Электрический ток в полупроводниках презентация

Содержание

Слайд 2

Полупроводники
Какие вещества относятся к полупроводникам?
Чистые полупроводники. Собственная проводимость.
Полупроводники с примесями: донорная

примесь.
Полупроводники с примесями: акцепторная примесь.
Зависимость сопротивления полупроводника от температуры.
Полупроводниковый диод.
Вольтамперная характеристика полупроводникового диода.
Полупроводниковые приборы.

Слайд 3

1. Полупроводники.

У полупроводников с повышением температуры увеличивается проводимость, уменьшается электрическое сопротивление.

Слайд 4

“Свободный”

Слайд 5

2. Если энергия фотона Ꝺф больше, чем энергия связи Ꝺg, световой квант способен

выбить связанный электрон с орбиты и превратить в свободный электрон.
При образовании свободного электрона у полупроводника появляется две возможности проводить ток:
Движение свободного электрона под действием внешнего электрического поля.
Направленное перемещение электронов с соседних орбит на место освободившейся пустой связи. (Этот механизм электропроводности удобнее описывать как движение фиктивной частицы, дырки, в направлении, противоположном движении электронов).

Слайд 6

“Дырка”

Слайд 7

Процесс перемещения положительного электрического заряда, называемого дыркой.
При помещении кристалла в электрическое поле возникает

упорядоченное движение дырок - дырочный ток проводимости.

Слайд 9

Определение полупроводника.

Полупроводниками назвали класс веществ, у которых с повышением температуры увеличивается проводимость, уменьшается

электрическое сопротивление. Этим полупроводники принципиально отличаются от металлов.
В идеальном полупроводниковом кристалле электрический ток создается движением равного количества отрицательно заряженных электронов и положительно заряженных дырок. Проводимость в идеальных полупроводниках называется собственной проводимостью.

Слайд 10

2. Какие вещества относятся к полупроводникам?

Слайд 11

3А 4А 5А 6А

3
4
5
6
7

Слайд 12

3.Чистые полупроводники.

Слайд 13

Чистые полупроводники

Слайд 16

4.Полупроводники с примесями: донорная примесь.

Слайд 17

Собственная проводимость полупроводников явно недостаточна для технического применения полупроводников. Поэтому для увеличение

проводимости в чистые полупроводники внедряют примеси (легируют) , которые бывают донорные и акцепторные.

Например – мышьяк(As): 5е на внешней оболочке и 1е не занят в ковалентной связи. В полупроводнике n-типа электроны являются основными носителями зарядов, а «дырки» - неосновными Nе > Nдыр.

Электрический ток в полупроводниках

Донорная примесь(от negative – отрицательный) - примесь имеющая на внешней электронной оболочке больше электронов, чем у данного полупроводника (n-типа).
Полупроводники n-типа – полупроводники, имеющие донорные примеси, обладающие большим числом электронов( по сравнению с числом дырок).

Слайд 18

5.Полупроводники с примесями: акцепторная примесь.

Слайд 19

Акцепторные примеси

Акцепторные примеси – примеси, которые имеют на внешней электронной оболочке меньше

электронов, чем у данного полупроводника (p-типа).

Полупроводник p-типа (от positiv – положительный) –полупроводник, у которого дырочная проводимость преобладает над электронной.

Например – индий(In): 3е на внешней оболочке и 1е не хватает. Основными носителями в полупроводнике p-типа являются «дырки», а неосновными – электроны. Nдыр. > Nе . 

Слайд 20

6.Зависимость сопротивления полупроводника от температуры.

Слайд 23

7.Полупроводниковый диод.

Слайд 24

Полупроводниковый диод

Полупроводниковый диод – это нелинейный электронный прибор с двумя выводами. В зависимости

от внутренней структуры, типа, количества и уровня легирования внутренних элементов диода и вольт-амперной характеристики свойства полупроводниковых диодов бывают различными.

Слайд 26

Обозначение

Слайд 28

8. Вольтамперная характеристика полупроводникового диода.

Слайд 29

Вольт амперная характеристика полупроводникового диода

Слайд 31

9.Полупроводниковые приборы

Слайд 32

Стремительное развитие и расширение областей применения электронных устройств обусловлено совершенствованием элементной базы, основу

которой составляют полупроводниковые приборы Полупроводниковые материалы по своему удельному сопротивлению (ρ=10-6 ÷ 1010 Ом•м) занимают промежуточное место между проводниками и диэлектриками.

Слайд 33

Основными материалами для производства полупроводниковых приборов являются:
кремний (Si),
карбид кремния

(SiС),
соединения галлия и индия.

Слайд 34

Для изготовления электронных приборов используют твердые полупроводники, имеющие кристаллическое строение.
Полупроводниковыми приборами называются приборы,

действие которых основано на использовании свойств полупроводниковых материалов.

Слайд 35

Полупроводниковые диоды

Это полупроводниковый прибор с одним p-n-переходом и двумя выводами, работа которого основана

на свойствах p-n - перехода.
Основным свойством p-n – перехода является односторонняя проводимость – ток протекает только в одну сторону. Условно-графическое обозначение (УГО) диода имеет форму стрелки, которая и указывает направление протекания тока через прибор.
Конструктивно диод состоит из p-n-перехода, заключенного в корпус (за исключением микромодульных бескорпусных) и двух выводов: от p-области – анод, от n-области – катод.
Т.е. диод – это полупроводниковый прибор, пропускающий ток только в одном направлении – от анода к катоду.
Зависимость тока через прибор от приложенного напряжения называется вольт-амперной характеристикой (ВАХ) прибора I=f(U).

Слайд 36

Транзисторы

Транзистор - это полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов,

а также коммутации электрических цепей.
Отличительной особенностью транзистора является способность усиливать напряжение и ток - действующие на входе транзистора напряжения и токи приводят к появлению на его выходе напряжений и токов значительно большей величины.
Свое название транзистор получил от сокращения двух английских слов tran(sfer) (re)sistor - управляемый резистор. Транзистор позволяет регулировать ток в цепи от нуля до максимального значения.

Слайд 37

Классификация транзисторов:
- по принципу действия: полевые (униполярные), биполярные, комбинированные.
- по значению рассеиваемой мощности:

малой, средней и большой.
- по значению предельной частоты: низко-, средне-, высоко- и сверхвысокочастотные.
- по значению рабочего напряжения: низко- и высоковольтные.
- по функциональному назначению: универсальные, усилительные, ключевые и др.
- по конструктивному исполнению: бескорпусные и в корпусном исполнении, с жесткими и гибкими выводами.

Слайд 38

В зависимости от выполняемых функций транзисторы могут работать в трех режимах:
1) Активный режим

- используется для усиления электрических сигналов в аналоговых устройствах. Сопротивление транзистора изменяется от нуля до максимального значения - говорят транзистор «приоткрывается» или «подзакрывается».
2) Режим насыщения - сопротивление транзистора стремится к нулю. При этом транзистор эквивалентен замкнутому контакту реле.
3) Режим отсечки - транзистор закрыт и обладает высоким сопротивлением, т.е. он эквивалентен разомкнутому контакту реле.
Режимы насыщения и отсечки используются в цифровых, импульсных и коммутационных схемах.

Слайд 39

Индикатор

Электрóнный индикáтор — это электронное показывающее устройство, предназначенное для визуального контроля за событиями, процессами и сигналами.

Электронные индикаторы устанавливается в различное бытовое и промышленное оборудование для информирования человека об уровне или значении различных параметров, например, напряжения, тока, температуры, заряде батареи и т.д. Часто электронным индикатором ошибочно называют механический индикатор с электронной шкалой.
Имя файла: Электрический-ток-в-полупроводниках.pptx
Количество просмотров: 57
Количество скачиваний: 0