Слайд 2
![C/р по теме «Ток в различных средах»](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/249886/slide-1.jpg)
C/р по теме «Ток в различных средах»
Слайд 3
![](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/249886/slide-2.jpg)
Слайд 4
![](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/249886/slide-3.jpg)
Слайд 5
![Полупроводники](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/249886/slide-4.jpg)
Слайд 6
![Полупроводники Полупроводники –вещества, электропроводность которых существенно зависит от температуры –](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/249886/slide-5.jpg)
Полупроводники
Полупроводники –вещества, электропроводность которых существенно зависит от температуры – возрастает
при нагревании и наоборот
Собственная проводимость полупроводников – электронно-дырочная
Слайд 7
![Примесная проводимость полупроводников Донорные полупроводниковые примеси – примеси, приводящие к](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/249886/slide-6.jpg)
Примесная проводимость полупроводников
Донорные полупроводниковые примеси – примеси, приводящие к резкому увеличению
количества свободных электронов .
Дыркой называют вакантное место в атоме с недостающим электроном, от которого внешним воздействием электрон был переведен в свободное состояние
Акцепторные полупроводниковые примеси – примеси, приводящие к резкому увеличеснию количества дырок, не увеличивая числа электронов проводимости
Слайд 8
![Проводники n-типа – проводники с преобладающей электронной проводимостью Проводники р-типа – проводники с преобладающей дырочной проводимостью](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/249886/slide-7.jpg)
Проводники n-типа – проводники с преобладающей электронной проводимостью
Проводники р-типа – проводники
с преобладающей дырочной проводимостью
Слайд 9
![Р-n - переход Электронно-дырочный переход – область полупроводника, в которой](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/249886/slide-8.jpg)
Р-n - переход
Электронно-дырочный переход – область полупроводника, в которой происходит смена
электронной проводимости на дырочную. Возникает в месте контакта р– и n– областей полупроводника
Слайд 10
![](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/249886/slide-9.jpg)
Слайд 11
![Полупроводниковый диод](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/249886/slide-10.jpg)
Слайд 12
![Транзистор полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n-переходов](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/249886/slide-11.jpg)
Транзистор
полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n-переходов
Слайд 13
![](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/249886/slide-12.jpg)
Слайд 14
![Транзистор](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/249886/slide-13.jpg)
Слайд 15
![](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/249886/slide-14.jpg)
Слайд 16
![](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/249886/slide-15.jpg)
Слайд 17
![Применение полупроводниковых приборов](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/249886/slide-16.jpg)
Применение полупроводниковых приборов
Слайд 18
![Примеры задач Плотность германия 5350 кг/м3](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/249886/slide-17.jpg)
Примеры задач
Плотность германия 5350 кг/м3