Эмпирические законы кристаллографии презентация

Содержание

Слайд 2

2) Закон Браве Морфологическая значимость грани, то есть ее относительное

2) Закон Браве

Морфологическая значимость грани, то есть ее относительное развитие на

кристалле, пропорциональна ее ретикулярной плотности. То есть, кристалл при росте покрывается гранями с наибольшей ретикулярной плотностью.
Спайность кристалла (способность скалываться по определенным плоскостям под действием удара или давления), как правило, происходит по плоскостям с наибольшей ретикулярной плоскостью.

Огюст Браве
1811 - 1863

Слайд 3

3) Закон Стено (Стенона) - Роме де Лиля : Кристаллы

3) Закон Стено (Стенона) - Роме де Лиля :
Кристаллы разной формы

одного вещества имеют неизменные углы между соответственными гранями.
Или
Изменение относительных размеров и формы граней, их расстояний от центра кристалла, то есть линейных параметров кристалла, оставляет неизменными его угловые параметры, которые являются устойчивыми характеристиками формы кристалла, а значит, и его симметрии.

Нильс Стенсен
Николай Стенон
Николас Стено
1638 - 1686

Прибор для измерения двугранных углов – гониометр

Слайд 4

3) Закон постоянства симметрии: все кристаллы определенного вещества, вне зависимости от их формы, имеют одинаковую симметрию.

3)  Закон постоянства симметрии: все кристаллы определенного вещества, вне зависимости от

их формы, имеют одинаковую симметрию.
Слайд 5

4) Закон Гаюи Отношения параметров, отсекаемых двумя любыми гранями кристалла

4) Закон Гаюи

Отношения параметров, отсекаемых двумя любыми гранями кристалла на трех

пересекающихся ребрах, равны отношениям целых и сравнительно малых чисел (почему?)

Рене Жюст Гаюи
1743 – 1822 гг.

Слайд 6

5) Закон Вейса – закон зон Христиан Самюэль Вейс 1780-1856

5) Закон Вейса – закон зон

Христиан Самюэль
Вейс
1780-1856

Установлена связь между символами

граней и символами ограничивающих их ребер
Слайд 7

h, k, l ∈ R Поскольку ребро с символами [rst]

h, k, l ∈ R

Поскольку ребро с символами [rst] ∈

(hkl),
r,s,t – координаты точки на ребре, то получаем:
Слайд 8

Поиск ребра, общего для двух пересекающихся граней Поиск плоскости, общей

Поиск ребра, общего для двух пересекающихся граней

Поиск плоскости, общей для двух

пересекающихся ребер

Метод перекрестного умножения

Слайд 9

Следствия закона Вейса (закона зон)

Следствия закона Вейса (закона зон)

Слайд 10

Стереографические проекции Проекции граней кристалла Горизонтальные грани проецируются в центре

Стереографические проекции

Проекции граней кристалла

Горизонтальные грани проецируются в центре круга проекций,
Вертикальные

– на самом круге проекций,
Наклонные – внутри круга проекций.
Слайд 11

Сферические координаты грани А - широта – угол между вертикальной

Сферические координаты грани А

- широта – угол между вертикальной осью III

и направлением,
ϕ - долгота – угол между осью II и направлением.

Стереографическая проекция перпендикуляра к грани называется гномостереографической проекцией грани.

Слайд 12

Слайд 13

Сетка Вульфа Плоскость проекций – экваториальная плоскость

Сетка Вульфа

Плоскость проекций – экваториальная плоскость

Слайд 14

Проецирование элементов симметрии Стереографические проекции осей симметрии: а – вертикальная

Проецирование элементов симметрии

Стереографические проекции осей симметрии: а – вертикальная ось, б

– горизонтальная ось (Y),
в – 4L3 ориентированы косо относительно плоскости проекций.

Стереографические проекции плоскостей симметрии: а – вертикальная плоскость (параллельна оси I), б – горизонтальная плоскость,
в – ориентирована косо относительно плоскости проекций

Слайд 15

Слайд 16

Слайд 17

Нормаль N0 образует с Метод косинусов Вульфа

Нормаль N0 образует с

Метод косинусов Вульфа

Слайд 18

Теоремы сложения (взаимодействие элементов симметрии) 1 2 3 4 Обратная

Теоремы сложения (взаимодействие элементов симметрии)

1

2

3

4

Обратная теорема:
Действие одной поворотной оси равносильно действию

двух зеркальных плоскостей, пересекающихся вдоль нее. При этом первая плоскость проводится вдоль оси произвольно, а вторая должна образовать в направлении поворота оси с первой плоскостью угол, равный половине элементарного угла поворотной оси.
Слайд 19

Найти положение равнодействующей оси и ее элементарный угол поворота можно

Найти положение равнодействующей оси и ее элементарный угол поворота можно следующим

образом:
1) через исходные оси проводим плоскость 1;
2) через одну из осей проводим плоскость 2 под углом к плоскости 1, равным половине элементарного угла поворота этой оси;
3) через вторую ось проводим плоскость 3 под углом к плоскости 1, равным половине элементарного угла поворота этой оси;
4) линия пересечения плоскостей 2 и 3 будет искомой равнодействующей осью симметрии, а угол между плоскостями 2 и 3 равен половине элементарного угла поворота этой оси;
Если исходные оси симметрии однородные (обе простые или обе инверсионные), равнодействующая ось будет простой; если же они разнородные (одна простая, другая инверсионная), то равнодействующая ось будет инверсионной.
Слайд 20

Ln1 (α1= 360/n1) Ln2 (α2= 360/n2) 1 3 α2/2 2 α1/2 Ln (α= 360/n) α/2

Ln1 (α1= 360/n1)

Ln2 (α2= 360/n2)

1

3

α2/2

2

α1/2

Ln (α= 360/n)

α/2

Слайд 21

Слайд 22

Слайд 23

Виды симметрии

Виды симметрии

Слайд 24

Слайд 25

Ln Lin Ln C Ln nP (//) Lin nP (//) LnnL2 (⊥) LnnL2(⊥)C

Ln

Lin

Ln C

Ln nP (//)

Lin nP (//)

LnnL2 (⊥)

LnnL2(⊥)C

Слайд 26

Направления в кристалле, связанные элементами симметрии, называются симметрично-равными. Направления, которые

Направления в кристалле, связанные элементами симметрии, называются симметрично-равными.
Направления, которые не

размножаются элементами симметрии (им нет эквивалентных, симметрично-равных) называются единичными.
Чем выше симметрия кристалла, тем меньше в нем единичных направлений

Почему важно?
Свойства!

Слайд 27

Полярными являются направления, противоположные концы которых не могут быть совмещены

Полярными являются направления, противоположные концы которых не могут быть совмещены элементами

симметрии кристалла.
С этими направлениями связаны свойства пироэлектриков – диэлектрики, обладающие спонтанной электрической поляризацией Р.
Пьезоэлектрики - Р под действием давления или деформации;
Сегнетоэлектрики - Р под действием вн. поля Е.
Р = Zδ + Eχ , Z – напряжение, Е – эл. поле.

Полная свободная энергия системы с N=const
F = PV – TS – HM – EP

Слайд 28

Применение: сенсоры, детекторы и приемники излучений, датчиков тепла. Любой вид

Применение: сенсоры, детекторы и приемники излучений, датчиков тепла.
Любой вид радиации,

попадающий на пироэлектрический образец, вызывает изменение его температуры и соответствующее изменение поляризации.
Слайд 29

Символы Шёнфлиса Сn — единственное особое направление (Ln) Cnv (от

Символы Шёнфлиса

Сn — единственное особое направление (Ln)
Cnv (от нем. Vertical) — с

nP(||)
Cnh (от нем. Horisontal) — P(⊥).
S2n (от нем. Spiegel — зеркало) — единственная Li2n (Sn = Cnh).
Сni — единственная Lin.
Dn — Сn + nL2 (⊥).
Dnh — +P (||) + nP⊥.
Dnd (от нем. Diagonal — диагональный) — nP (||) по диагонали между горизонтальными осями L2.
Tn , On, In (Yn) — высшая категория, совокупность осей в Тетраэдре, Октаэдре или кубе, Икосаэдре или Додекаэдре.
Слайд 30

Международные символы точечных групп Предложены немецким кристаллографом Карлом Германом в

Международные символы точечных групп

Предложены немецким кристаллографом Карлом Германом в 1928 году

и модифицированые французским минералогом Шарлем-Виктором Могеном в 1931 году.
1, 2, 3, 4, 6 – поворотные оси
m – плоскость симметрии
_ _ _ _ _
1, 2, 3, 4, 6 - инверсионные оси.

Ориентация элемента относительно координатных осей задаётся позицией элемента в символе группы.
Если ось симметрии перпендикулярна плоскости, то они записываются в виде дроби.

Имя файла: Эмпирические-законы-кристаллографии.pptx
Количество просмотров: 100
Количество скачиваний: 0