Цифровая схемотехника. КМОП логика презентация

Содержание

Слайд 2

Семейство TTL

Недостаток – большое энергопотребление

Практически невозможно использовать в устройствах с автономным питанием.

Причина –

биполярный транзистор управляемый током базы.

Необходим новый электронный компонент

Семейство TTL Недостаток – большое энергопотребление Практически невозможно использовать в устройствах с автономным

Слайд 3

Полевой транзистор

MOS FET
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors

n

Metal

-

+

Полевой транзистор MOS FET Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors n Metal - +

Слайд 4

Полевой транзистор

MOS FET
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors

Карманы

n- Канал

Полевой транзистор MOS FET Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors Карманы n- Канал

Слайд 5

Полевой транзистор

MOS FET
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors

Карманы

-

+

Режим обеднения канала.
Depletion mode.

Полевой транзистор MOS FET Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors Карманы - + Режим обеднения канала. Depletion mode.

Слайд 6

Полевой транзистор

MOS FET
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors

Карманы

+

-

Режим обогащения канала.
Enhancement mode.

Полевой транзистор MOS FET Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors Карманы + - Режим обогащения канала. Enhancement mode.

Слайд 7

Полевой транзистор

Как сделать?
Вариант 1

Metal

Oxide

Semiconductor

Металл

Окисел
(Диэлектрик)

Полупроводник

МОП транзистор
или
МДП транзистор

MOS Transistor

n - channel

Полевой транзистор Как сделать? Вариант 1 Metal Oxide Semiconductor Металл Окисел (Диэлектрик) Полупроводник

Слайд 8

Полевой транзистор

Как сделать?
Вариант 1

МОП транзистор
или
МДП транзистор

MOS Transistor

n - channel

Затвор
Gate

Исток
Source

Сток
Drain

Полевой транзистор Как сделать? Вариант 1 МОП транзистор или МДП транзистор MOS Transistor

Слайд 9

Полевой транзистор

MOSFET обозначение

Затвор
Gate

Исток
Source

Сток
Drain

Затвор
Gate

Исток
Source

Сток
Drain

n - channel

p - channel

G

D

S

G

D

S

G

D

S

G

D

S

Полевой транзистор MOSFET обозначение Затвор Gate Исток Source Сток Drain Затвор Gate Исток

Слайд 10

Полевой транзистор

MOSFET включение и характеристики

G

D

S

Depletion

Enhancement

Неудобный ключ

Открывается плюсом.
Закрывается минусом.

Полевой транзистор MOSFET включение и характеристики G D S Depletion Enhancement Неудобный ключ

Слайд 11

Полевой транзистор с управляющим p-n переходом

JFET (Junction Field-Effect Transistor)

Depletion

Enhancement

Это не ключ

Транзистор не насыщается

Полевой транзистор с управляющим p-n переходом JFET (Junction Field-Effect Transistor) Depletion Enhancement Это

Слайд 12

Полевой транзистор с индуцированным каналом

MOSFET

Ну и как этот транзистор открыть?

Полевой транзистор с индуцированным каналом MOSFET Ну и как этот транзистор открыть?

Слайд 13

Полевой транзистор с индуцированным каналом

MOSFET

Более точная структура

Основные носители

Подложка

Неосновные носители

Полевой транзистор с индуцированным каналом MOSFET Более точная структура Основные носители Подложка Неосновные носители

Слайд 14

Полевой транзистор с индуцированным каналом

MOSFET

0

Полевой транзистор с индуцированным каналом MOSFET 0

Слайд 15

Полевой транзистор с индуцированным каналом

MOSFET

+

Полевой транзистор с индуцированным каналом MOSFET +

Слайд 16

Полевой транзистор с индуцированным каналом

MOSFET

+2

Полевой транзистор с индуцированным каналом MOSFET +2

Слайд 17

Полевой транзистор с индуцированным каналом

MOSFET

+4

Инверсия типа проводимости

Полевой транзистор с индуцированным каналом MOSFET +4 Инверсия типа проводимости

Слайд 18

Полевой транзистор с индуцированным каналом

MOSFET

+4

Индуцированный канал

Полевой транзистор с индуцированным каналом MOSFET +4 Индуцированный канал

Слайд 19

Полевой транзистор с индуцированным каналом

MOSFET

+4

Полевой транзистор с индуцированным каналом MOSFET +4

Слайд 20

Полевой транзистор с индуцированным каналом

MOSFET

+

Только режим обогащения
Enhancement mode

Смещенная парабола

Полевой транзистор с индуцированным каналом MOSFET + Только режим обогащения Enhancement mode Смещенная парабола

Слайд 21

Полевые транзисторы

Enhancement
MOSFET

n-channel

p-channel

JFET

MOSFET

Enhancement
MOSFET

Типы

Полевой транзистор с индуцированным каналом

Полевые транзисторы Enhancement MOSFET n-channel p-channel JFET MOSFET Enhancement MOSFET Типы Полевой транзистор с индуцированным каналом

Слайд 22

Полевой транзистор - развитие

http://ieeexplore.ieee.org/ieee_pilot/articles/96jproc02/96jproc02-appenzeller/article.html

MOSFET

FinFET (3D MOSFET)

Полевой транзистор - развитие http://ieeexplore.ieee.org/ieee_pilot/articles/96jproc02/96jproc02-appenzeller/article.html MOSFET FinFET (3D MOSFET)

Слайд 23

Комплементарная пара полевых транзисторов

Комплементарная пара полевых транзисторов

Слайд 24

КМОП логика. Инвертор.

n-channel

p-channel

Передаточная характеристика симметрична, т.к. транзисторы комплементарны!

КМОП логика. Инвертор. n-channel p-channel Передаточная характеристика симметрична, т.к. транзисторы комплементарны!

Слайд 25

КМОП логика. Питание и логические уровни.

Напряжение питания Ucc может меняться в широких пределах.
Передаточная

характеристика будет просто масштабироваться.

Uin0

(0÷30%)Ucc

(70÷100 %) Ucc

Uin1

Uout0

≈0 В

Uout1

≈Ucc

КМОП логика. Питание и логические уровни. Напряжение питания Ucc может меняться в широких

Слайд 26

КМОП логика. Основные логические элементы.

Инвертор

Сравните с инвертором ТТЛ

КМОП логика. Основные логические элементы. Инвертор Сравните с инвертором ТТЛ

Слайд 27

КМОП логика. Основные логические элементы.

2 ИЛИ-НЕ
2 NOR

0

0

1

0

1

0

1

0

0

1

1

0

КМОП логика. Основные логические элементы. 2 ИЛИ-НЕ 2 NOR 0 0 1 0

Слайд 28

КМОП логика. Основные логические элементы.

2 И-НЕ
2 NAND

0

0

1

0

1

1

1

0

1

1

1

0

КМОП логика. Основные логические элементы. 2 И-НЕ 2 NAND 0 0 1 0

Слайд 29

КМОП логика. Потребление.

Pd (Power Dissipation)

 

 

 

 

 

 

КМОП логика. Потребление. Pd (Power Dissipation)

Слайд 30

Семейство CMOS

Семейство CMOS

Слайд 31

Семейство CMOS

Семейство CMOS

Слайд 32

Электростатика

Модель человеческого тела
Human Body Model (HBM)

R = 330 Ом
C = 150 пФ
U =

2 ÷ 8 кВ

Электростатика Модель человеческого тела Human Body Model (HBM) R = 330 Ом C

Слайд 33

Электростатика

 

Электростатика

Слайд 34

Электростатика

Электростатика

Слайд 35

Электростатика

Ucc

Gnd

Ucc

Gnd

Электростатика Ucc Gnd Ucc Gnd

Имя файла: Цифровая-схемотехника.-КМОП-логика.pptx
Количество просмотров: 26
Количество скачиваний: 0