Схемотехника. (Лекция 1) презентация

Содержание

Слайд 2

www.themegallery.com Литература 1. Угрюмов Е.П. Цифровая схемотехника: учеб. Пособие для

www.themegallery.com

Литература

1. Угрюмов Е.П.
Цифровая схемотехника: учеб. Пособие для вузов.- 3 – е

издание., перераб. и доп.- СПб.: БХВ – Петербург, 2010.- 816 с.: ил.
2. Хоровец П., Хилл У.
Искусство схемотехники: Пер. с англ.- Изд.7-е.- М.: Мир, Бином, 2011.-704 с.,ил.
Амелина М.А., Амелин С.А.
Программа схемотехнического моделирования Micro-Cap8.- М.: Горячая линия – Телеком, 2007 – 464 с.,ил.
Медведев Б.Л., Пирогов Л.Г.
Практическое пособие по цифровой схемотехнике – М.: Мир, 2004.- 408 с., ил.
Слайд 3

www.themegallery.com Основные задачи схемотехники Синтез схем Анализ схем Основные Дополнительные

www.themegallery.com

Основные задачи схемотехники

Синтез схем
Анализ схем

Основные

Дополнительные

Подавление помех.
Передача данных по линиям связи.
Обеспечение режимов

работы
элементов.
Синхронизация и тактирование
Генерация сигналов.

ТЗ

Синтез

Анализ

В базу
вариантов

Соответствует
ТЗ ?

Нет

Слайд 4

www.themegallery.com Базовые функциональные блоки Запоминающие устройства Последовательностные схемы Комбинационные схемы

www.themegallery.com

Базовые функциональные блоки

Запоминающие устройства

Последовательностные схемы

Комбинационные схемы

Базовые логические элементы

Транзистор

База для
разработки
цифровых
устройств

Интерфейсные схемы

Триггеры

Генераторы

и формирователи

Преобразователи сигналов

Слайд 5

www.themegallery.com По уровню интеграции ИС СБИС до 2015 БИС 1971

www.themegallery.com

По уровню интеграции ИС

СБИС до 2015

БИС 1971

СИС

МИС 1958 г. Роберт Нойс

Многоядерные
микропроцессоры, ПЛИС

Микропроцессоры,
ЗУ, контроллеры,
Вспомогательные схемы

Мало разрядные
функциональные
узлы

Простая
логика

До 100 тр-ров.

Сотни тр-ров

Миллионы тр-ров

Закон Мура – удвоение количества транзисторов на кристалле каждые 18 месяцев

Тысячи тр-ров.

Слайд 6

www.themegallery.com По массовости изготовления Серийные Заказные Полу заказные Высокая стоимость

www.themegallery.com

По массовости изготовления

Серийные

Заказные

Полу заказные

Высокая стоимость разработки –
от одного до

десятков миллионов долларов.
Нерентабельно для массового использования.

Массовое производство, приборы конечного
пользования, низкая стоимость

ПЛМ, БМК программируемые
изготовителем, ПЛИС

Большинство современных ИС изготавливается по технологии КМОП, ТТЛШ.

Слайд 7

www.themegallery.com Лекция 1 Схемотехнические основы построения цифровых устройств

www.themegallery.com

Лекция 1

Схемотехнические основы построения цифровых устройств

Слайд 8

www.themegallery.com Условное обозначение ЛЭ & Обозначение функции Инверсия И, ИЛИ,

www.themegallery.com

Условное обозначение ЛЭ

&

Обозначение функции

Инверсия

И, ИЛИ, НЕ – базис элементов нагляден для

восприятия

И-НЕ - функция Шефера
ИЛИ-НЕ - функция Пирса

Основные рабочие базисы

Слайд 9

www.themegallery.com Обозначения логических элементов

www.themegallery.com

Обозначения логических элементов

Слайд 10

www.themegallery.com Сигналы отображающие логические переменные БИТ 1 0 H (High)

www.themegallery.com

Сигналы отображающие логические переменные

БИТ 1 0

H (High) L (Low)

При переходе

от логических сигналов к электрическим необходимо
установить правила соответствия:
- положительной логики;
- отрицательной логики

Положительная логика

Слайд 11

www.themegallery.com Учет задержек в логических схемах Быстродействие в ЛЭ напрямую

www.themegallery.com

Учет задержек в логических схемах

Быстродействие в ЛЭ напрямую связана с задержкой

сигналов ЛЭ и связях между ними. Особенно это проявляется с уменьшением технологических норм. 70-80% от общей задержки - это задержки в ЛЭ и в линиях связи.

Существуют грубые оценки задержки, и точные расчеты.

Слайд 12

www.themegallery.com Статические параметры ЛЭ Напряжение питания С определенным допуском Четыре

www.themegallery.com

Статические параметры ЛЭ

Напряжение питания

С определенным допуском

Четыре значения напряжений, задающих границы зон

переменных О или 1

На входе ЛЭ

На выходе ЛЭ

Статическая помехоустойчивость:
- Для уровня логической единицы допустимая
- Для уровня логического нуля допустимая

Слайд 13

www.themegallery.com Передаточная характеристика ЛЭ

www.themegallery.com

Передаточная характеристика ЛЭ

Слайд 14

www.themegallery.com Токовые статические параметры ЛЭ Ток потребляемый по входу при

www.themegallery.com

Токовые статические параметры ЛЭ

Ток потребляемый по входу при вх=1
Ток потребляемый по

входу при вх=0
Ток потребляемый по выходу при вых=1
Ток потребляемый по выходу при вых=0

Например: для КМОП ЛЭ ток вых.1= току вых.0
для ТТЛШ ЛЭ ток вых.1 в 20 раз меньше тока вых.0

Слайд 15

www.themegallery.com Нагрузочная способность ЛЭ Это количество ЛЭ, которые можно подключить

www.themegallery.com

Нагрузочная способность ЛЭ

Это количество ЛЭ, которые можно подключить одному выходу ЛЭ.
Иногда

применяют термин:
Разветвление по выходу
Объединение по входу
Слайд 16

www.themegallery.com Быстродействие цифровых схем Скорость перехода из одного состояния в

www.themegallery.com

Быстродействие цифровых схем

Скорость перехода из одного состояния в другое. Определяется задержками

в элементе и цепях соединения.

Коэффициент определяется
серией микросхемы

Фактическая

Номинальная по справ.

Слайд 17

www.themegallery.com Мощность потребления ЛЭ В справочниках обычно указывается значение тока

www.themegallery.com

Мощность потребления ЛЭ

В справочниках обычно указывается значение тока потребляемого микросхемой –

I потр. * U пит.= P

Мощность ЛЭ делят на статическую и динамическую

Рст. – мощность потребляемая в пассивном состоянии.
Рдин. – мощность потребляемая при переключении.

Рст. делится на Рст. 0 и Рст. 1 Рст.
и расчитывается Рст. =(Рст.0 + Рст.1)/2

Р = Рст. + Рдин.

Слайд 18

www.themegallery.com Мощность потребления ЛЭ при нанометровых технологиях Статическая мощность соизмерима

www.themegallery.com

Мощность потребления ЛЭ при нанометровых технологиях

Статическая мощность соизмерима с динамической

При перезарядке
емкости

тратится
энергия
Слайд 19

www.themegallery.com Формула оценки динамической мощности Перепад логического уровня Частота сигналов

www.themegallery.com

Формула оценки динамической мощности

Перепад логического уровня

Частота сигналов на входе и выходе

Число

переключаемых выходов

Емкость нагрузки

Внутренняя емкость схемы

Слайд 20

www.themegallery.com Параметры ЛЭ ТТЛ в справочнике

www.themegallery.com

Параметры ЛЭ ТТЛ в справочнике

Слайд 21

www.themegallery.com Параметры ЛЭ ТТЛ К134

www.themegallery.com

Параметры ЛЭ ТТЛ

К134

Слайд 22

www.themegallery.com Параметры ЛЭ КМОП

www.themegallery.com

Параметры ЛЭ КМОП

Слайд 23

www.themegallery.com Типы выходов цифровых элементов Логические; С третьим состоянием; Открытые

www.themegallery.com

Типы выходов цифровых элементов

Логические;
С третьим состоянием;
Открытые (с открытым стоком или коллектором).
Программируемый

выход

Применение объясняется различными условиями работы элементов
в логических цепях, магистральных системах.

Слайд 24

www.themegallery.com Обычный логический выход Хорошо, когда он имеет малое сопротивление

www.themegallery.com

Обычный логический выход

Хорошо, когда он имеет малое сопротивление и способен развивать

большие токи для перезарядки емкостных нагрузок.
Особенность – их нельзя соединять параллельно !!!

Неопределенность
выхода в переходном
состоянии

Импульс тока
в переходном
режиме

Слайд 25

www.themegallery.com Выход с тремя состояниями Позволяют использовать одну линию связи

www.themegallery.com

Выход с тремя состояниями

Позволяют использовать одну линию связи
несколькими ЛЭ, сохраняют достоинства

обычных логических выходов: быстродействие и высокая нагрузочная способность.

OE – Output Enable

Третье состояние выхода называют высокоимпедансным.
При этом фактически происходит отключение выхода от нагрузки.

Слайд 26

www.themegallery.com Открытые выходы Требуется подключение внешних резисторов для исключения плавающего

www.themegallery.com

Открытые выходы

Требуется подключение внешних резисторов для исключения плавающего состояния выхода.
Реализуется схема

монтажной логики – высокое напряжение на выходе возникает только при запирании всех транзисторов.
Может заменить схему с тремя состояниями при работе на магистраль – вместо сигнала ОЕ используют один из входов.

Достоинства – защищенность
от повреждений при ошибках
Управления.
Недостаток – большая
задержка переключения.

Обозначение

При открытом транзисторе на выходе ноль, при закрытом –
неопределенное состояние

Слайд 27

www.themegallery.com Программируемый выход Позволяет запрограммировать схему на два варианта :

www.themegallery.com

Программируемый выход

Позволяет запрограммировать схему на два варианта : либо как каскад

открытым коллектором, либо каскад с третьим состоянием.

Пин

Слайд 28

www.themegallery.com Выводы с запоминанием последнего сигнала Чтобы выход второго инвертора

www.themegallery.com

Выводы с запоминанием последнего сигнала

Чтобы выход второго инвертора не шунтировал информационный
сигнал,

он должен быть высокоомным (сотни кОм).

При отключении источника сигнала от контактной площадки КП,
сигнал на выходе будет поддерживаться слабым сигналом с инвертора.

Слайд 29

www.themegallery.com Особенности выводов КМОП-элементов Высокоомные выводы КМОП – элементов нельзя

www.themegallery.com

Особенности выводов КМОП-элементов

Высокоомные выводы КМОП – элементов нельзя оставлять разомкнутыми, так

как на них могут наводится произвольные потенциалы, что придает схеме неопределенные состояния.

Схема защиты от перенапряжений по входу

Схема с подтягивающим и заземляющим резисторами,
которые фиксируют состояние разомкнутых выводов.

Имя файла: Схемотехника.-(Лекция-1).pptx
Количество просмотров: 58
Количество скачиваний: 0