Содержание
- 2. Содержание Определения понятий травления и плазмы. Назначение и виды химического травления. Назначение физического травления. Классификация процессов
- 3. Определения травления и плазмы Под травлением понимают растворение и последующее удаление заданной части материала с поверхности
- 4. Назначение и виды химического травления Химическое травление основано на процессах растворения исходных материалов. Травление может осуществляться
- 5. Назначение физического травления К физическим процессам травления относятся процессы травления, в которых удаление ненужного материала происходит
- 6. Классификация процессов в зависимости от сочетания давления и энергии ионов плазмы К процессам травления предъявляются требования
- 7. Назначение и условие проведение ионного травления Ионное травление осуществляется ионами плазмы, не реагирующими с обрабатываемым материалом.
- 8. Недостатки процесса ионного травления Отсутствие селективности травления, к.с. ограничивается глубина травления, которая должна быть соизмерима с
- 9. Ионно-химическое травление Ионно-химическое травление (ИХТ) представляет собой физико-химический процесс, который происходит при достаточно высоком давлении газов
- 10. Плазмохимическое травление Плазмохимическое травление (ПХТ) происходит в результате химических реакций между химически активными частицами и поверхностными
- 11. Назначение ПХТ и конструкция реактора В плазменном травлении химически активные частицы (свободные атомы и радикалы) вступают
- 12. Лазерно-стимулированное травление Лазерно-стимулированное травление – перспективный метод травления поверхности, в котором используется лазерное излучение с энергией
- 13. Применение плазменных технологий в производстве УБИС Схема типичного 0,25 мкм щелевого конденсатора ячейки ДОЗУ Поперечное сечение
- 14. Плазмой называют квазинейтральный газ заряженных и нейтральных частиц, концентрация которых достаточна для того, чтобы создаваемый ими
- 15. Условия несамостоятельного и самостоятельного э.р. В г. Газы становятся электропроводными при их ионизации. Если электрический разряд
- 16. Зависимость тока заряда от напряжения (рис.1)
- 17. Когда ионизация газа происходит при непрерывном действии внешнего ионизатора и малом значении разности потенциалов между анодом
- 18. Кривые Пашена для различных газов Закон Пашена, устанавливает, что наименьшее напряжение зажигания газового разряда между двумя
- 19. Вольтамперная характеристика тихого разряда
- 20. Внешний вид и распределение параметров в нормальном тлеющем разряде Обозначения: 1 — астоново тёмное пространство; 2
- 21. ВЧ разрядом можно назвать любой разряд в переменных электромагнитных полях. Разряд относят к ВЧ, если длина
- 22. Системы возбуждения ВЧ - разрядов Конфигурация объемно-цилиндрического реактора использовалась для обработки поверхностей в случаях, где не
- 23. Конфигурация плоского диода
- 24. Емкостной источник и ВЧ-согласующая цепь
- 25. Геометрия плоского триода, в котором ВЧ напряжения приложены на два электрода и, в которой заземленная стенка
- 26. Один из вариантов СВЧ - системы
- 27. Типичный реактор индукционно связанной плазмы (ИСП)
- 28. Схемное решение CDE реактора
- 31. Остановка травления при травлении окисла в результате интенсивной полимеризации при травлении в смеси C4F8 во время
- 32. Контрольные вопросы по четвертой теме: 1. Дайте определения понятий травления и плазмы? 2. Укажите назначение и
- 33. Список источников литературы по теме: 1. Королев М.А. Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем:
- 35. Скачать презентацию