Слайд 2
![Диод. Вольтамперная характеристика](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/385234/slide-1.jpg)
Диод. Вольтамперная характеристика
Слайд 3
![Односторонняя проводимость диода](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/385234/slide-2.jpg)
Односторонняя проводимость диода
Слайд 4
![Статическое и динамическое сопротивление](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/385234/slide-3.jpg)
Статическое и динамическое сопротивление
Слайд 5
![Виды диодов выпрямительные диоды, предназначены для выпрямления переменного тока; варикапы](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/385234/slide-4.jpg)
Виды диодов
выпрямительные диоды, предназначены для выпрямления переменного тока;
варикапы (vari(able) cap(acity)), их
работа основана на зависимости емкости p-n перехода от обратного напряжения, применяются в качестве элементов с электрически управляемой емкостью в схемах перестройки частоты колебательного контура, деления и умножения частоты, частотной модуляции и т. п.;
стабилитроны, предназначены для стабилизации напряжения;
светодиоды (излучающие диоды), предназначены для преобразования электрической энергии в световую;
фотодиоды, предназначены для преобразования световой энергии в электрическую;
туннельные диоды, используются для усиления сигналов и генерации электромагнитных колебаний.
Слайд 6
![Стабилитрон](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/385234/slide-5.jpg)
Слайд 7
![Туннельный диод](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/385234/slide-6.jpg)
Слайд 8
![Классификация транзисторов Биполярные: NPN. PNP. Униполярные (полевые): С управляющим pn-переходом:](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/385234/slide-7.jpg)
Классификация транзисторов
Биполярные:
NPN.
PNP.
Униполярные (полевые):
С управляющим pn-переходом:
NJFET — с каналом n-типа.
PJFET — с
каналом p-типа.
С изолированным затвором (МОП, Металл — Окисел — Полупроводник):
Со встроенным (обогащенным) каналом:
NMOSFET — полевой МОП-транзистор с каналом n-типа.
PMOSFET — полевой МОП-транзистор с каналом p-типа.
С индуцированным (обедненным) каналом:
n-типа.
p-типа.
Слайд 9
![Условные графические обозначения транзисторов](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/385234/slide-8.jpg)
Условные графические обозначения транзисторов
Слайд 10
![Устройство и работа биполярного транзистора](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/385234/slide-9.jpg)
Устройство и работа биполярного транзистора
Слайд 11
![Устройство и работа полевого транзистора с изолированным затвором](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/385234/slide-10.jpg)
Устройство и работа полевого транзистора с изолированным затвором
Слайд 12
![Характеристики транзисторов Входная (для биполярного транзистора — IБ(UБЭ)). Выходная (для](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/385234/slide-11.jpg)
Характеристики транзисторов
Входная (для биполярного транзистора — IБ(UБЭ)).
Выходная (для биполярного транзистора —
IК(UКЭ), полевого — IС(UСИ).
Передаточная (для биполярного транзистора — IК(UБЭ), полевого — IС(UЗИ).
Слайд 13
![Схема для построения характеристик транзистора](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/385234/slide-12.jpg)
Схема для построения характеристик транзистора
Слайд 14
![Схема для изучения работы транзистора Основные режимы работы транзистора: Линейный. Насыщения. Отсечки.](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/385234/slide-13.jpg)
Схема для изучения работы транзистора
Основные режимы работы транзистора:
Линейный.
Насыщения.
Отсечки.
Слайд 15
![Линейный режим работы транзистора](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/385234/slide-14.jpg)
Линейный режим работы транзистора
Слайд 16
![Режимы насыщения и отсечки](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/385234/slide-15.jpg)
Режимы насыщения и отсечки
Слайд 17
![Инвертор](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/385234/slide-16.jpg)
Слайд 18
![Логический элемент И-НЕ](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/385234/slide-17.jpg)
Слайд 19
![Реализация элемента И-НЕ в технологии ТТЛ на основе многоэмиттерных транзисторов](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/385234/slide-18.jpg)
Реализация элемента И-НЕ в технологии ТТЛ на основе многоэмиттерных транзисторов