Содержание
- 2. Зонная структура Формирование электронных зон в твердом теле из энергетических уровней изолированных атомов
- 3. Переход от атома к решётке
- 4. Взаимодействие изолированного атома с квантом света
- 5. Вынужденное излучение
- 6. Излучательная рекомбинация электрона и дырки Излучательная рекомбинация электрона и дырки: а – спонтанное излучение; б –
- 7. Устройство инжекционного п/п лазера
- 8. Устройство инжекционного п/п лазера
- 9. Окна прозрачности оптического волокна
- 10. Нобелевская премия 20 века Жорес Иванович Алфёров Prize motivation: "for developing semiconductor heterostructures used in high-speed-
- 11. Эпитаксия επι – на , ταξισ – упорядоченность
- 12. Классификация эпитаксии по агрегатному состоянию среды
- 13. Рассогласование по параметру решётки *допустимо не более 15% **важно также, чтобы слой и подложка имели близкие
- 14. Метод измерения кривизны растущей структуры Напряжённый эпитаксиальный слой растягивает или сжимает подложку
- 15. Латеральный рост
- 18. Вакуумная лампа накаливания ⇑Температуры нити – ⇑ КПД. ⇑ Температуры нити – ⇑ испарения W W
- 19. Газонаполненная лампа накаливания Газ меняет процесс массопереноса. Он препятствует свободному полету атомов W. Вокруг нити образуется
- 20. Галогеновая лампа накаливания Испаряющийся W реагирует с йодом. Реакция идет и в газе, и на стенках
- 23. Механизм роста Встраивание происходит равномернее, если реакция адатомов с поверхностью обратимая (под действием температуры)
- 26. Газофазная эпитаксия
- 27. Схема реактора
- 28. Скоростной и концентрационный пограничные слои
- 29. Пограничный слой
- 30. Механизм роста
- 31. Примеры установок
- 33. Молекулярно-пучковая эпитаксия
- 34. Ячейка Кнудсена
- 35. Типичная МПЭ установка
- 36. Другие виды эпитаксии Конденсация из паровой фазы в вакууме. Метод заключается в испарении или распылении материала
- 38. Скачать презентацию