Полупроводниковые диоды презентация

Содержание

Слайд 2

ЭЛЕКТРОНИКА Основная литература: 1. Миловзоров О.В., Панков И.Г. Электроника: учебник

ЭЛЕКТРОНИКА

Основная литература:
1. Миловзоров О.В., Панков И.Г. Электроника: учебник для вузов. –

М.: Высшая школа., 2004. (Главы 1 и 2)
Слайд 3

Слайд 4

Модель атома Бора

Модель атома Бора

Слайд 5

Электронные уровни 1 уровень – 2 электрона (s) 2 уровень

Электронные уровни

1 уровень – 2 электрона (s)
2 уровень – 8 электронов

(2s+6p)
3 уровень – 18 электронов (2s+6p+10d)
4 уровень – 32 электрона (2s+6p+10d+14f)
Слайд 6

Зонная теория веществ проводник диэлектрик полупроводник ΔW>3,5ЭВ ΔW=0,1…3ЭВ 1- валентная

Зонная теория веществ

проводник диэлектрик полупроводник
ΔW>3,5ЭВ ΔW=0,1…3ЭВ
1- валентная

зона;
2- зона проводимости;
3 – запрещенная зона.
ΔW – ширина запрещенной зоны
Слайд 7

Образование свободных электронов и дырок в кристалле полупроводника Чистый полу-

Образование свободных электронов и дырок в кристалле полупроводника

Чистый полу- Введение атома

Введение атома
проводник донорной примеси акцепторной примеси
Донорные примеси – 5-валентные фосфор (Р), мышьяк (As), сурьма (Sb)
Акцепторные примеси – 3-валентные бор (В), алюминий (Al), галлий (Ga), индий (In)
Слайд 8

Слайд 9

Формирование полупроводников p и n типов 4-валентный полупроводник + 5-валентная

Формирование полупроводников p и n типов

4-валентный полупроводник + 5-валентная донорная примесь

= полупроводник n-типа (n – negative, отрицательный)
4-валентный полупроводник + 3-валентная акцепторная примесь = полупроводник p-типа (p – positive, положительный)
Слайд 10

pn-переход без внешнего напряжения прямосмещенный обратносмещенный

pn-переход

без внешнего напряжения прямосмещенный обратносмещенный

Слайд 11

Способы формирования pn- переходов Сплавление Эпитаксиальное наращивание Ионное легирование

Способы формирования pn- переходов

Сплавление
Эпитаксиальное наращивание
Ионное легирование

Слайд 12

Диод и его характеристика анод катод

Диод и его характеристика

анод

катод

Слайд 13

Выпрямительные диоды допустимое обратное напряжение Uобр, которое диод может выдержать

Выпрямительные диоды
допустимое обратное напряжение Uобр, которое диод может выдержать в течение

длительного времени без нарушения работоспособности;
средний прямой ток Iпр ср — наибольшее допустимое значение постоянного тока, протекающего длительно в прямом направлении;
максимально допустимый импульсный прямой ток Iпр при указанной в паспорте наибольшей длительности импульса;
средний обратный ток Iобр ср — среднее за период значение обратного тока;
среднее прямое напряжение Uпр ср — падение напряжения на открытом диоде;
средняя рассеиваемая мощность Pср д — средняя за период мощность, выделяющаяся в диоде при выпрямлении переменного тока;
дифференциальное сопротивление rдиф = Uпр ср / Iпр ср.
Слайд 14

силовые выпрямительные диоды диод средней мощности маломощный диод

силовые выпрямительные диоды
диод средней мощности
маломощный диод

Слайд 15

Стабилитроны

Стабилитроны

Слайд 16

Параметры стабилитрона напряжение стабилизации Uст; дифференциальное сопротивление rдиф= ΔUст /

Параметры стабилитрона

напряжение стабилизации Uст;
дифференциальное сопротивление
rдиф= ΔUст / ΔIст
минимальный ток

стабилизации Iст min, при котором наступает устойчивый электрический пробой p-n-перехода;
максимальный ток стабилизации Iст max, при котором мощность, рассеиваемая на стабилитроне, не превышает допустимого значения;
максимальная мощность рассеяния Pmax, при которой еще не наступает тепловой пробой p-n-перехода;
температурный коэффициент стабилизации ст — отношение относительного изменения напряжения стабилизации к абсолютному изменению температуры окружающей среды (выражается в %/град): α cт = ΔUст / (Uст Т).
Слайд 17

Диоды Шоттки

Диоды Шоттки

Слайд 18

Светодиоды Инжекционная электролюминисценция: λ = 1,23 (W2 – W1) W2

Светодиоды

Инжекционная
электролюминисценция:
λ = 1,23 (W2 – W1)
W2 – метастабильный
уровень энергии
W1

– исходный
уровень энергии
Слайд 19

Матричный светодиодный индикатор

Матричный светодиодный индикатор

Слайд 20

Статические и динамические матричные индикаторы Статические - для каждого светодиода

Статические и динамические матричные индикаторы

Статические - для каждого светодиода – пикселя

свой собственный формирователь тока
Динамические – в каждый отдельный момент зажигаются только элементы отдельной строки. За счет инерционности человеческого зрения в течение одного кадра элементы всех строк сливаются в единое изображение
Слайд 21

Семисегментные индикаторы

Семисегментные индикаторы

Слайд 22

Формирование белого света в фотодиодных лампах RGB-формирование. Наличие в лампе

Формирование белого света в фотодиодных лампах

RGB-формирование. Наличие в лампе линеек светодиодов

красного, зеленого и синего свечения;
Люминофорное формирование. Использование светодиодов ультрафиолетового диапазона, облучающих люминофорные слои – красного, зеленого и синего свечений с последующим смешением
Слайд 23

Фотодиоды 1 – кристалл p-полупроводника; 2 - контакты Pn - переход

Фотодиоды

1 – кристалл p-полупроводника;
2 - контакты

Pn - переход

Слайд 24

ПЗС-матрица

ПЗС-матрица

Слайд 25

Имя файла: Полупроводниковые-диоды.pptx
Количество просмотров: 17
Количество скачиваний: 0