпр ср.
Слайд 14
![силовые выпрямительные диоды диод средней мощности маломощный диод](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/342401/slide-13.jpg)
силовые выпрямительные диоды
диод средней мощности
маломощный диод
Слайд 15
![Стабилитроны](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/342401/slide-14.jpg)
Слайд 16
![Параметры стабилитрона напряжение стабилизации Uст; дифференциальное сопротивление rдиф= ΔUст /](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/342401/slide-15.jpg)
Параметры стабилитрона
напряжение стабилизации Uст;
дифференциальное сопротивление
rдиф= ΔUст / ΔIст
минимальный ток
стабилизации Iст min, при котором наступает устойчивый электрический пробой p-n-перехода;
максимальный ток стабилизации Iст max, при котором мощность, рассеиваемая на стабилитроне, не превышает допустимого значения;
максимальная мощность рассеяния Pmax, при которой еще не наступает тепловой пробой p-n-перехода;
температурный коэффициент стабилизации ст — отношение относительного изменения напряжения стабилизации к абсолютному изменению температуры окружающей среды (выражается в %/град): α cт = ΔUст / (Uст Т).
Слайд 17
![Диоды Шоттки](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/342401/slide-16.jpg)
Слайд 18
![Светодиоды Инжекционная электролюминисценция: λ = 1,23 (W2 – W1) W2](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/342401/slide-17.jpg)
Светодиоды
Инжекционная
электролюминисценция:
λ = 1,23 (W2 – W1)
W2 – метастабильный
уровень энергии
W1
– исходный
уровень энергии
Слайд 19
![Матричный светодиодный индикатор](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/342401/slide-18.jpg)
Матричный светодиодный индикатор
Слайд 20
![Статические и динамические матричные индикаторы Статические - для каждого светодиода](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/342401/slide-19.jpg)
Статические и динамические матричные индикаторы
Статические - для каждого светодиода – пикселя
свой собственный формирователь тока
Динамические – в каждый отдельный момент зажигаются только элементы отдельной строки. За счет инерционности человеческого зрения в течение одного кадра элементы всех строк сливаются в единое изображение
Слайд 21
![Семисегментные индикаторы](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/342401/slide-20.jpg)
Семисегментные индикаторы
Слайд 22
![Формирование белого света в фотодиодных лампах RGB-формирование. Наличие в лампе](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/342401/slide-21.jpg)
Формирование белого света в фотодиодных лампах
RGB-формирование. Наличие в лампе линеек светодиодов
красного, зеленого и синего свечения;
Люминофорное формирование. Использование светодиодов ультрафиолетового диапазона, облучающих люминофорные слои – красного, зеленого и синего свечений с последующим смешением
Слайд 23
![Фотодиоды 1 – кристалл p-полупроводника; 2 - контакты Pn - переход](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/342401/slide-22.jpg)
Фотодиоды
1 – кристалл p-полупроводника;
2 - контакты
Pn - переход
Слайд 24
![ПЗС-матрица](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/342401/slide-23.jpg)
Слайд 25
![](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/342401/slide-24.jpg)